ARG писал(а):
Тем не менее, была идея, поставить транзисторы помощнее, 2SC5243, допускающие до 200Вт на коллекторе, но что еще важнее - до 1700В Vкб, то есть столько же, Vкэ что довольно редко встречается, обычно первый параметр заметно ниже. Такой транзистор мог бы работать и один, то есть R1 и Q3 можно было исключить. Но после первого же включения транзистор "поплыл", переходы БК и БЭ целые, а вот КЭ не в полном пробое, но с резко сниженным сопротивлением. Почему?
предположу, что в схеме присутствуют таки какие-то литы не обозначенные на схеме.
и при подаче питания транзистор долго-долго думал, прежде чем начал включаться, так долго, что напряжение коллектора успело добежать до высоких вольтов, а потом транзистор долго-долго открывался и заряжал выходную емкость, и той мгновенной мощности, которая выделилась на кристалле, не смог выдержать в полной мере, где-то подгорел.
ARG писал(а):
, ток базы BU508 вряд ли велик, поскольку даже при минимальном (по даташиту) Кус связки BU508+BU2708 (Q1&Q2) и выходном токе до 100мА ток базы не должен превышать 1 мА.
эти рассуждения годятся для статики, а
ваши проблемы наблюдаются в динамике, насколько понял.
Если посмотреть на шит 508-го так в нем нет ни одной временной цифири,а у другого типа граничная частота 16кГц, в связке все это выглядит еще хуже.... и насколько хуже остается только гадать.
С уверенностью можно сказать одно, закрывается сборка хуже, чем открывается.
Этому дополнительно способствует и наличие диодов в цепи базы и удаленный R3, все это увеличивают сопротивление источника в цепи базы при закрывании.
Фактически транзистор закрывается только за счет рекомбинации.