Power Electronics :: Просмотр темы

Ошибки измерения не исключены...
Эффект подобный нигде не описан.
Надо было докопаться до истины...

НЕХ писал(а):

Ошибки измерения не исключены...
А раз потери проводимости и динамические потери незначительны, то что остаётся? Правильно! Остаются потери, вызываемые током утечки в закрытом состоянии транзистора.
....производитель рекомендует эти транзисторы для работы в диапазоне 2-20кГц.

Остаётся констатировать проявление чуда в области физики полупроводов, поскольку при 2-20кГц ток утечки должон бути гарный, а при 33кГц обнаруживаеццо, что он вульгарный.

Не верю в опубликованную осциллограмму...

есть статьи, где IRF серии F(даже не U) работают на 100 кГц в ZCS.

какова всё таки скорость роста тока или величина индуктивности рассеяния ?

первую сотню нс снаббер отсутствует, затем включается в работу
но даёт ли это меньше пота у ключа ?

вот я и думаю...

а по поводу осциллограмм от valvol - 5 милливольт сложно, любая наводка от меняющегося магнитного поля исказит истину.

Примерно эти же транзисторы (IRG4PF50W) используются в фиксатом и опять же без особых проблем.

...при моделировании использовал свою модель, которая вполне прилично имитировала входные, выходные, вольт-амперные и коммутационные характеристики транзистора.

Автор:	НЕХ [ 11-12, 00:57 ]
Заголовок сообщения:	Re: Фазосдвигающий мост.
Ошибки измерения не исключены... Эффект подобный нигде не описан. Надо было докопаться до истины...

Автор:	valvol [ 11-12, 02:54 ]
Заголовок сообщения:	Re: Фазосдвигающий мост.
НЕХ писал(а): Ошибки измерения не исключены... Эффект подобный нигде не описан. Надо было докопаться до истины... Как не описан? Эффект описан на этом форуме :) Измерения были абсолютно корректные и многоплановые. Например, кроме указанного теста, проводился тест по снижению частоты коммутации (66кГц->30кГц). При этом эффективность источника практически не улучшалась, что, в общем-то, говорит о доминировании статических, а не динамических потерь. А раз потери проводимости и динамические потери незначительны, то что остаётся? Правильно! Остаются потери, вызываемые током утечки в закрытом состоянии транзистора. В данный момент причина, в принципе, очевидна - производитель рекомендует TRENCHSTOP™ транзисторы для работы в диапазоне 2-20кГц (хотя в другом месте указан диапазон 25kHz --> 70kHz ). Мы же, полагаясь на снабберы, пытались использовать их на частоте 66кГц. Пару лет назад это ограничение, вроде бы, не указывалось. Возможно производитель таким образом учёл наш опыт :) По крайней мере, когда мы с ними вели переписку, разговор как-то не касался того, что мы работаем на повышенной частоте. На тот момент формально существовали более быстроходные IHW25N120R2. Но купить их оказалось сложнее, чем CMF20120D. А сейчас поезд ушел. Ни кто этими экспериментами уже не будет заниматься, есть другая актуальная работа.

Автор:	медведёв [ 11-12, 07:22 ]
Заголовок сообщения:	Re: Фазосдвигающий мост.
valvol писал(а): НЕХ писал(а): Ошибки измерения не исключены... А раз потери проводимости и динамические потери незначительны, то что остаётся? Правильно! Остаются потери, вызываемые током утечки в закрытом состоянии транзистора. ....производитель рекомендует эти транзисторы для работы в диапазоне 2-20кГц. Остаётся констатировать проявление чуда в области физики полупроводов, поскольку при 2-20кГц ток утечки должон бути гарный, а при 33кГц обнаруживаеццо, что он вульгарный.

Автор:	valvol [ 11-12, 10:15 ]
Заголовок сообщения:	Re: Фазосдвигающий мост.
медведёв писал(а): Остаётся констатировать проявление чуда в области физики полупроводов, поскольку при 2-20кГц ток утечки должон бути гарный, а при 33кГц обнаруживаеццо, что он вульгарный. Сомнения понятны. Расшифровываю слово "почти". С 66 до 40кГц роста эффективности не наблюдалось. Далее эффективность стала подрастать. Что говорит в пользу частотной зависимости вредной составляющей. В такой ситуации было два пути: 1. Снизить частоту коммутации до 20кГц, значительно увеличив габариты источника. 2. Перейти на более высокочастотные транзисторы.

Автор:	НЕХ [ 11-12, 11:27 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
Не верю в опубликованную осциллограмму... или термоэдс, или перегрузка входов... есть статьи, где IRF серии F(даже не U) работают на 100 кГц в ZCS. какова всё таки скорость роста тока или величина индуктивности рассеяния ?

Power Electronics http://valvol.ru/

High speed 1200V IGBT http://valvol.ru/topic1467.html	Страница 9 из 13

Автор:	valvol [ 11-12, 11:48 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
НЕХ писал(а): Не верю в опубликованную осциллограмму... В каком смысле? НЕХ писал(а): есть статьи, где IRF серии F(даже не U) работают на 100 кГц в ZCS. С ZCS всё понятно. С ней даже тиристоры работают. НЕХ писал(а): какова всё таки скорость роста тока или величина индуктивности рассеяния ? Использовались различные трансформаторы с индуктивностью рассеяния 1.5 до 18 мкГн. Напряжение питания от 500 до 750В. Эффект сохранялся в любом случае.

Автор:	Alex Thorn [ 11-12, 21:31 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
Мне кажется, что всё дело в снаббере. Предположительно, во время коммутации Tfall , протекавший в ИЖБТ ток индуктора слишком интенсивно переводится в снаббер, при этом носители зарядов в самом транзисторе НИКУДА не исчезают, как это происходило бы в режиме хардсвитча при стендовых испытаниях. И получается, что по завершению Tfall эти носители зарядов существенно увеличивают потери, наращивая "токовый хвост". Это всё должно сильно зависеть от конкретных типов транзисторов и режимов, но при возможности желательно обращать внимание на это явление. (всё сугубо моё личное мнение, возможно - ошибочное ) .

Автор:	НЕХ [ 11-12, 21:47 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
Так пробовал задержать снаббер - кончик хвоста без изменений задержанное включение снаббера на fotkidepo.ru: белые задержаны на 100нс

Автор:	Alex Thorn [ 11-12, 21:52 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
Если верхние кривые - ток транзистора, тот что "раньше" ( левее ) с тяжёлым снаббером, а тот что позже (правее ) - ближе к хардсвитчу или лёгкому снабберу. Это называется "без изменений" ??? Это наглядно - именно то, о чём и говорил ! теоретически, правда.

Автор:	НЕХ [ 11-12, 21:57 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
первую сотню нс снаббер отсутствует, затем включается в работу (в белых лучах) но даёт ли это меньше пота у ключа ? постараюсь задать вообще отрицательный ток IGBT...

Автор:	Alex Thorn [ 11-12, 22:03 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
НЕХ писал(а): первую сотню нс снаббер отсутствует, затем включается в работу но даёт ли это меньше пота у ключа ? Здесь Вам считать уже нужно. Я вижу, что в снаббированной траектории Tfall хуже и хвост больше. В вашем случае это , предположительно, не сильно влияет, т.к. напряжение K-Э нарастает достаточно медленно насколько помню. А вот в случае, если снаббер завершит свою работу к моменту "середина" или "окончание" Tall, то бысто восстановившееся напряжение К-Э, особенно если оно более 250 вольт, заставит вас задуматься - "А шо ж ОНО так грееццо-то ??? " p/s теоретически... но логика вроде просматривается.

Автор:	НЕХ [ 11-12, 22:11 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
вот я и думаю - самый жирный снаббер откусит лишь половину потерь выключения (по прикидке, сейчас 1,5 mJ) но в классическом мосту два ключа под гнётом, а в фазнике - один надо ли прихорашивать заведомо ущербное ? http://floridapec.engr.ucf.edu/publicat ... _seven.pdf а по поводу осциллограмм от valvol - 5 милливольт сложно, любая наводка от меняющегося магнитного поля исказит истину. надеюсь, что ещё пополню картинки токов и напряжений...

Автор:	Alex Thorn [ 11-12, 22:24 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
НЕХ писал(а): вот я и думаю... это уже по индивидуальным предпочтениям. Я обычно думаю, какой самый минимальный снаббер необходим. p/s спс за фото хвостов.

Автор:	valvol [ 12-12, 15:00 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
НЕХ писал(а): а по поводу осциллограмм от valvol - 5 милливольт сложно, любая наводка от меняющегося магнитного поля исказит истину. Чтобы поддерживать постоянный уровень в течении настолько длительного времени нужна невероятно хорошая магнитная связь помехи с измерительной цепью. Однако, подобное смещение может возникнуть по более банальной причине - например, в результате перегрузки канала вертикального отклонения осциллографа. Для устранения этой вероятности, канал осциллографа был предварительно протестирован аналогичным сигналом с известными параметрами. Для пущей уверенности, подобная проверка была повторно проведена другим, аналоговым, осциллографом. Постоянная составляющая тока утечки везде присутствовала. Шунт подключался к 50-ти омному входу осциллографа, который был изолирован от сети при помощи качественного разделительного трансформатора.

Страница 9 из 13	Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group http://www.phpbb.com/

Автор:	Maikl [ 18-05, 20:16 ]
Заголовок сообщения:	Re: High speed 1200V IGBT
Почитал и… впал в глубокое уныние Ежели 0,25А в закрытом состоянии, то кратковременная мощность на ключе достигает десятки, сотни кВт. Пипец, даже и не верится! Опять же, вселяет надежду valvol писал(а): Примерно эти же транзисторы (IRG4PF50W) используются в фиксатом и опять же без особых проблем. Vaivol, имеющиеся у меня ключи FGL40N120AND смогут работать в фиксаре при напряжении 1100В без всяких наворотов? И ещё Цитата: ...при моделировании использовал свою модель, которая вполне прилично имитировала входные, выходные, вольт-амперные и коммутационные характеристики транзистора. ежели возможно, буду благодарен за модель.