| Power Electronics http://valvol.ru/ |
|
| High speed 1200V IGBT http://valvol.ru/topic1467.html |
Страница 10 из 13 |
| Автор: | медведёв [ 18-05, 21:10 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): имеющиеся у меня ключи FGL40N120AND смогут работать в фиксаре при напряжении 1100В без всяких наворотов? Сомневаюсь, поскольку для народной PF-ки прописано, что "Energy losses include "tail"=3,45mJ"(С), а для твоего NPT-шника такого нет и потери поболее. 
|
|
| Автор: | valvol [ 18-05, 23:30 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): ежели возможно, буду благодарен за модель Модель FGL40N120AND можно взять с сайта Fairchild (требуется регистрация) Подборку моделей от Fairchild (в том числе и FGL40N120AND), адаптированных под LTspice, можно  Архив необходимо разархивировать в папку ValVol |
|
| Автор: | Maikl [ 19-05, 07:49 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Valvol, спасибо! Вставил в модель FGL40N120AND вместо IRG4PF50W. Потери на переключение снизились в 2 раза, а общие в 1,5 раза. valvol писал(а): Подборку моделей от ... (в том числе и FGL40N120AND), адаптированных под LTspice... можно ли это понимать, что вами проделана работа по подгонке в.у. моделей в части приближения к реальным компонентам? Т.е. можно ли доверять результатам моделирования, например, с FGL40N120AND ? И ещё, из вашей практики. Имеющаяся в SW модель IRG4PF50W сильно отличается от реального компонента? |
|
| Автор: | valvol [ 19-05, 17:07 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): можно ли это понимать, что вами проделана работа по подгонке в.у. моделей в части приближения к реальным компонентам? Т.е. можно ли доверять результатам моделирования, например, с FGL40N120AND ? Нет, такая работа не проделана. Maikl писал(а): И ещё, из вашей практики. Имеющаяся в SW модель IRG4PF50W сильно отличается от реального компонента? Модель оптимистичнее справочных данных (показывает потери выключения 470мкДж вместо 1.06 мДж для температуры 25гр.С. Однако IRG4PF50W хороший транзистор и при работе с ним серьёзных хвостатых проблем не замечал. |
|
| Автор: | Maikl [ 19-05, 21:08 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Спасибо, ValVol ! И ещё. Так понимаю, что соответствие характеристик моделей в SW и заявленных производителем вполне возможно проверить в том же SW. |
|
| Автор: | valvol [ 20-05, 00:03 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): Спасибо, ValVol ! И ещё. Так понимаю, что соответствие характеристик моделей в SW и заявленных производителем вполне возможно проверить в том же SW. Разумеется. В справочных листках приводятся электрические схемы проверки тех или иных параметров транзисторов. |
|
| Автор: | Maikl [ 20-05, 11:01 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Спасибо, ValVol ! Именно тестовые схемы из спр. листов и имел ввиду 
|
|
| Автор: | Maikl [ 30-05, 17:11 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
ValVol, в вашей библиотеке SW две модели FGL40N120AND. Одна из них изображена как IGBT, а другая как MOSFET. Какая из них более реалистична, т.е. приближает результат моделирования к "железу" ? При моделировании обеих моделей в фиксе при равных условиях MOSFET_вский вариант показал, что мощность, выделяющаяся на ключе, больше нежели на IGBT_вском варианте. |
|
| Автор: | valvol [ 31-05, 02:47 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): ValVol, в вашей библиотеке SW две модели FGL40N120AND. Одна из них изображена как IGBT, а другая как MOSFET. Какая из них более реалистична, т.е. приближает результат моделирования к "железу" ? Странно. А я что-то не вижу там MOSFET версию FGL40N120AND. Может подскажите, куда я её там засунул? :) |
|
| Автор: | Maikl [ 31-05, 07:53 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
valvol писал(а): Странно... вот и мне стало странным после вашего поста, т.е. - откуда мосфетовский вариант "прилетел"? 
|
|
| Автор: | valvol [ 31-05, 12:30 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): valvol писал(а): Странно... вот и мне стало странным после вашего поста, т.е. - откуда мосфетовский вариант "прилетел"?Если он по другому моделируется, то значит и модель другая. Можно посмотреть в символе, на какую библиотеку тот ссылается. Что касается реалистичности, то мне пока не встречалась модель высоковольтного IGBT, которая адекватно моделировала бы поведение этого транзистора, касающееся процесса рассасывания хвоста. К сожалению, производители далеко не всегда предоставляют SPICE модели своих детищь и поэтому эксперименты с моделированием приходится проводить на моделях-аналогах. При этом, понятное дело, результаты моделирования могут не соответствовать реальной картине. Например, в своё время пытался моделировать поведение модуля SKM200GB128D при помощи "кучки" irg7ph42ud1. И если кучка, при переходе в ZCS демонстрировала многократное повышение потерь (как это ни странно), то реальные транзисторы в похожей ситуации честно приносили увеличение эффективности. Перебрал ещё несколько похожих SPICE моделей, полюбовался на аномалии при коммутации на малых токах. Везде одно и тоже - неадекватное поведение при малых токах и повышение потерь в ZCS. При ZVS вроде как более-менее. Т.е. похоже, что существующие модели заточены для использования в фазниках (вариант ZVS). Что касается вожделенной ZCS, то похоже эта область пока не перекрывается способностями существующих SPICE моделей IGBT. Как следствие, сложно прогнозировать потери, вызванные недостаточным рассасыванием хвоста. Касательно предполагаемого применения транзисторов, то здесь как-бы будет ZVS, однако слишком быстрая. При этом хвост может не успеть рассосаться и, как результат, принесёт потери из-за токов утечки, казалось бы, закрытых транзисторов. |
|
| Автор: | Maikl [ 31-05, 16:34 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Спасибо, ValVol. Знакомый из интернета собрал простую фиксу на 3шт. IRG4PF50W. Опробовал на балласте и сварке. Всё было хоккей пока не решил ещё раз погонять на балласте - посетил БАХ. Сейчас установил 1шт FGL40N120AND. Гонял на балласте и варил при разных пит. напряжениях и вых. токе 130А - всё пучком. На днях собирается проводить объёмные свар. работы на даче. Обещал отстреляться. Ради спорта опробую в фиксе с Кзап.>0,5 IRG4PF50W и FGL40N120AND по 2шт. параллельно. Maikl писал(а): ValVol, лоханулся в вашей библиотеке SW две модели FGL40N120AND. Одна из них изображена как IGBT, а другая как MOSFET.  Обе модели находятся в экстре.
|
|
| Автор: | valvol [ 31-05, 23:58 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): Ради спорта опробую в фиксе с Кзап.>0,5 IRG4PF50W и FGL40N120AND по 2шт. параллельно. Это было бы весьма полезно для данной темы. Не лишним было бы сравнить эффективность устройства в модели и реальности, а также измерить температуру корпуса транзистора. Последний тест, хотя бы приблизительно, позволит оценить реальные потери в нём. |
|
| Автор: | Maikl [ 01-06, 18:35 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
С корректным измерением температуры могут возникнуть проблемы, т.к. ключи будут прижаты к радиатору платой. В наличии имеются инфракрасный лазерный дистанционный термометр AZ8866 и медицинский инфракрасный термометр UT-102. Термопар нет. Остальной парк измерительных приборов более чем достаточен. Может на время измерений в качестве точки измерения использовать шляпку латунного или медного болта, прижимающего транзистор через штатное отверстие? Пмсм, было бы неплохо накалякать и обсудить хоть какую-нить методу по сравнительной проверке. |
|
| Автор: | valvol [ 01-06, 21:27 ] |
| Заголовок сообщения: | Re: High speed 1200V IGBT |
Maikl писал(а): С корректным измерением температуры могут возникнуть проблемы, т.к. ключи будут прижаты к радиатору платой. В наличии имеются инфракрасный лазерный дистанционный термометр AZ8866 и медицинский инфракрасный термометр UT-102. Термопар нет. В принципе этого достаточно. Я для подобных измерений использую тепловизор (тип не помню), но дистанционный термометр, скорей всего, также подойдёт. Главное удобство такого измерения в том, что не надо лезть в опасную зону. Можно в плате просверлить отверстие диаметром 3 мм над корпусом в районе кристалла. Я, например, делаю так  Так как тепловое сопротивление у платы достаточно высокое, то корпус ТО-247 в этом месте не на много холоднее кристалла. Если с дырочкой "прошляпили", то можно контролировать температуру контактной площадки коллектора, который имеет хорошую тепловую связь с кристаллом. Правда и утечки тепла тут гораздо выше по сравнению с корпусом, плюс припой пайки "бликует" и мешает измерениям. Чтобы забороть бликование площадки, я наклеиваю на неё кусочек чёрного теплопроводного геля. Если с гелем проблемы, то можно нанести слой матовой чёрной краски. |
|
| Страница 10 из 13 | Часовой пояс: UTC + 4 часа |
| Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group http://www.phpbb.com/ |
|