По работе столкнулся с проблемой использования новых высоковольтных IGBT типа
IGW25N120H3 от
Infineon.
Об этих транзисторах были хорошие отзывы в статье
600/1200‑вольтовые IGBT: новый стандарт производительности в устройствах с высокой скоростью переключения от Дэвид Чиола (Davide Chiola) и Холгер Хюскен (Holger Hüsken), опубликованной в журнале
Силовая Электроника №1 за 2011 год. Оригинальную информацию можно глянуть в соответствующей
апноте от Infineon.
Использовал эти транзисторы в двухфазном косом, работающем на частоте 66кГц. Предварительно источник моделировался в LTspice.
К сожалению мне не удалось запустить
модель этого транзистора от производителя. Поэтому при моделировании использовал свою модель, которая вполне прилично имитировала входные, выходные, вольт-амперные и коммутационные характеристики транзистора.
В модели источник обеспечивал эффективность порядка 95%. Однако на практике эффективность получилась гораздо ниже (90%). При этом транзисторы грелись гораздо выше ожидаемого. При изучении проблемы пришел к выводу, что потери вызывались хвостом проводимости этого транзистора. Для проверки этой версии, врезал в эмиттер одного из нижних транзисторов шунт 20мОм и обнаружил что в паузе через транзистор течет спадающий ток, имеющий среднее значение 0.25А! Кроме этого проводились замеры эффективности источника на частотах коммутации 66, 44 и 36кГц. В результате этих замеров выяснилось, что эффективность преобразователя практически не зависит от частоты коммутации (некоторые улучшения наблюдались для частоты 36кГц). Это говорит о том, что основные потери не зависят от частоты и поэтому имеют не коммутационный характер.
Аналогичная картина получена и с быстрыми IGBT от
Microsemi - APT25GT120BRG, APT50GT120B2R и APT50GT120LR
Это в общем-то несколько усмиряет критический пыл и заставляет посмотреть на проблему с иной точки зрения. Может быть существуют какие-то особенности использования высоковольтных IGBT?
На практике, в трёхфазной индукционной печи на 25кВт, приходилось использовать баяны из 6-ти 900V-ых IGBT типа IRG4PF50WD. Там ни каких проблем не замечал, хотя использовалось частотное регулирование и транзисторы также коммутировались на аналогичных частотах. Примерно эти же транзисторы (IRG4PF50W) используются в фиксатом и опять же без особых проблем.
Сравнение возможно не совсем корректное, но приводится в том плане, что удачное использование 900V-ых IGBT давало повод надеяться на удачное использование 1200V-ых, имеющих похожие потери переключения.