Power Electronics

Тут http://shyza.ru/forum/viewtopic.php?p=7931#p7931

Просто вспомнилось, как прилично греется на 80 кГц косой с регенеративным снаббером и прилично шустрыми транзисторами даже на ХХ.
У Вас, насколько понял, нагрев от частоты мало зависит. Это нелогично. Значит, потери коммутации слишком маленькие. Значит надо проверять, в литературе отзываются о "расплате" в виде ёмкости затвора для этих транзисторов, может таки проблемы совместимости с драйвером либо с динамикой напряжения на ключе . Может и видно чего будет, в заведомо закрытом ключе.

Пересмотрел комментарии к картинке в начале.
Так понимаю - ток жёлтый. И со "звоном" . Тогда , вероятно, есть смысл прислушаться к мнению VVS.
Даже несмотря на то, что достоверно измерить весьма непросто.
Я так понял из картины, Вам тоже можно не ставить обратные диоды на силовые транзисторы ?

При описании перепутал номера каналов. Сейчас поправил.

По возможности попробую.
Ранее заметил отрицательное влияние на эффективность небольшого звона шины питания (300-400кГц 25В). После того как ёмкость блокирующего конденсатора была увеличена с 0.4 до 2мкФ, частота и амплитуда звона уменьшилась, а потери снизились примерно на 40-50Вт. При этом транзисторы особо меньше греться не стали (контролировал температуру).

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

valvol, диоды есть антипараллельные ?

_________________
.

Вчера, на самодельном стенде, исследовал IGBT типа IGW25N120H3 от Infineon. Ток транзистора контролировал при помощи шунта 0.1Ом, включенного в эмиттер.

Осциллограмма достаточно чистая (Ch1, 50мВ в клетке, на шунте 0.1Ом), но несколько искажена отрицательным выбросом при спаде тока. Далее видно подобие хвоста длительностью 20-30мкс и максимальным значением около 50мА. Это конечно значительно больше тока утечки, но меньше тока в 250-500мА полученного в реальном источнике. Картинка приктически не зависит от величины затворного резистора (2-15Ом).
Тоже самое для пакета импульсов

Видно, что ток утечки практически не зависит от величины отрицательного выброса.
В качестве версии можно предположить, что в реальном источнике эта картина усугубляется различными звонами

IGBT IGW25N120H3 без встечнопараллельного диода.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Без снаббера проверяли ?
Как-то не верится, чтобы "звон" приводил к такой "постоянной утечке" между импульсами уже в инверторе
Про диоды спрашивал применительно к схеме силовой части.
Так понимаю, этот "ребус" достаточно быстро Вы разгадаете . Раз уж с транзисторами как таковыми всё в порядке.

На стенде использован RCD снаббер с таким же конденсатором, как и в рабочем источнике.
Пока трудно сказать.
С одной стороны, изменение рабочей частоты инвертора практически не отражается на уровне потерь. Это значит, что потери не связаны с коммутацией как таковой. При этом по социллографу видно, что в моменты проводимости транзисторы хорошо открываются и на затворах присутствует отпирающее напряжение хорошего уровня. А раз потери возникают не во время открытого состояния и не во время коммутации, то остаётся период когда транзисторы должны быть закрыты.
С другой стороны замена IGBT на MOSFET привела к значительному уменьшению уровня потерь на транзисторах (общий прирост эффективности около 2%).
То есть потери таки связаны с транзисторами.
И если мне эти потери не удаётся увидеть в стенде, то это значит, что на нём не в полной мере имитируются рабочие условия.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Можно ли предположить, что в реальной схеме за счёт монтажа и прочих тонкостей присутствуют условия, которые, например, обуславливают протекание "отрицательных" токов в транзисторах при коммутации , что вызывает значительное ухудшение параметров транзисторов в "закрытом" состоянии , наблюдаемое в виде тока "утечки" в течении нескольких микросекунд ?

valvol
Не может ли крыться причина в слишком быстром запирании по затвору? Ведь ижбт- сложная стуктура. В примитивном виде- полевик плюс биполяр. Не может ли возникнуть ситуация, когда слишком быстрое запирание полевика не позволяет рассосаться заряду "базы"? Что даст просто увеличение затворного резистора, т.е. преднамеренное замедление выключения? Ну ведь трудно предположить, что у скоростного ключа может быть такой НЕВЕРОЯТНЫЙ хвост!

_________________
К людям надо помягше... А на вопросы глядеть поширше!

Похоже что в реальной схеме нада все таки вкрячить какие нить ультрафасты в обратные диоды, так как и на самой первой картинке где ВЧ звон похоже тоже заходы минус есть, если это конечно не из за щупа и наводок. Вкрячить их недолго, а если дело в них, то результат сразу себя проявит. Кроме того, было бы неплохо вместо рцд навесить временно рц снаббер пожирней и посмотреть, что при этом станет со звоном. А длинный-длинный хвостик на уровне 10-50 ма аж за 30 мкс - это норма почти для всех жибитов у которых идет борьба за минимальную напругу насыщения. И как я понимаю, ни в одном шиите реальная длинна хвоста до полного нуля не нормируется. Ну шо тут поделать - биполяр он и в африке биполяр. Единственно где хвоста практически нет, так это в тех жибитах где биполяр работает в граничном режиме а не в насыщении. Но за это плата 3.5 вольт и выше в статике. Шустрые транзюки APT35GP120 и иже с ними ботва APT* серии как раз такие - по скорости клацанья очень близко от полевиков, хвосты очень куцые , но статические потери на уровне таковых в полевиках. Поэтому при всей их скорострельности они греются ничем не меньше более тормозных собратьев, только те за счет динамики а эти за счет статики. И самый холодный жибитовский ключ который мне доводилось видеть, это скрещенный APT35GP120 и IXER60N120, о чем я и писал у себя на форуме. Разница очень заметна: по отдельности - температура радиатора на уровне 70 градусов (сам радиатор крошечный, от выходных диодов БП АТХ) при работе только APT35GP120, была под сотку и продолжала расти при работе только IXER60N120 а при совместной работе радиатор остывал до 45-50 градусов (снабберов не было вааще, топология - бустер) Лучшего результата думаю можно добиться только на карбидкремнячем половике.

900 вольтовые MOSFET-ы ведут себя вполне прилично. Сейчас заказали CMF20120. Это в принципе решает проблему, что пока устраивает. Однако в дальнейшем предпологаю вернуться к IGBT. Также может быть что-то подскажут производители, когда проснутся от праздников.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Я имел в виду, что обычные кремнячие полевики на 1.2 кв и рядом не лежали с подобной спаркой по совокупности статических и динамических потерь, ибо у них либо статика не айс и они и 10 ампер току потянуть не могут либо имеют агроменные емкости, что накладывает свои ограничения на скорость клацанья, а статические потери все равно еще не айс и как итог получается кремнячий полевик на 1.2кв хуже по эффективности. И стоят такие полевики как самолет, ненамного меньше карбидкремнивых. Но карбидкремнячий полевик по эффективности порвет и эту спарку, ибо у него все на высоте, и статика и динамика. Все, кроме цены, но если далее так пойдет, то думаю что они сначала вытеснят всех жабитов из области 1.2кв и выше, а потом возьмутся за область 600-т вольтовых. И тогда останутся одни тока полевики, из обычного кремня в низковольтных делах и карбидники в высоковольтных. Хотя кто знает, может быть карбидники и в низковолтьную нишу когда нить влезут. И этот первопроходец в итоге может когда нить стать классикой как щас КТ805 в ТО220 корпусе
Даже если они к 10-у проснутся у них еще до 20-го минимум будет головка вава и врят ли они что дельное смогут сказать

valvol, что слышно ?
переживаем .

_________________
.

При текущей постановке вопроса можно переживать до скончания века.
valvol, Вы бы хоть модель выложили, тем бо что она есть, а то тут на элементарных вопросах народ страницы протирает
и резюма пока тока одно - в неких тестовых схемах ключ работает, а в источнике- нет.