Power Electronics

Вы не могли бы еще раз разложить по полочкам для обратнохода (см рисунок)
Насколько я понимаю, при закрывании ключа в контуре 1 и 2 возникают большие всплески токов,
соот,
1) они через воздух наводят помехи в контур управления 3 что приводит к защелкиванию мс или открыванию ключа.
2) площади этих контуров надо делать как можно меньше и контур 3 располагать перпендикулярно к 1 и 2.
3) проблема с ключами супермерш из-за слишком крутых фронтов при закрытии, в результате чего на шунте возникает вплеск, которые генерирует вч колебания и исток ключа опускаеться ниже уровня земли что приводит к перегреву ключа.
Те интересует физика процесса генерации вч помехи на ключе из-за чего он выходит из строя.
4) выводы обмоток из транса должны иметь мин длину и выходить из транса паралельнно друг другу

http://yadi.sk/d/uOvIDjO335gAmf

_________________
хочу все знать

Быстрые MOSFET-ы могут возбуждаться через проходную ёмкость при наличие некоторой индуктивности в стоке. Где-то у меня были экспериментальные фотографии этого процесса для спаренных мощных SiC MOSFET. Если найду, выложу. Там хорошо видно как спаренные транзисторы возбуждался при наличие в общем стоке сравнительно небольшой индуктивности величиной 40-50нГн. Причём возбуждение наблюдалось только в определённом режиме нагрузки. Устранить проблему получилось только значительно снизив эту индуктивность (в 3-5 раз).

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

А моно мосфеты не возбуждаются ?
То что быстрые горят в паре всегда я уже заметил )

_________________
хочу все знать

Одиночные MOSFET-ы устойчивее, но проблема присутствует и у них.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

А остальные пункты в мое эссе выше правильные ?

_________________
хочу все знать

Если цепи управления проложены правильно, то проблем с ними возникнуть не должно. Всё это ранее подробно обсуждалось в теме про мощный обратноход.

При слишком большой скорости запирания транзистор может перейти в режим генерации на частоте определяемой контуром, состоящим из проходной ёмкости и паразитной индуктивности стока.
Чтобы этого не происходило можно, например, при помощи снаббера ограничить скорость нарастания напряжения на закрытом транзисторе. Будет не плохо, если снаббер жестко ограничит скорость нарастания на уровне не более Fall time, указанного производителем.
Реальная картина запирания достаточно просто отслеживается при помощи осциллографа.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Я вот не пойму где этот контур и эта проходная емкость в схеме конкретно, не могли бы Вы нарисовать ?
Снабер в смысле кондер + резистор к земле и стоку ключа ?
Вообще 40-50нГн это где то 3-4 см проводника платы шириной 1-2 мм.

Можно объединить мне все равно.

_________________
хочу все знать

Транзистор имеет три основные собственные ёмкости:
Ciss - Входная
Coss - Выходная
Crss - Обратной передачи или проходная (ёмкость между затвором и стоком)

Последняя ёмкость, по своей сути, является ёмкостью обратной связи и, при определённых условиях, способна превратить транзистор в автогенератор. Опасность представляет частота, на которой фазовый сдвиг в транзисторе составляет 180гр. На этой частоте отрицательная обратная связь через проходную ёмкость превращается в положительную. И если какая-то комбинаций паразитных ёмкостей и индуктивностей, окружающих транзистор, имеет резонанс на близкой частоте, то появляется вероятность возникновения автогенерации при включении и особенно выключении транзистора. Авторенерация приводит к возникновению многократной коммутации, резкому возрастанию динамических потерь, быстрому перегреву и выгоранию транзистора.
В качестве снаббера можно использовать RCD или RC цепочки, обладающие минимальной собственной индуктивностью и включенные непосредственно между стоком и истоком мощного транзистора. Использование снаббера приводит к завалу АЧХ мощного транзисторного каскада на критической частоте и срыву генерации.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Ясно, спасибо.

_________________
хочу все знать

Может управление ключем без шунта решит проблему ?
Вряд ли если затвор притянуть к истоку транзистор возбудиться даже с внутренним резистором.

_________________
хочу все знать

А кто мешает попробовать?

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Все ключи закончились )

_________________
хочу все знать

Тогда с наступающим Новым годом! :)

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Всех благ )

_________________
хочу все знать

просьба ко всем посетителям сайта, нужен просто совет или консультация.
собрал небольшую схемку на 250 ватт, по схеме обратноходового преобразователя, за основу для расчетов взял статью Д Макашева обратноходовой преобразователь , статью выкладывать не буду, думаю это не актуально, создал модельку и вижу что ток намагничивания слишком большой на мой взгляд, к тому же выбросы на ключе тоже киловольтные, так как это у меня первый опыт создания обратноходового преобразователя , прошу не судить строго и указать ошибки модель выложил здесь
http://rgho.st/8H8lqnBRF