SashaN123 писал(а):
Странно, потери при моделировании на ключе FGL40N120AND, из Вашей библиотеки, в однотактнике на частоте 200 кГц меньше, чем на LTспайсовском мосфете STW11NM80.
Общие потери содержат в семе коммутационную составляющую и составляющую проводимости. Высоковольтные IGBTs обеспечивают меньшие потери проводимости по сравнению с аналогичными MOSFETs. В общем-то по этой причине IGBTs и выпускаются.
SashaN123 писал(а):
Насколько верны модели igbt? Где можно взять хорошие модели igbt, работающие в ЛТспайсе? Инфинеоновские из Вашей библиотеки не хотят работать...
Модели от производителей самые верные, но зачастую для какой-то определенной задачи. Например, для демонстрации вольтамперных характеристик, или динамики, или температурных зависимостей или ... Погоня за универсальностью усложняет модели, делает их тихоходными, неустойчивыми, а при определенных условиях и неработоспособными. Перед использованием, любую модель нужно подвергать испытаниям. В качестве реферной выступает информация приводимая в справочных данных производителя. Там же приводятся испытательные схемы, для которых получены справочные параметры. Если отсутствуте оригинальная модель или такая модель есть, но не соответствует требованиям, смотрите на модели аналогичных транзисторов от других производителей.
Случается такое, что в реальности транзисторы ведут себя хуже, чем справочнике. Особенно это справедливо для IGBT. Не стоит эти транзисторы использовать на частотах, для которых они явно не предназначены (смотрите
рис.4 документации).
LTspice хороший инструмент! Однако его использование, как впрочем и любого другого инструмента, не отменяет вдумчивого подхода.
Вход
Регистрация
FAQ
