Power Electronics

Ищу документацию по структурам igbt и mosfet в таком разрезе:
- материалы областей и примесей
- методы формирования областей
- физические размеры областей
- технологии легирования
- концентрации примесей
По полевикам есть малость информации, а по igbt вообще ничего нет

_________________
Внимание! В документации EPCOS на сердечник ETD29 допущена ошибка: на стр.2 в таблице "Gapped" для материала №87 при зазоре 0,2мм коэффициент индуктивности не 383 а 483!