Alukard писал(а):
возникли сложности с LC фильтром и RC цепью для ограничения скорости нарастания на оптотиристоре
Известно, что тиристор может самопроизвольно открыться, если к нему приложить напряжение со скоростью нарастания больше некоторой критической. Например, в
схеме ИБП оптотиристор VD29 "байпасс" включен между нагрузкой и сетью. Т.е. к нему могут прикладываться скачки напряжения сетевого напряжения (например, при подключении сети в пике синусоиды напряжения) или при работе преобразователя, вырабатывающего весьма прямоугольное напряжение. Стандартным способом ограничения dV/dt на тиристоре, коммутирующем нагрузку Rn, является шунтирование его RC-цепочкой (R ограничивает ток разряда С, при отпирании тиристора). В этом случае ёмкостная составляющая RC цепочки, совместно с сопротивлением нагрузки Rн, ограничивает dV/dt. В нашем случае тиристорный ключ непосредственно включен между двумя источниками напряжения, это генератор ИБП и питающая сеть переменного тока. Т.е. сопротивление Rn, как таковое, отсутствует. Правда оба источника напряжения имеют внутреннее сопротивление, которое в той или иной мере может выпольнять роль Rn, но величина этого сопротивления трудно предсказуема (особенно для питающей сети) и поэтому, для получения однозначного результата, последовательно с тиристором включаем небольшую индуктивность L1. В этом случае кривая нарастания напряжения на запертом тиристоре будет либо относительно линейной (если преобладает R), либо будет являтся фрагментом синусоиды (если преобладает С), либо что-то среднее. Наибольшая эффективность достигается, когда преобладает C. Аналитический расчёт возможен, но проще промоделировать цепочку в любимом SwCad.
При экспоненциально растущем напряжении, скорость нарастания определяется прямой, проведённой через 0 и 0.632 амплидуды импульса генератора. Из результата видно, что при указанных параметрах и скачке напряжения величиной 310В, скорость нарастания напряжения на RC цепочке около 450В за 1uS. Если уменьшить R98 до 100ом, то скорость нарастания уменьшится до 150В за 1uS.