Уровень DEMB, в принципе, соответствует случаю, когда Rdemb=10k.
Ruslan_ писал(а):
...замечена следующая закономерность, - при увеличении нагрузки до Iвых=12,2А возможное напряжение на выводе VCCX можно поднять до 9,2В, (при сохранении синхронного режима).
Ruslan_ писал(а):
Дополнительно выяснилось, - введение затворных резисторов сопротивлением 1...5 Ом прямо влияют (ухудшают) условия обеспечения синхронного режима...
Так как есть зависимость синхронного режима от нагрузки и наличия затворных транзисторов, то похоже проблема в том, что напряжение SW не успевает снизится в течении "мертвого" интервала. По предлагаемым осциллограммам это сложно увидеть. Нужно понаблюдать за тем, как взаимно расположены срез импульса SW и фронт импульса LO. Срез должен быть раньше фронта. Иначе схема эмулятора будет ошибочно детектировать отрицательный ток и вырубит нижний транзистор.
Именно это происходит при использовании затворных резисторов. Затягивание времени отключения верхнего транзистора приводит к задержке среза SW.
Кроме этого, имейте в виду, что даже когда все хорошо, нижний транзистор не будет синхронно включаться во всем диапазоне токов нагрузки. Так же он не будет включаться в разрывном режиме.
Кроме этого на стабильность возникновения синхронного режима влияют величины входной и выходной ёмкостей транзисторов. Если эти ёмкости меньше, то синхронный режим будет возникать раньше, если больше, то позже, либо вообще будет отсутствовать.
Соответственно, большая величина VCCX также приводит к более позднему возникновению синхронного режима (затвор, заряженный до более высокого напряжения, дольше разряжается).