Power Electronics
http://valvol.ru/

Ключи СИТ и ESBT
http://valvol.ru/topic281.html
Страница 2 из 2

Автор:  Ross [ 18-12, 19:29 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Не даёт мне покою этот драйвер...Охота к БСИТ прикрутить.

Автор:  НЕХ [ 18-12, 23:50 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Ross писал(а):
Не даёт мне покою этот драйвер...

А как будете решать самую главную проблему - вторичного теплового пробоя ?

Автор:  valvol [ 19-12, 00:08 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Ross писал(а):
Охота к БСИТ прикрутить.

По идее, должен подойти для БСИТ-ов, которые полностью закрыты при нулевом смещении.

Автор:  Ross [ 19-12, 00:38 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

НЕХ писал(а):
А как будете решать самую главную проблему - вторичного теплового пробоя ?

Я не ставлю задачу решить, я хочу её обойти. И чтобы она меня не заметила. Пока не видел чтобы кто-то давал гарантии что эта штука не приключиться.

valvol писал(а):
По идее, должен подойти для БСИТ-ов, которые полностью закрыты при нулевом смещении.

Собираю стенд потихоньку. Интересно сравнить потери мощности с полевиками близкой ценовой категории.
Собираю ДШ на всю линейку. Заметил такую интересную особенность скажем, у КП954А. При низкой температуре, -45 сопротивление растёт - до 10 раз.

Автор:  НЕХ [ 19-12, 10:14 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Ross писал(а):
Пока не видел чтобы кто-то давал гарантии что эта штука не приключится.

А разве эмиттерная коммутация не панацея ?

Автор:  Ross [ 19-12, 10:55 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Был бы признателен за пояснение, почему панацея.

Автор:  НЕХ [ 19-12, 19:56 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

ftp://ftp.elet.polimi.it/users/Massimo. ... %20BJT.pdf
на сотой странице
"Squared RBSOA is guaranteed"

" The common base bias of the bipolar
transistor and the emitter switching technique
used in the ESBT® provides a high
ruggedness to this topology by avoiding any
risk of second breakdown. As a result the
ESBT® benefits of a fully squared safe
operating area."
http://www.digikey.com/Web%20Export/Sup ... directed=1

сравнение ключей (возможно, ангажированное)
http://www.tf.uni-kiel.de/etech/LEA/dl- ... _final.pdf

Автор:  valvol [ 20-12, 17:56 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

НЕХ писал(а):
Ross писал(а):
Не даёт мне покою этот драйвер...

А как будете решать самую главную проблему - вторичного теплового пробоя ?

На самом деле, если транзистор работает в области допустимых режимов (Safe Operating Area), вторичный тепловой пробой не страшен. Обеспечение этого условия не является проблемой в современных мягкокоммутируемых топологиях.
В свою очередь, эмиттерная коммутация биполярного транзистора не снимает необходимости формирования значительного отпирающего базового тока. Хотя, конечно, эмиттерная коммутация безусловно хороша хотя бы тем, что значительно сокращает задержку выключения биполярного транзистора.

Автор:  НЕХ [ 20-12, 18:25 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

А устройство и свойства БСИТ транзисторов (известных только в отечественной истории, имхо) близки к волшебным zetex, biss и иже с ними ?
http://www.diodes.com/_files/products_a ... x/an11.pdf
http://www.nxp.com/documents/applicatio ... N11045.pdf
http://libgen.org/scimag3/10.1109/T-ED.1986.22573.pdf

Автор:  Ross [ 20-12, 19:21 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Я только и читал о особом подходе к оценке ОБР для ключевого режима. И если в БП я когда-то убивал транзисторы то гораздо чаще полевые чем БСИТ. Первые в основном перегревом с последующей деградацией. А вторые - обратным выбросом напряжения. БСИТ при его сопротивлении перегреть трудно. Так, коммутатор зажигания на БСИТ ещё не имея каких-либо ограничений времени заряда катушки нормально работал без всяких радиаторов. Падение напряжения на транзисторе не превышало 0,2в.

Автор:  valvol [ 21-12, 02:33 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

НЕХ писал(а):
А устройство и свойства БСИТ транзисторов (известных только в отечественной истории, имхо) близки к волшебным zetex, biss и иже с ними ?
http://www.diodes.com/_files/products_a ... x/an11.pdf
http://www.nxp.com/documents/applicatio ... N11045.pdf
http://libgen.org/scimag3/10.1109/T-ED.1986.22573.pdf

По первым двум ссылкам рассматриваются улучшенные версии биполярных транзисторов (BJT). Последняя ссылка посвящена BSIT(Bipolar Static Induction Transistor), который собственно и является аналогом отечественных БСИТ. По сути БСИТ, это нормально закрытый JFET с усиленной структурой канала. Прозванивается БСИТ как обычный биполярный транзистор, но по сравнению с биполярным насыщенным транзистором практически не имеет задержки выключения. Кроме этого БСИТ имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии. Благодаря внешнему сходству, но лучшим характеристикам переключения, БСИТ даже называют улучшенным биполярным транзистором, хотя по сути он таким не является.
Попытался погуглить на предмет поиска современных производителей BSIT, но ни кого не нашел. Хотя помнится находил какого-то японского производителя, выпускавшего мощные высоковольтные кремниевые n-канальные BSIT.
В последнее время появилось несколько производителей выпускающих или проявляющих желание выпускать высоковольтные SiC JFET, как нормально закрытые, так и нормально открытые. Среди них был и SemiSouth. Возможно, эти транзисторы могли бы составить достойную конкуренцию IGBT и MOSFET-ам (первым по быстродействию, а вторым по цене).

Автор:  Ross [ 21-12, 11:43 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

На форуме завода от "Интеграла" были предложения по поводу выпуска БСИТ. Также встречал мощные СИТ-модули, но о их доступности информации нет. Есть только данные что они гораздо дешевле и проще в производстве igbt-модулей и не хуже по параметрам. На КП955 делали когда-то промышленный сварочный аппарат. Жаль что на уровне 30А развитие наших БСИТ-приборов затормозилось. Но касательно существующих типов, у меня есть свеженькие, 2000-х годов.

Страница 2 из 2 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/