Power Electronics
http://valvol.ru/

Ключи СИТ и ESBT
http://valvol.ru/topic281.html
Страница 1 из 2

Автор:  Burner [ 07-07, 10:54 ]
Заголовок сообщения:  Ключи СИТ и ESBT

Может, кто-нибудь видел или использовал мощные транзисторы СИТ(полевые со статической индукцией) или ESBT(Emitter-switched bipolar tramsistor), то есть БТ, переключаемые по эмиттеру. Интересует ток хотя бы 20 ампер и напряжение вольт 800. Экви время переключения 0,1-0,2 мкс. У PC50 - 0,12 мкс. Если кто использовал, интересно, что получилось.

Автор:  valvol [ 07-07, 12:30 ]
Заголовок сообщения: 

Burner писал(а):
Если кто использовал, интересно, что получилось.

http://valvol.flyboard.ru/viewtopic.php?p=512#512
После этого как-то не возникало необходимости и желания их использовать. Хотя очень может быть, что проблема была связана именно с КП940, а не со всеми БСИТ.
Так же стоит обратить внимание, что полевые они только в названии, а по управлению весьма напоминают биполярные, хоть и улучшенные.

Автор:  Burner [ 07-07, 13:06 ]
Заголовок сообщения: 

Я скорее обращу внимание на то, что больше 10 ампер они не дают. Параллелить их мне не улыбается, тем более, что они вроде как биполярного типа.

Автор:  Burner [ 14-07, 18:39 ]
Заголовок сообщения: 

Однако ESBT - ввещь неплохая. В оркаде я гонял BU508 с IRFZ34.

Проблемы две.
1) При запирании полевика через базу идет разрядный ток, равный коллекторному. База должна его выдержать. Быстрый БТ с базовым током в 40 А представить трудно, стало быть, придется параллелить, да еще с выравнивающими резисторами в базовой цепи. В эмиттерной - само собой.
2) Угадать с импульсом базового тока при включении сложно. Недодашь - напряжение на коллекторе 15-20 В, передашь - заряд рассасывается 1-2 мкс. Нужный начальный заряд зависит от тока, который должен дать коллектор, и может быть - от температуры. Ток узнаешь, когда транзистор уже открылся. Поздно. Похоже, базу нужно заряжать с запасом и мириться с растягиванием минимального импульса. Похоже, изначальный прототип на БТ именно для этого имел ограничение мин. длины импульса и ЧИМ.

Автор:  valvol [ 14-07, 21:25 ]
Заголовок сообщения: 

Burner писал(а):
Угадать с импульсом базового тока при включении сложно. Недодашь - напряжение на коллекторе 15-20 В, передашь - заряд рассасывается 1-2 мкс.

Управление биполярным переключательным транзистором. Журнал Радио №10 за 2005 год.
Использовал такой драйвер для управления мощным сборным биполярным транзистором в одной из версий ЭРСТ. Для зарядки аккумуляторов делал маломощный (300Вт) прямоход на КТ872А (тот же BU508). Возможно дело дошло бы и до сварочника, но вовремя появились IRG4PC50U.

Автор:  Burner [ 14-07, 23:12 ]
Заголовок сообщения: 

valvol
Спасибо, почитал. Однако меня вызвал подозрение малый начальный импульс тока базы транзистора. В Вашем регуляторе запускающий импульс получается из тока насыщения токового транса. ТТ намотан на К16х10х5,5 М1000 феррита. Общий ток насыщения у него ампер 10. Базовая обмотка имеет 10 витков, получается имп. запуска 1 А., а при Iн =15 А токовый транс дает 15/5=3 А. Получается, пока транзистор не открылся, его база заряжается пониженным током. Наверное, из-за этого получается фронт длиннее, чем при подаче на базу сразу 3 ампер? В том регуляторе низковольтный транзистор, у него база тонкая, а у высоковольтных она толще, заряды через нее проходят дольше. Картина там, наверно, хуже. Правильно? Если помните, какие у Вас получались характеристики переключения высоковольтных БТ? Особенно меня интересуют спад/нарастание тока и напряжения, а то Оркад для BU508 дает невероятные фронты - 20-80 нс. Может, еще кто занимался с БТ, поделитесь.

Автор:  valvol [ 15-07, 00:04 ]
Заголовок сообщения: 

Burner писал(а):
Получается, пока транзистор не открылся, его база заряжается пониженным током.

В те времена (96-97 год) у меня был осциллограф С1-76 и поэтому всё что меньше 1мкс выглядело вертикальной линией :)
Схема автогенераторная и в начальный момент транзистор работает на линейном участке, без насыщения. Поэтому частотные свойства предельные и скорость нарастания получается меньше 1мкс (что-то типа 100-200нсек) и в основном определяется частотными свойствами импульсного трансформатора. Время рассасывания около 1-2мкс. Спад тоже около 100-200нсек. Возможно с ростом тока коллектора скорости несколько поубавятся, но всё равно будут лучше указанных в справочнике.
Откуда взята модель BU508A? В Оркаде есть программка, которая позволяет делать модели из справочных данных. Как-то делал модель для BU508A и вроде как получалось достаточно убедительной.
Если не сложно, перепиши параметры модели BU508A и тогда можно попробовать помоделировать в LTSpice, а то с pspice уже давно не работаю.

Автор:  Burner [ 15-07, 00:34 ]
Заголовок сообщения: 

Во:
.model BU508A NPN(Is=148.5p Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=43.23 Ise=1.355n
+ Ne=1.413 Ikf=8.245 Nk=.8069 Xtb=1.75 Br=2.131 Isc=529.1p
+ Nc=1.567 Ikr=1.689 Rc=32.64m Cjc=303.6p Mjc=.3333 Vjc=.5 Fc=.5
+ Cje=910.8p Mje=.3333 Vje=.5 Tr=16.1u Tf=22.02n Itf=183.6
+ Xtf=18.91K Vtf=10)
* TELEFUNKEN pid=bu508 case=TOP3
* 91-08-14 dsq
*$
При токе более 3 А сильно падает усиление. При 5 А и усилении 2 напр. коллектора вольт 30. Пытался менять сопр. коллектора и токи насыщения - не помогло.

Автор:  valvol [ 15-07, 15:20 ]
Заголовок сообщения: 

Burner писал(а):
Во:
.model BU508A NPN

Так как тема ушла от СИТ и ESBT, то открываю новую тему - Драйверы биполярных транзисторов

Автор:  Ross [ 16-12, 20:22 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Тут не полностью раскрыта тема. Рассмотрели один тип и ага.
Я применял БСИТ в источниках питания и системах зажигания, на 5 лет назад это было (на высоких напряжениях) значительно экономичнее полевиков и igbt, не только по стоимости деталей но и даже по потерям мощности. Применял КП954, КП810 и КП953, КП972, КП971, КП973. По токам - 30 ампер не вопрос. По стоимости они были дешевле 20р. А полевики в наших краях на тот момент имели в десять раз большее сопротивление в открытом состоянии при втрое большей стоимости.
Одно печалит, как и с биполярными для БСИТ нужна значительная мощность цепи управления. Конкретно сейчас занят разработкой БП с применением БСИТ.
Кстати, около темы : у нас разработали в 2000-х и тиристор управляемый, по характеристикам превосходящий IGBT и более простой в производстве. Но никому это не нужно, чтоб в России что-то своё было, такое складывается ощущение.
У меня сейчас есть десятка полтора КП955, их пока не пробовал, и ДШ на них у меня нет но по сопротивлению они ещё получше 953-х.

Автор:  valvol [ 17-12, 14:19 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

Ross писал(а):
Тут не полностью раскрыта тема. Рассмотрели один тип и ага.
Я применял БСИТ в источниках питания и системах зажигания, на 5 лет назад это было (на высоких напряжениях) значительно экономичнее полевиков и igbt, не только по стоимости деталей но и даже по потерям мощности. Применял КП954, КП810 и КП953, КП972, КП971, КП973. По токам - 30 ампер не вопрос. По стоимости они были дешевле 20р. А полевики в наших краях на тот момент имели в десять раз большее сопротивление в открытом состоянии при втрое большей стоимости.
Одно печалит, как и с биполярными для БСИТ нужна значительная мощность цепи управления. Конкретно сейчас занят разработкой БП с применением БСИТ.
Кстати, около темы : у нас разработали в 2000-х и тиристор управляемый, по характеристикам превосходящий IGBT и более простой в производстве. Но никому это не нужно, чтоб в России что-то своё было, такое складывается ощущение.
У меня сейчас есть десятка полтора КП955, их пока не пробовал, и ДШ на них у меня нет но по сопротивлению они ещё получше 953-х.

Лично мне БСИТ-ы тоже интересны. Особенно высоковольтные SiC JFET.

Автор:  НЕХ [ 17-12, 16:02 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

valvol писал(а):
Лично мне БСИТ-ы тоже интересны. Особенно высоковольтные SiC JFET.

и это после краха SemiSouth ?

Автор:  valvol [ 17-12, 18:33 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

НЕХ писал(а):
и это после краха SemiSouth ?

Жаль конечно. Собственно это событие и заставило сделать однозначный выбор в сторону SiC MOSFET.
В принципе, сейчас Infineon выпускает пару подходящих транзисторов.

Автор:  НЕХ [ 17-12, 19:11 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

valvol писал(а):
НЕХ писал(а):
и это после краха SemiSouth ?

Жаль конечно. Собственно это событие и заставило сделать однозначный выбор в сторону SiC MOSFET.
В принципе, сейчас Infineon выпускает пару подходящих транзисторов.

Нам то нужно не в принципе, а в корпусе... :haha:
http://www.digikey.com/product-search/e ... ageSize=25
плюс Fairchild
http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9764.pdf
http://www.fairchildsemi.com/Assets/zSy ... nology.pdf

обзорчик
https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q ... 7247,d.bGE

В конце прошлого века на барахолке был широко представлен шестирублёвый мароканский BUH1215 с огромным кристаллом внутри - хорошо работал в ЭЛТ мониторах (после понижения базового тока для снижения степени насыщения, иначе - БАХ). Гонял его и с эмиттерной коммутацией - красота !

Автор:  valvol [ 18-12, 19:22 ]
Заголовок сообщения:  Re: Ключи СИТ и ESBT

JFET и BJT имеют хорошую перспективу в силовой электронике, но пока незаслуженно игнорируются большинством производителей.
В конце 90-х достаточно успешно применял биполярные транзисторы в мощных сварочных чопперах. Для управленя использовал драйвер с обратной связью по току.

Страница 1 из 2 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/