Power Electronics http://valvol.ru/ |
|
Ключи СИТ и ESBT http://valvol.ru/topic281.html |
Страница 1 из 2 |
Автор: | Burner [ 07-07, 10:54 ] |
Заголовок сообщения: | Ключи СИТ и ESBT |
Может, кто-нибудь видел или использовал мощные транзисторы СИТ(полевые со статической индукцией) или ESBT(Emitter-switched bipolar tramsistor), то есть БТ, переключаемые по эмиттеру. Интересует ток хотя бы 20 ампер и напряжение вольт 800. Экви время переключения 0,1-0,2 мкс. У PC50 - 0,12 мкс. Если кто использовал, интересно, что получилось. |
Автор: | valvol [ 07-07, 12:30 ] |
Заголовок сообщения: | |
Burner писал(а): Если кто использовал, интересно, что получилось.
http://valvol.flyboard.ru/viewtopic.php?p=512#512 После этого как-то не возникало необходимости и желания их использовать. Хотя очень может быть, что проблема была связана именно с КП940, а не со всеми БСИТ. Так же стоит обратить внимание, что полевые они только в названии, а по управлению весьма напоминают биполярные, хоть и улучшенные. |
Автор: | Burner [ 07-07, 13:06 ] |
Заголовок сообщения: | |
Я скорее обращу внимание на то, что больше 10 ампер они не дают. Параллелить их мне не улыбается, тем более, что они вроде как биполярного типа. |
Автор: | Burner [ 14-07, 18:39 ] |
Заголовок сообщения: | |
Однако ESBT - ввещь неплохая. В оркаде я гонял BU508 с IRFZ34. Проблемы две. 1) При запирании полевика через базу идет разрядный ток, равный коллекторному. База должна его выдержать. Быстрый БТ с базовым током в 40 А представить трудно, стало быть, придется параллелить, да еще с выравнивающими резисторами в базовой цепи. В эмиттерной - само собой. 2) Угадать с импульсом базового тока при включении сложно. Недодашь - напряжение на коллекторе 15-20 В, передашь - заряд рассасывается 1-2 мкс. Нужный начальный заряд зависит от тока, который должен дать коллектор, и может быть - от температуры. Ток узнаешь, когда транзистор уже открылся. Поздно. Похоже, базу нужно заряжать с запасом и мириться с растягиванием минимального импульса. Похоже, изначальный прототип на БТ именно для этого имел ограничение мин. длины импульса и ЧИМ. |
Автор: | valvol [ 14-07, 21:25 ] |
Заголовок сообщения: | |
Burner писал(а): Угадать с импульсом базового тока при включении сложно. Недодашь - напряжение на коллекторе 15-20 В, передашь - заряд рассасывается 1-2 мкс.
Управление биполярным переключательным транзистором. Журнал Радио №10 за 2005 год. Использовал такой драйвер для управления мощным сборным биполярным транзистором в одной из версий ЭРСТ. Для зарядки аккумуляторов делал маломощный (300Вт) прямоход на КТ872А (тот же BU508). Возможно дело дошло бы и до сварочника, но вовремя появились IRG4PC50U. |
Автор: | Burner [ 14-07, 23:12 ] |
Заголовок сообщения: | |
valvol Спасибо, почитал. Однако меня вызвал подозрение малый начальный импульс тока базы транзистора. В Вашем регуляторе запускающий импульс получается из тока насыщения токового транса. ТТ намотан на К16х10х5,5 М1000 феррита. Общий ток насыщения у него ампер 10. Базовая обмотка имеет 10 витков, получается имп. запуска 1 А., а при Iн =15 А токовый транс дает 15/5=3 А. Получается, пока транзистор не открылся, его база заряжается пониженным током. Наверное, из-за этого получается фронт длиннее, чем при подаче на базу сразу 3 ампер? В том регуляторе низковольтный транзистор, у него база тонкая, а у высоковольтных она толще, заряды через нее проходят дольше. Картина там, наверно, хуже. Правильно? Если помните, какие у Вас получались характеристики переключения высоковольтных БТ? Особенно меня интересуют спад/нарастание тока и напряжения, а то Оркад для BU508 дает невероятные фронты - 20-80 нс. Может, еще кто занимался с БТ, поделитесь. |
Автор: | valvol [ 15-07, 00:04 ] |
Заголовок сообщения: | |
Burner писал(а): Получается, пока транзистор не открылся, его база заряжается пониженным током.
В те времена (96-97 год) у меня был осциллограф С1-76 и поэтому всё что меньше 1мкс выглядело вертикальной линией Схема автогенераторная и в начальный момент транзистор работает на линейном участке, без насыщения. Поэтому частотные свойства предельные и скорость нарастания получается меньше 1мкс (что-то типа 100-200нсек) и в основном определяется частотными свойствами импульсного трансформатора. Время рассасывания около 1-2мкс. Спад тоже около 100-200нсек. Возможно с ростом тока коллектора скорости несколько поубавятся, но всё равно будут лучше указанных в справочнике. Откуда взята модель BU508A? В Оркаде есть программка, которая позволяет делать модели из справочных данных. Как-то делал модель для BU508A и вроде как получалось достаточно убедительной. Если не сложно, перепиши параметры модели BU508A и тогда можно попробовать помоделировать в LTSpice, а то с pspice уже давно не работаю. |
Автор: | Burner [ 15-07, 00:34 ] |
Заголовок сообщения: | |
Во: .model BU508A NPN(Is=148.5p Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=43.23 Ise=1.355n + Ne=1.413 Ikf=8.245 Nk=.8069 Xtb=1.75 Br=2.131 Isc=529.1p + Nc=1.567 Ikr=1.689 Rc=32.64m Cjc=303.6p Mjc=.3333 Vjc=.5 Fc=.5 + Cje=910.8p Mje=.3333 Vje=.5 Tr=16.1u Tf=22.02n Itf=183.6 + Xtf=18.91K Vtf=10) * TELEFUNKEN pid=bu508 case=TOP3 * 91-08-14 dsq *$ При токе более 3 А сильно падает усиление. При 5 А и усилении 2 напр. коллектора вольт 30. Пытался менять сопр. коллектора и токи насыщения - не помогло. |
Автор: | valvol [ 15-07, 15:20 ] |
Заголовок сообщения: | |
Burner писал(а): Во:
.model BU508A NPN Так как тема ушла от СИТ и ESBT, то открываю новую тему - Драйверы биполярных транзисторов |
Автор: | Ross [ 16-12, 20:22 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Ключи СИТ и ESBT |
Тут не полностью раскрыта тема. Рассмотрели один тип и ага. Я применял БСИТ в источниках питания и системах зажигания, на 5 лет назад это было (на высоких напряжениях) значительно экономичнее полевиков и igbt, не только по стоимости деталей но и даже по потерям мощности. Применял КП954, КП810 и КП953, КП972, КП971, КП973. По токам - 30 ампер не вопрос. По стоимости они были дешевле 20р. А полевики в наших краях на тот момент имели в десять раз большее сопротивление в открытом состоянии при втрое большей стоимости. Одно печалит, как и с биполярными для БСИТ нужна значительная мощность цепи управления. Конкретно сейчас занят разработкой БП с применением БСИТ. Кстати, около темы : у нас разработали в 2000-х и тиристор управляемый, по характеристикам превосходящий IGBT и более простой в производстве. Но никому это не нужно, чтоб в России что-то своё было, такое складывается ощущение. У меня сейчас есть десятка полтора КП955, их пока не пробовал, и ДШ на них у меня нет но по сопротивлению они ещё получше 953-х. |
Автор: | valvol [ 17-12, 14:19 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Ключи СИТ и ESBT |
Ross писал(а): Тут не полностью раскрыта тема. Рассмотрели один тип и ага. Я применял БСИТ в источниках питания и системах зажигания, на 5 лет назад это было (на высоких напряжениях) значительно экономичнее полевиков и igbt, не только по стоимости деталей но и даже по потерям мощности. Применял КП954, КП810 и КП953, КП972, КП971, КП973. По токам - 30 ампер не вопрос. По стоимости они были дешевле 20р. А полевики в наших краях на тот момент имели в десять раз большее сопротивление в открытом состоянии при втрое большей стоимости. Одно печалит, как и с биполярными для БСИТ нужна значительная мощность цепи управления. Конкретно сейчас занят разработкой БП с применением БСИТ. Кстати, около темы : у нас разработали в 2000-х и тиристор управляемый, по характеристикам превосходящий IGBT и более простой в производстве. Но никому это не нужно, чтоб в России что-то своё было, такое складывается ощущение. У меня сейчас есть десятка полтора КП955, их пока не пробовал, и ДШ на них у меня нет но по сопротивлению они ещё получше 953-х. Лично мне БСИТ-ы тоже интересны. Особенно высоковольтные SiC JFET. |
Автор: | НЕХ [ 17-12, 16:02 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Ключи СИТ и ESBT |
valvol писал(а): Лично мне БСИТ-ы тоже интересны. Особенно высоковольтные SiC JFET. и это после краха SemiSouth ? |
Автор: | valvol [ 17-12, 18:33 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Ключи СИТ и ESBT |
НЕХ писал(а): и это после краха SemiSouth ? Жаль конечно. Собственно это событие и заставило сделать однозначный выбор в сторону SiC MOSFET. В принципе, сейчас Infineon выпускает пару подходящих транзисторов. |
Автор: | НЕХ [ 17-12, 19:11 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Ключи СИТ и ESBT |
valvol писал(а): НЕХ писал(а): и это после краха SemiSouth ? Жаль конечно. Собственно это событие и заставило сделать однозначный выбор в сторону SiC MOSFET. В принципе, сейчас Infineon выпускает пару подходящих транзисторов. Нам то нужно не в принципе, а в корпусе... http://www.digikey.com/product-search/e ... ageSize=25 плюс Fairchild http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9764.pdf http://www.fairchildsemi.com/Assets/zSy ... nology.pdf обзорчик https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q ... 7247,d.bGE В конце прошлого века на барахолке был широко представлен шестирублёвый мароканский BUH1215 с огромным кристаллом внутри - хорошо работал в ЭЛТ мониторах (после понижения базового тока для снижения степени насыщения, иначе - БАХ). Гонял его и с эмиттерной коммутацией - красота ! |
Автор: | valvol [ 18-12, 19:22 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Ключи СИТ и ESBT |
JFET и BJT имеют хорошую перспективу в силовой электронике, но пока незаслуженно игнорируются большинством производителей. В конце 90-х достаточно успешно применял биполярные транзисторы в мощных сварочных чопперах. Для управленя использовал драйвер с обратной связью по току. |
Страница 1 из 2 | Часовой пояс: UTC + 4 часа |
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group http://www.phpbb.com/ |