Power Electronics

Так Бармалей их и получал, даже 165 А. Думаю, получали многие. Другое дело, что для IRG4PC50W это токи на пределе допустимых, и при недостаточном охлаждении им быстро приходит пипец.

_________________
Я всё умею делать сам,
И я не верю чудесам!
Сам! Сам! Сам!
(песенка Самоделкина) (с)

Разогнал RytmArc, в дуге отдает 175А, на балласте не гонял, но в работе еще не отключался.
Регенеративный снаббер по 15нан. Сейчас транс с избыточно длинной первичкой 18 витков. Перемотаю на 15 витков и больше сниму.

_________________
Время - лучший эксперт. ОНО может блестеть так же, но золото дольше.

в лентяе, судя по осцилкам, с твоего монстрика можно снять.... много ну очень много. Видимо городушку ляпал под свою хреновую дачную сетку в дополнении с девичьей бОязню - а вдруг залечу А регенерат в сравнении с простым RCD - чудо

_________________
Есть только миг между прошлым и будущим, именно он называется ЖИЗНЬ ©

Вовсе нет. Тогда еще считал не особо вдаваясь - 300В, Кз=0,5, округление в большую сторону и т.д. Запасу набежало...

_________________
Время - лучший эксперт. ОНО может блестеть так же, но золото дольше.

[quote= samodel] Так Бармалей их и получал, даже 165 А [/quote]
Вы имеете в виду, именно на IRG4PC50W без запараллеливания?

Без. Правда у него были IRG4PC50U, но принципиальной разницы не вижу.

при расчете статических потерь полупроводников правильно брать среднеквадратичное значение тока, или среднее?
интересно что для расчета мощности при синусоидальном токе берут эффективное значение, а при прямоугольном - среднее...

В зависимости от поведения конкретного полупроводника (ПП). Для полевичков, при любой форме тока, можно использовать среднеквадратичное значение тока, умноженное на Ron в квадрате. Для диодов, биполярных и IGBT транзисторов, при прямоугольной форме тока, можно использовать среднее значение, умноженное на напряжение на открытом ПП (Von). Для сложной формы тока потери можно определить по формуле:
P=Iср*Von.0+Iд^2*Rдин,
где Von.0 - напряжение на открытом ПП при нулевом токе;
Rдин - динамическое сопротивление открытого ПП;
Iср - среднее значение тока;
Iд - действующее (среднеквадратичное) значение тока.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Всех участников темы поздравляю с Новым годом! Всем желаю здоровья, а остальное приложится.
Раз тема о надёжной и безопасной работе IGBT, хочу спросить следующее. Существуют ли методики проверки параметров IGBT транзисторов (я имею в виду не заводские, а доступные простому пользователю). В частности, меня интересует возможность тестирование как БУ, так и новых изделий на максимально допустимый ток. Цель тестирования - для БУ транзисторов, определить состояние оставшихся в живых структур на кристале, а следовательно, - остаточный ресурс транзистора. Для новых, купленных по дешёвке от неизвестного производителя, определить их истинные мощностные, и частотные параметры.

Максимально допустимый ток определяется рассеиваемой мощностью, максимальной температурой кристалла и тепловым сопротивлением. Для проверки, можно грузить транзисторы короткими импульсами тока, смотреть падение напряжения в открытом состоянии и сравнивать его с паспортным. Для проверки частотных характеристик в даташитах есть соответствующие схемы. Все проверки проводятся в импульсном режиме и поэтому не требуют мощного источника питания.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

Для нормальных транзисторов, этот метод приемлем, а как быть с изделиями малоизвестных фирм, или вообще - no name, ведь в их общей массе, наряду с откровенным г-ном, могут попадаться и хорошие экземпляры.
Я хочу сделать портативный тестер, с помощью которого, я мог бы прямо у прилавка продавца радиодеталей, выбрать транзисторы с необходимыми мне параметрами, и не попасть с покупкой откровенных подделок.
Предполагается соорудить устройство, работающее от стандартных батареек АА, и имеющее в своём составе генератор прямоугольных импульсов, с фиксированными частотами, скажем, на 30, 70 и 100 кГц, с драйвером для IGBT на выходе; источник постоянного напряжения вольт на 25, и ток ампер на 5-10; образцовую нагрузку (она же датчик тока), и измеритель тока с диодной линейкой и памятью, для фиксации тока нагрузки при одиночных импульсах.
Также, не мешало бы иметь в составе прибора таймер, для установки времени теста.
Свойства транзистора предполагается определять по току через него, и по степени его нагрева за время теста.
Так же, хотелось бы иметь в тестере регулятор напряжения импульса на выходе драйвера, с тем, чтобы отбирать транзисторы по минимальному напряжению в его затворе, при котором он переходит в линейный режим.
Прошу знатоков форума высказать своё мнение по прибору. В том, что такой прибор остро необходим ремонтнику, при нынешнем состоянии рынка силовых транзисторов, не вызывает никаких сомнений.

dersp
Программированием МК владеете? устройство не банальное будет. Согласен с valvol, что в первом приближении достаточно померить скорость и прямое падение. Можно добавить проверку на макс постоянку.
Амплитуду импульса тока, как альтернатива МК, можно мерить пиковым детектором (есть описание в Хоровице).


это лишне.

ну батарейками греть транзистор - не дело. Это понадобится как минимум акк 12В 4Ач. Это тоже лишне.

Для тестирования транзистора достаточно одиночного импульса. При этом фиксируется напряжение в открытом состоянии. Частотные свойства можно оценивать, изменяя длительности импульса. Для измерения максимального напряжения можно коммутировать индуктивную нагрузку и фиксировать напряжение на запертом транзисторе при помощи трансила.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

вот вам простейшая схема :
1 микроамперметр
2 батарейка
3 преобразователь с 9в на 600в
Замыкаем управление и измеряем ток утечки ,фиговый из партии нормальных точно будет найден.

Не хотелось бы усложнять тестер микроконтроллером, так как предполагается, что его пользователями будут не только продвинутые в области импульсной техники профессионалы, но и простые сельские радиолюбители. А вот падение напряжения на открытом транзисторе мы и планируем снимать пиковым детектором. нагруженным стандартной линейкой светодиодов, элементов на десять. EvgeniS, в своём посте Вы ссылаетесь на описание такого устройства в "Хоровице" - это где, можно подробнее?
Согласен, также, что в мощном источнике тока здесь нет необходимости, что и подтвердили проведённые нами сегодня тесты.
Тестировались транзисторы HGTH30N60A4, фирмы Файрчилд, и "левый", с таким же названием, но NO Name. Внешние отличия этих транзисторов - на прикреплённом фото. Думаю, объяснять, какой из них действительно фирменный, нет необходимости. Также, испытаниям подверглись и несколько MOSFET-ов, разных наименований. На затворы транзисторов, от образцового генератора подавались импульсы размахом в 20V, с частотой 100кГц и скважностью - 50/50. На стоки, вначале через лампу 220V, 1000W, а затем через резистор в 1кОм, подавалось постоянное напряжение от сетевого выпрямителя. Исток - на земле. Пари этом, падение напряжения на фирменном транзисторе составило - 1,56V, а на "левом" - аж 3,2V, причём это напряжение мало зависило от вида нагрузки в стоке. На мосфетах, напряжение сток-исток составило от 0,05, до 0,1V.
Не согласен с высказыванием EvgeniS о том, что тест на минимально допустимое напряжение импульсов на затворе транзисторов, будет лишним. При уменьшении амплитуды импульса на затворе "левого" транзистора, он перешёл в линейный режим уже при 12 вольтах, в то время, как фирменный устойчиво работал в ключевом режиме вплоть до 7,5V.
Думаю, результаты проведённого теста, ни у кого не оставят сомнения в необходимости такого тестера.
Удивляет только одно, проблемы с силовыми элементами для инверторных преобразователей на нашем рынке, обсуждаются на подобных нашему форумах, как минимум с 2005 года, но ни разу, нигде не поднимался вопрос, подобный поднятому мною сейчас. Все вопросы, задаваемые на форумах, сводятся лишь к методике проверки целостности самих транзисторов, и ни слова о проверке их свойств.