Power Electronics
http://valvol.ru/

Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля
http://valvol.ru/topic392.html		 Страница 8 из 10
Автор:  samodel [ 05-05, 18:08 ]
Заголовок сообщения: 
Burner писал(а):
Кто получал 150 ампер сварочного тока на 2-х IRG4PC50W

Так Бармалей их и получал, даже 165 А. Думаю, получали многие. Другое дело, что для IRG4PC50W это токи на пределе допустимых, и при недостаточном охлаждении им быстро приходит пипец.
Автор:  Трибун [ 07-05, 00:51 ]
Заголовок сообщения: 
Burner писал(а):
Интересуют именно случаи по 1 шт. в плече, без запараллеливания транзисторов.
Разогнал RytmArc, в дуге отдает 175А, на балласте не гонял, но в работе еще не отключался.
Регенеративный снаббер по 15нан. Сейчас транс с избыточно длинной первичкой 18 витков. Перемотаю на 15 витков и больше сниму.
Автор:  Maikl [ 07-05, 04:34 ]
Заголовок сообщения: 
Трибун писал(а):
Перемотаю на 15 витков и больше сниму.
в лентяе, судя по осцилкам, с твоего монстрика можно снять.... много ну очень много. Видимо городушку ляпал под свою хреновую дачную сетку в дополнении с девичьей бОязню - а вдруг залечу :prankster: А регенерат в сравнении с простым RCD - чудо :good:
Автор:  Трибун [ 07-05, 12:01 ]
Заголовок сообщения: 
Maikl писал(а):
Видимо городушку ляпал под свою хреновую дачную сетку в дополнении с девичьей бОязню
Вовсе нет. Тогда еще считал не особо вдаваясь - 300В, Кз=0,5, округление в большую сторону и т.д. Запасу набежало...
Автор:  Burner [ 12-05, 14:31 ]
Заголовок сообщения: 
[quote= samodel] Так Бармалей их и получал, даже 165 А [/quote]
Вы имеете в виду, именно на IRG4PC50W без запараллеливания?
Автор:  samodel [ 12-05, 15:57 ]
Заголовок сообщения: 
Burner писал(а):
Вы имеете в виду, именно на IRG4PC50W без запараллеливания?

Без. Правда у него были IRG4PC50U, но принципиальной разницы не вижу.
Автор:  Wiew [ 11-12, 00:39 ]
Заголовок сообщения: 
при расчете статических потерь полупроводников правильно брать среднеквадратичное значение тока, или среднее?
интересно что для расчета мощности при синусоидальном токе берут эффективное значение, а при прямоугольном - среднее... :live-14:
Автор:  valvol [ 11-12, 01:26 ]
Заголовок сообщения: 
В зависимости от поведения конкретного полупроводника (ПП). Для полевичков, при любой форме тока, можно использовать среднеквадратичное значение тока, умноженное на Ron в квадрате. Для диодов, биполярных и IGBT транзисторов, при прямоугольной форме тока, можно использовать среднее значение, умноженное на напряжение на открытом ПП (Von). Для сложной формы тока потери можно определить по формуле:
P=Iср*Von.0+Iд^2*Rдин,
где Von.0 - напряжение на открытом ПП при нулевом токе;
Rдин - динамическое сопротивление открытого ПП;
Iср - среднее значение тока;
Iд - действующее (среднеквадратичное) значение тока.
Автор:  dersp [ 10-01, 03:53 ]
Заголовок сообщения: 
Всех участников темы поздравляю с Новым годом! Всем желаю здоровья, а остальное приложится.
Раз тема о надёжной и безопасной работе IGBT, хочу спросить следующее. Существуют ли методики проверки параметров IGBT транзисторов (я имею в виду не заводские, а доступные простому пользователю). В частности, меня интересует возможность тестирование как БУ, так и новых изделий на максимально допустимый ток. Цель тестирования - для БУ транзисторов, определить состояние оставшихся в живых структур на кристале, а следовательно, - остаточный ресурс транзистора. Для новых, купленных по дешёвке от неизвестного производителя, определить их истинные мощностные, и частотные параметры.
Автор:  valvol [ 10-01, 09:33 ]
Заголовок сообщения: 
dersp писал(а):
В частности, меня интересует возможность тестирование как БУ, так и новых изделий на максимально допустимый ток.

Максимально допустимый ток определяется рассеиваемой мощностью, максимальной температурой кристалла и тепловым сопротивлением. Для проверки, можно грузить транзисторы короткими импульсами тока, смотреть падение напряжения в открытом состоянии и сравнивать его с паспортным. Для проверки частотных характеристик в даташитах есть соответствующие схемы. Все проверки проводятся в импульсном режиме и поэтому не требуют мощного источника питания.
Автор:  dersp [ 16-01, 04:11 ]
Заголовок сообщения: 
valvol писал(а):
Для проверки, можно грузить транзисторы короткими импульсами тока, смотреть падение напряжения в открытом состоянии и сравнивать его с паспортным.

Для нормальных транзисторов, этот метод приемлем, а как быть с изделиями малоизвестных фирм, или вообще - no name, ведь в их общей массе, наряду с откровенным г-ном, могут попадаться и хорошие экземпляры.
Я хочу сделать портативный тестер, с помощью которого, я мог бы прямо у прилавка продавца радиодеталей, выбрать транзисторы с необходимыми мне параметрами, и не попасть с покупкой откровенных подделок.
Предполагается соорудить устройство, работающее от стандартных батареек АА, и имеющее в своём составе генератор прямоугольных импульсов, с фиксированными частотами, скажем, на 30, 70 и 100 кГц, с драйвером для IGBT на выходе; источник постоянного напряжения вольт на 25, и ток ампер на 5-10; образцовую нагрузку (она же датчик тока), и измеритель тока с диодной линейкой и памятью, для фиксации тока нагрузки при одиночных импульсах.
Также, не мешало бы иметь в составе прибора таймер, для установки времени теста.
Свойства транзистора предполагается определять по току через него, и по степени его нагрева за время теста.
Так же, хотелось бы иметь в тестере регулятор напряжения импульса на выходе драйвера, с тем, чтобы отбирать транзисторы по минимальному напряжению в его затворе, при котором он переходит в линейный режим.
Прошу знатоков форума высказать своё мнение по прибору. В том, что такой прибор остро необходим ремонтнику, при нынешнем состоянии рынка силовых транзисторов, не вызывает никаких сомнений.
Автор:  EvgeniS [ 16-01, 11:19 ]
Заголовок сообщения: 
dersp
Программированием МК владеете? устройство не банальное будет. Согласен с valvol, что в первом приближении достаточно померить скорость и прямое падение. Можно добавить проверку на макс постоянку.
Амплитуду импульса тока, как альтернатива МК, можно мерить пиковым детектором (есть описание в Хоровице).

dersp писал(а):
Так же, хотелось бы иметь в тестере регулятор напряжения импульса на выходе драйвера, с тем, чтобы отбирать транзисторы по минимальному напряжению в его затворе, при котором он переходит в линейный режим.

это лишне.
dersp писал(а):
Свойства транзистора предполагается определять по .... и по степени его нагрева за время теста.

ну батарейками греть транзистор - не дело. Это понадобится как минимум акк 12В 4Ач. Это тоже лишне.
Автор:  valvol [ 16-01, 13:02 ]
Заголовок сообщения: 
dersp писал(а):
с фиксированными частотами, скажем, на 30, 70 и 100 кГц

Для тестирования транзистора достаточно одиночного импульса. При этом фиксируется напряжение в открытом состоянии. Частотные свойства можно оценивать, изменяя длительности импульса. Для измерения максимального напряжения можно коммутировать индуктивную нагрузку и фиксировать напряжение на запертом транзисторе при помощи трансила.
Автор:  sser [ 17-01, 00:59 ]
Заголовок сообщения: 
dersp писал(а):
В том, что такой прибор остро необходим ремонтнику, при нынешнем состоянии рынка силовых транзисторов, не вызывает никаких сомнений.

вот вам простейшая схема :
1 микроамперметр
2 батарейка
3 преобразователь с 9в на 600в
Замыкаем управление и измеряем ток утечки ,фиговый из партии нормальных точно будет найден. ;)
Автор:  dersp [ 17-01, 01:29 ]
Заголовок сообщения: 
Не хотелось бы усложнять тестер микроконтроллером, так как предполагается, что его пользователями будут не только продвинутые в области импульсной техники профессионалы, но и простые сельские радиолюбители. А вот падение напряжения на открытом транзисторе мы и планируем снимать пиковым детектором. нагруженным стандартной линейкой светодиодов, элементов на десять. EvgeniS, в своём посте Вы ссылаетесь на описание такого устройства в "Хоровице" - это где, можно подробнее?
Согласен, также, что в мощном источнике тока здесь нет необходимости, что и подтвердили проведённые нами сегодня тесты.
Тестировались транзисторы HGTH30N60A4, фирмы Файрчилд, и "левый", с таким же названием, но NO Name. Внешние отличия этих транзисторов - на прикреплённом фото. Думаю, объяснять, какой из них действительно фирменный, нет необходимости. Также, испытаниям подверглись и несколько MOSFET-ов, разных наименований. На затворы транзисторов, от образцового генератора подавались импульсы размахом в 20V, с частотой 100кГц и скважностью - 50/50. На стоки, вначале через лампу 220V, 1000W, а затем через резистор в 1кОм, подавалось постоянное напряжение от сетевого выпрямителя. Исток - на земле. Пари этом, падение напряжения на фирменном транзисторе составило - 1,56V, а на "левом" - аж 3,2V, причём это напряжение мало зависило от вида нагрузки в стоке. На мосфетах, напряжение сток-исток составило от 0,05, до 0,1V.
Не согласен с высказыванием EvgeniS о том, что тест на минимально допустимое напряжение импульсов на затворе транзисторов, будет лишним. При уменьшении амплитуды импульса на затворе "левого" транзистора, он перешёл в линейный режим уже при 12 вольтах, в то время, как фирменный устойчиво работал в ключевом режиме вплоть до 7,5V.
Думаю, результаты проведённого теста, ни у кого не оставят сомнения в необходимости такого тестера.
Удивляет только одно, проблемы с силовыми элементами для инверторных преобразователей на нашем рынке, обсуждаются на подобных нашему форумах, как минимум с 2005 года, но ни разу, нигде не поднимался вопрос, подобный поднятому мною сейчас. Все вопросы, задаваемые на форумах, сводятся лишь к методике проверки целостности самих транзисторов, и ни слова о проверке их свойств.
Изображение
Страница 8 из 10 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/