Power Electronics http://valvol.ru/ |
|
Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля http://valvol.ru/topic392.html |
Страница 10 из 10 |
Автор: | Burner [ 22-04, 00:51 ] |
Заголовок сообщения: | |
Зачем? 1) Дешевые все-таки 2) Как я понял, термостабильная точка у WARP от IR(и не только), - при сильно большем токе, чем у PT IGBT. Мне их параллелить спокойнее. 3) Таки падение напряжение у PT IGBT примерно на 1 В ниже, чем у быстрых NPT, а у WARP немногим менее. И потери переключения не так быстро растут с температурой. Но это так.. Если серьезно, то эти PT IGBT не имеют радикального преимущества перед NPT. |
Автор: | Dizel1 [ 07-09, 16:48 ] |
Заголовок сообщения: | |
В общем предистория.. испытывал чеппер... на входе 150 вольт на выходе 40 ампер , нагрузка --резистор 2,2 Ома.. силовой ключ 4 *IRGP50B60PD1(схема с чередованием , двутактная, с общим дросселем и общим диодом примерно как сдесь http://valvol.ru/topic1681.html 2 группы транзисторов по 2 транзистора в параллель ) радиатор около 2000 кв мм .. транзисторы на слюде (отдельно прикрученый транзистор при вдувании в него 36 ват имеет температуру фланца на 25 градусов больше чем т радиатора ) частота 28 - 30 кгц по всем самым даже грубым прикидкам это железо должно быть живое.. но в гости пришел шизздец.. добавил тока до 45 ампер - начала срабатывать потактовая защита и пумкнули транзисторы.. есно перенапряжения отсутствуют.. на затворе фронт о,8 мкс срез около 0,4 мкс.. ------------------------ после всех тщательных проверок подозрение упало на силовые транзисторы .. наверное отбраковка .. промерил падение напряжения на всех транзисторах с оставшейся партии (откуда и те ключи шо погорели) с партией с другого поставщика и своими старыми запасами - на всех примерно 1,3-1,34 вольта при токе 10 ампер.. входная емкость "подозрительных транзисторов " - чуть более низкая чем у всех остальных - 6,73 нФ (у остальных транзисторов - 7,02 нФ и 6,8 нФ) но самое удивительное дело с выходной емкостью (КЭ) - она у подозрительной партии (4 ключа ) имеет огромный разброс от 2,8 нФ до 5,1 нФ !!!! у "контрольной партии" -(5 ключей) - разброс поменьше от 2,8 нФ , 4 нФ, 3,7нФ 3,8нФ 3,6нФ совсем малый разброс у партии транзисторов из старых запасов - 3,2 н 3,1 н , 2,9 нан 2,97 нан 2,3 нан мерилось прибором Е7-22, есно немного не так как в даташиите а просто на выводах ключа.. другой прибор показал теже самые цифры.. есно при измерении вых емкости затвор коротил на коллектор чтоб статика не открывала транзистор и не искажала показания СОБСТВЕННО ВОПРОС -- ЯВЛЯЕТСЯ ЛИ РАЗБРОС ЕМКОСТЕЙ ПОКАЗАТЕЛЕМ ТОГО ЧТО ТРАНЗИСТОРЫ "ЛЕВЫЕ"?? чисто логически все указывает именно на это... такое ощущение что это просто отбраковка с завода не прошедшая выходной контроль БОЛЬШАЯ ПРОСЬБА у кого есть партия заведомо нормальных ИЖБТ ключей и прибор проверить разброс выходных емкостей ... думаю инфа эта будет многим полезна |
Автор: | НЕХ [ 09-09, 11:33 ] |
Заголовок сообщения: | |
Замерил ёмкости на 100кГц приборчиком MS5308. 50b60pd1 Cin=Cge+Cgc=7,1nF Rg=1,5 Ohm(внутреннее) (коллектор соединен с эмиттером) Cout=Cce+Cgc=5nF (затвор соединён с эмиттером) PC50UD Cin= 7,4nF Rg=0,8 Ohm Cout= 8,2nF для улыбки - http://www.pro-radio.ru/power/11976/ я как-то попался...http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=87018 руки, бывает, тоже подводят... |
Автор: | Dizel1 [ 09-09, 18:11 ] |
Заголовок сообщения: | |
НЕХ - а разброс по партии присутствует? проверю UD - есть старые - посмотрю как и что если эта емкость показывает площадь кристалла- то с транзисторами дело швах и еще с какой разумной скоростью надо вкл выключать такие ижбт транзисторы с жесткой коммутацией? по модели- 15 ом на вкл и 4,7 на выкл - оптимум по дин мощности... на практике 0,8 мкС и 0,4мкС -наверно многовато.. ускорил в 2 раза... НЕХ писал(а): для улыбки - мда
и вообще, НЕХ большое спасибо!!!!!!!!!! |
Автор: | EvgeniS [ 11-09, 14:12 ] |
Заголовок сообщения: | |
Dizel1 есть 6 шт HGTG12N60A4D из двух партий (3+3) емкости E-C при кз G-E такие: 2н55 2н59 2н64 2н27 2н27 2н24 |
Автор: | valvol [ 22-11, 13:45 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля |
В связи с чем производились замеры? К сожалению, мне не приходилось работать с такими мощными модулями. Пока достигнутый предел SKM200GB128D и аналогичные. Всегда обходился без Ferrite bead. Хотя, опыт их использования был бы интересен. Однако картина в отсутствии коллекторного напряжения и тока далека от реальной. Хотелось бы видеть, что там делается под нагрузкой. |
Автор: | Gostya [ 22-11, 13:56 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля |
Как зачем?) надо зауправлять)) ну напряжение из розетки взять могу, а с током сложней) если не сложно покажите осцилограммы на затворе без питания и с питанием под нагрузкой. |
Автор: | valvol [ 22-11, 14:20 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля |
Gostya писал(а): Как зачем?) надо зауправлять)) Понятно. Gostya писал(а): ...ну напряжение из розетки взять могу, а с током сложней)... Имелось в виду снятие осциллограмм в реально работающем устройстве. Картинка будет зависеть от режима коммутации (жесткая или мягкая), скорости нарастания/спада тока, а также от конфигурации силовых цепей и цепей управления. Gostya писал(а): ...если не сложно покажите осцилограммы на затворе без питания и с питанием под нагрузкой. Завтра поищу что-то подходящее. |
Автор: | Gostya [ 22-11, 15:29 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля |
Устройство-инвертор электродвигателя, а он еще не готов. Поэтому хотелось в первом приближении сделать управление на модули и обкатать "на лампочках" для начала...вижу,что с резистором в затворе дребезг идет, хотя длина до "управления" короче физически не сделать))т.е. Транзисторы припаяны к шинам которые сразу под винт модуля идут)) где на затвор,там две параллельные шины под резисторы, на одну из них сразу с транзистора управления идет, вторая сразу под винт модуля. т.е. Вся плата управления располагается на самом модуле IGBT и компактней там физически некуда... Вот у вас в даташите 7Ом заявлены резисторы при снятии характеристик, какие реально поставили на on и на off? +15/-7в затвор дергаете или 15/-15? |
Автор: | valvol [ 23-11, 11:50 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля |
valvol писал(а): Завтра поищу что-то подходящее. К сожалению, материалов оказалось не много. Осциллограммы IGW25N120H3 в прямоходе. Фронт управляющего напряжения на затворе. Напряжение на затворе (желтый 1/1) и коллекторе (розовый 1/100). Видно, что недостаточно хорошо настроен снаббер (крутой участок нарастания коллекторного напряжения в самом начале) А это форма затворного напряжения для SiC MOSFET APT40SM120B. Фронт Срез В данном случае транзисторы используются в прямоходе и затворное напряжение не имеет отрицательного смещения. Однако, в мостовых схемах такое смещение крайне желательно, т.к. предотвращает самопроизвольное открытие транзистора при резком нарастании напряжения коллектора. Обычно смещение задаётся от -5В и ниже. |
Автор: | Gostya [ 23-11, 15:19 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля |
Пару фоток не видно(( карбид кремневые модули надеюсь вскоре получить на руки...на работе задолжали немного, и в счет долга заказал 3 модуля cree... |
Страница 10 из 10 | Часовой пояс: UTC + 4 часа |
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group http://www.phpbb.com/ |