Power Electronics
http://valvol.ru/

Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля
http://valvol.ru/topic392.html
Страница 10 из 10

Автор:  Burner [ 22-04, 00:51 ]
Заголовок сообщения: 

Зачем?
1) Дешевые все-таки
2) Как я понял, термостабильная точка у WARP от IR(и не только), - при сильно большем токе, чем у PT IGBT. Мне их параллелить спокойнее.
3) Таки падение напряжение у PT IGBT примерно на 1 В ниже, чем у быстрых NPT, а у WARP немногим менее. И потери переключения не так быстро растут с температурой. Но это так..
Если серьезно, то эти PT IGBT не имеют радикального преимущества перед NPT.

Автор:  Dizel1 [ 07-09, 16:48 ]
Заголовок сообщения: 

В общем предистория..
испытывал чеппер... на входе 150 вольт на выходе 40 ампер , нагрузка --резистор 2,2 Ома.. силовой ключ 4 *IRGP50B60PD1(схема с чередованием , двутактная, с общим дросселем и общим диодом примерно как сдесь http://valvol.ru/topic1681.html 2 группы транзисторов по 2 транзистора в параллель )
радиатор около 2000 кв мм .. транзисторы на слюде (отдельно прикрученый транзистор при вдувании в него 36 ват имеет температуру фланца на 25 градусов больше чем т радиатора ) частота 28 - 30 кгц
по всем самым даже грубым прикидкам это железо должно быть живое..
но в гости пришел шизздец.. :)
добавил тока до 45 ампер - начала срабатывать потактовая защита и пумкнули транзисторы..
есно перенапряжения отсутствуют.. на затворе фронт о,8 мкс срез около 0,4 мкс..
------------------------
после всех тщательных проверок подозрение упало на силовые транзисторы ..
наверное отбраковка ..
промерил падение напряжения на всех транзисторах с оставшейся партии (откуда и те ключи шо погорели) с партией с другого поставщика и своими старыми запасами - на всех примерно 1,3-1,34 вольта при токе 10 ампер..
входная емкость "подозрительных транзисторов " - чуть более низкая чем у всех остальных - 6,73 нФ (у остальных транзисторов - 7,02 нФ и 6,8 нФ)
но самое удивительное дело с выходной емкостью (КЭ) - она у подозрительной партии (4 ключа ) имеет огромный разброс от 2,8 нФ до 5,1 нФ !!!!

у "контрольной партии" -(5 ключей) - разброс поменьше
от 2,8 нФ , 4 нФ, 3,7нФ 3,8нФ 3,6нФ
совсем малый разброс у партии транзисторов из старых запасов
- 3,2 н 3,1 н , 2,9 нан 2,97 нан 2,3 нан
мерилось прибором Е7-22, есно немного не так как в даташиите а просто на выводах ключа..
другой прибор показал теже самые цифры..
есно при измерении вых емкости затвор коротил на коллектор чтоб статика не открывала транзистор и не искажала показания
СОБСТВЕННО ВОПРОС -- ЯВЛЯЕТСЯ ЛИ РАЗБРОС ЕМКОСТЕЙ ПОКАЗАТЕЛЕМ ТОГО ЧТО ТРАНЗИСТОРЫ "ЛЕВЫЕ"??
чисто логически все указывает именно на это... такое ощущение что это просто отбраковка с завода не прошедшая выходной контроль
БОЛЬШАЯ ПРОСЬБА у кого есть партия заведомо нормальных ИЖБТ ключей и прибор проверить разброс выходных емкостей ...
думаю инфа эта будет многим полезна

Автор:  НЕХ [ 09-09, 11:33 ]
Заголовок сообщения: 

Замерил ёмкости на 100кГц приборчиком MS5308.
50b60pd1
Cin=Cge+Cgc=7,1nF Rg=1,5 Ohm(внутреннее) (коллектор соединен с эмиттером)
Cout=Cce+Cgc=5nF (затвор соединён с эмиттером)

PC50UD
Cin= 7,4nF Rg=0,8 Ohm
Cout= 8,2nF

для улыбки - http://www.pro-radio.ru/power/11976/
я как-то попался...http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=87018
руки, бывает, тоже подводят...

Автор:  Dizel1 [ 09-09, 18:11 ]
Заголовок сообщения: 

НЕХ - а разброс по партии присутствует?
проверю UD - есть старые - посмотрю как и что если эта емкость показывает площадь кристалла- то с транзисторами дело швах
и еще с какой разумной скоростью надо вкл выключать такие ижбт транзисторы с жесткой коммутацией?
по модели- 15 ом на вкл и 4,7 на выкл - оптимум по дин мощности...
на практике 0,8 мкС и 0,4мкС -наверно многовато.. ускорил в 2 раза...
НЕХ писал(а):
для улыбки
- мда :lol:
и вообще, НЕХ большое спасибо!!!!!!!!!! :frends: :good:

Автор:  EvgeniS [ 11-09, 14:12 ]
Заголовок сообщения: 

Dizel1
есть 6 шт HGTG12N60A4D из двух партий (3+3)
емкости E-C при кз G-E такие:
2н55
2н59
2н64

2н27
2н27
2н24

Автор:  Gostya [ 22-11, 13:15 ]
Заголовок сообщения:  Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля

Добрый день! Имеются модули infineon FZ600R12KE3 (600A 1200V). По даташиту использовали затворный резистор 1.2 Ом. Я снял осцилограммы открытия/закрытия на затворе КАНАЛ А (красный) синий не смотрим вообще...+-15В подавал на затвор , напряжение коллектор эмиттор не подавалось)
1) без резистора (только внутренний резистор модуля)
Изображение
Изображение

2) Резистор 1.1 Ом (20 mini-melf по 22 ома в параллель напаяны на 2 медные шинки индуктивность минимальна)
Изображение
Изображение

3) Вместо резистора bead индуктивность (бусинка).
Изображение
Изображение

Еще дополнительно приложил "общий вид" импульса на затворе с бусинкой.
Изображение

С такого рода модулями не работал - прокоментируйте пожалуйста -плохо (дребезг) или обычное дело....С бусинкой вид фронтов нравиться больше всего...не надо ли затягивать еще открытие /закрытие +резистор к бусинке или две последовательно?

Автор:  valvol [ 22-11, 13:45 ]
Заголовок сообщения:  Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля

В связи с чем производились замеры?
К сожалению, мне не приходилось работать с такими мощными модулями. Пока достигнутый предел SKM200GB128D и аналогичные. Всегда обходился без Ferrite bead. Хотя, опыт их использования был бы интересен.
Однако картина в отсутствии коллекторного напряжения и тока далека от реальной. Хотелось бы видеть, что там делается под нагрузкой.

Автор:  Gostya [ 22-11, 13:56 ]
Заголовок сообщения:  Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля

Как зачем?) надо зауправлять)) ну напряжение из розетки взять могу, а с током сложней) если не сложно покажите осцилограммы на затворе без питания и с питанием под нагрузкой.

Автор:  valvol [ 22-11, 14:20 ]
Заголовок сообщения:  Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля

Gostya писал(а):
Как зачем?) надо зауправлять))

Понятно.
Gostya писал(а):
...ну напряжение из розетки взять могу, а с током сложней)...

:D
Имелось в виду снятие осциллограмм в реально работающем устройстве. Картинка будет зависеть от режима коммутации (жесткая или мягкая), скорости нарастания/спада тока, а также от конфигурации силовых цепей и цепей управления.
Gostya писал(а):
...если не сложно покажите осцилограммы на затворе без питания и с питанием под нагрузкой.

Завтра поищу что-то подходящее.

Автор:  Gostya [ 22-11, 15:29 ]
Заголовок сообщения:  Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля

Устройство-инвертор электродвигателя, а он еще не готов. Поэтому хотелось в первом приближении сделать управление на модули и обкатать "на лампочках" для начала...вижу,что с резистором в затворе дребезг идет, хотя длина до "управления" короче физически не сделать))т.е. Транзисторы припаяны к шинам которые сразу под винт модуля идут)) где на затвор,там две параллельные шины под резисторы, на одну из них сразу с транзистора управления идет, вторая сразу под винт модуля. т.е. Вся плата управления располагается на самом модуле IGBT и компактней там физически некуда...
Вот у вас в даташите 7Ом заявлены резисторы при снятии характеристик, какие реально поставили на on и на off? +15/-7в затвор дергаете или 15/-15?

Автор:  valvol [ 23-11, 11:50 ]
Заголовок сообщения:  Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля

valvol писал(а):
Завтра поищу что-то подходящее.

К сожалению, материалов оказалось не много.
Осциллограммы IGW25N120H3 в прямоходе.
Фронт управляющего напряжения на затворе.
Изображение
Напряжение на затворе (желтый 1/1) и коллекторе (розовый 1/100).
Изображение
Видно, что недостаточно хорошо настроен снаббер (крутой участок нарастания коллекторного напряжения в самом начале)

А это форма затворного напряжения для SiC MOSFET APT40SM120B.
Фронт
Изображение
Срез
Изображение

В данном случае транзисторы используются в прямоходе и затворное напряжение не имеет отрицательного смещения. Однако, в мостовых схемах такое смещение крайне желательно, т.к. предотвращает самопроизвольное открытие транзистора при резком нарастании напряжения коллектора. Обычно смещение задаётся от -5В и ниже.

Автор:  Gostya [ 23-11, 15:19 ]
Заголовок сообщения:  Re: Надёжная и безопасная работа IGBT-транзистора, модуля

Пару фоток не видно(( карбид кремневые модули надеюсь вскоре получить на руки...на работе задолжали немного, и в счет долга заказал 3 модуля cree...

Страница 10 из 10 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/