Power Electronics

В данном списке только IGBT.

_________________
Площадь Ленина это произведение, длины Ленина на ширину Ленина.

В Телвине 175, который у меня сейчас труп, на транзисторах кроме G30N60 есть еще буковка i в зеркальной букве D. Соответственно этот транзистор от infineon. И название его SGW30N60. Скачайте даташит и увидите как он обозначается.

а чего качать-то, всем извесно что , SGW30N60
Fast IGBT in NPT-technology., и тем более что тема с бородой (2009год однако), а что мож в Почаеве его перекрестили на мосфит

Время бежит, а на valvol.ru ничего не меняется. По прежнему, не читая сообщение, дается ответ с ухмылкой. Ваше место жительства "ХАМство УРКАина" точно указано. Удачи в словоблудии.

Так меняйте ,дополняйте ,выкладывайте.
Могёте только качать и смотреть с ухмылками....

_________________
Как хорошо зайца мясом не корми, всё равно он на капустное поле сбежит.

Скачай его сам и ткни всем носом в скачанный даташит обведя красным цветом!
Кто у кого просит проверить?

_________________
Как хорошо зайца мясом не корми, всё равно он на капустное поле сбежит.

На вопрос или коментарий с ухмылкой(не понятно что, вопрос комент, утверждение, просьба, приказ ),- даётся и ответ с ухмылкой. У меня на столе стояло столько всяких и с буквами и без(после кулибиных или подделок китайских, ибо китаёзы ставят туда и мох и болото, а по спецификации там стоит сомсем другое), а вот и цитата с шита , http://www.infineon.com/dgdl/SGP_W30N60 ... 282dff3d86
и условное обозначение

ne_sahar,Вот наверное понял, что ты хотел сказать своим постом, Не обозначение смотреть, а маркировку , наверное, но такую маркировку имеют кроме HGTG и SGW ещё и SGH30N60 Fairchild ,MGW30N60 Motorola(кажется), и ещё какие то встречал с такой маркировкой нонейм производителя. Поэтому прежде чем умничать ,- нуно прально выразиться.

Как проверить мощный IGBT. Очень просто.
Сначала делаете источник высокого напряжения на 610 - 650 В из трансформатора, диодного моста и конденсатора порядка 1 - 2 мкф на 650 - 800В. Можно получить 620 В и по схеме удвоения.
Последовательно с плюсовым выводом включаете резистор на 1 МОм, а к нему подключаете свой вольтметр на 1000 В. Надо сделать так, что бы вольтметр показал точно 600 В. Для этого можно параллельно вольтметру можно подключить необходимое сопротивление. Это первая часть задачи.
Проверяем IGBT на утечку или способность выдерживать длительно 600 В (для IGBT на 1200 В напряжение должно быть 1200 В). Делается это так.
Надежно закорачиваете выводы эмиттера и затвора, к эмиттеру подключаете минус источника, а к коллектору соответственно плюс.
Вольтметр четко покажет есть ли утечка у IGBT и какое напряжение он выдерживает. При отличном транзисторе показания вольтметра дернутся и останутся 600В, если есть утечка, напряжение станет 570 -580 В, что еще допустимо, если меньше 550 В, то такой транзистор я бы не ставил.
Во время проверки вольтметр не отключается.
Теперь проверим работу затвора.
Берется мощный источник питания вольт на 12 -24 и соответствующую лампу накаливания на 0.5 - 1 А. Собирается цепь из источника, лампы и перехода змиттер -коллектор.
При подключении к затвору + батарейки "Крона" или любого источника вольт на 8 -12 плюсом к затвору относительно эмиттера лампа ярко загорится и будет гореть даже при отключенной "Кроне" это значит затвор зарядился и держит транзистор в открытом состоянии. Надо учесть, если хотите испытывать при токах выше 0.5 А, надо ставить транзистор на радиатор. Если поменять полярность "Кроны" транзистор должен четко закрыться. Так очень легко выявляются испорченные транзисторы.
В целях безопасности используйте обязательно развязывающий трансформатор для получения 600 В и во время проверки никогда не прикасайтесь к затвору. Подавать напряжение на затвор только тогда когда второй вывод источника уже подсоединен к эмиттеру.
Помните, более 20 В на затвор подавать нельзя.