Семён писал(а):
Но у мощных мосфетов ёмкость затвора большая, а у IR2110 выходной ток 2 А. Не знаю хватит ли этого. У IRFP4668PBF ёмкость 10720 пФ. У IGBT RJH60F5DPQ, которые я буду использовать 122 пФ.
Joha писал(а):
У IGBT RJH60F5DPQ ёмкость затвора (входная ёмкость) 2780пф, а 122пф это выходная ёмкость
http://belchip.by/sitedocs/00012488.pdfИнвертор коммутируется с низкой частотой (обычно не более 200Гц), поэтому ёмкость затвора не так важна. При напряжении питания драйвера 15В и сопротивлении затвора 7.5 Ом, выходной ток драйвера гарантированно не превысит 2А.
Семён писал(а):
С другой стороны у RJH60F5DPQ пропускаемый ток 80 А это при 25 градусах. При 100 градусах всего 40 ампер. У IRFP4668PBF 130 амер при 25 градусах и 92 ампера при 100 градусах.
Но пишут что IGBT меньше греются.
Для удобства сравнения предположим, что нам требуется ключ, коммутирующий ток 240А. Соберём два варианта, один из трёх RJH60F5DPQ, а другой из трёх IRFP4668PBF. Также предположим, что мы обеспечили аналогичный тепловой режим транзисторов, при которых их кристаллы прогреваются до 100гр.С.
1. При такой температуре и прямом токе 80А через один транзистор, на открытом RJH60F5DPQ будет падать 1.9В, что соответствует мощности потерь 1.9*80=152Вт.
2. В аналогичной ситуации на открытом IRFP4668PBF будет падать 1.2В (сопротивление канала для указанной температуры 15мОм), что соответствует мощности потерь 1.2*80=96Вт.
Кто-бы что-бы не писал, но физику не обманешь. Будет сильнее греться тот транзистор, на котором выделяется большая мощность и который хуже охлаждается (тепловое сопротивление кристал-охладитель для RJH60F5DPQ значительно выше). Так как во втором случае выделяется меньшая мощность, то, при одинаковых условиях охлаждения, MOSFET будет существенно меньше греться, что приведёт к дополнительному уменьшению сопротивления канала и мощности потерь.
Семён писал(а):
Ещё у IGBT максимальное нарпяжение 600 вольт, а у мосфета 200. Значит у IGBT живучесть от всяких осцилляторов, индуктивностей и стабилизаторов больше.
При перенапряжении MOSFET-ы ведут себя как стабилитроны (чего не скажешь об IGBT) и если при этом мощность не превышает уровня максимально допустимой для лавинной энергии (смотреть Repetitive Avalanche Energy), то транзистор выживает.
Основным преимуществом IGBT является более низкое прямое падение в открытом состоянии при высоком допустимом напряжении. Поэтому в высоковольтных приложениях (> 300...400В) IGBT по этому параметру начинают обгонять MOSFET-ы, сопротивление которых быстро возрастает при росте допустимого рабочего напряжения. Однако всё что ниже, является безраздельной вотчиной MOSFET-ов.
В настоящее время широкое распространение получают SiC MOSFET-ы, которые успешно выдавливают IGBT из высоковольтных приложений.