Maikl писал(а):
ИМХО, сначала следует измерить параметры силового транса (индуктивности и омическое сопротивление обмоток, рассевание...).
С рассеиванием есть определённые трудности, о которых писал в теме про то, как работает трансформатор. Дело в том, что измерения индуктивности рассеяния зависят от частоты, на которой измеряешь. Причем чем выше частота, тем меньше индуктивность рассеяния получается. Для конкретно этого образца получилась 1,5 мкГ на 10 кГц. Выше частоту не позволяет мой измеритель. Реальная частота источника питания плавает от нагрузки в пределах от 20 до 100 кГц. В модели поставил 1 мкГн. Т.е. уже получается определённое приближение. Но в принципе получилось довольно реально, если судить по амплитуде выбросов напряжения в момент выключения транзистора, и в моделе и в железе около 40 В при нагрузке 0,3А.
Про КПД могу сказать, что в моделе 0,78, в железе 0,75. Это возможно от того, что на выходе в реальности поставил вместо Шотки НER107.
Дело в том, что обратное напряжение получается около 60В, и 40 вольтовые Шотки уже не катят, а 100 вольтовых просто не оказалось под рукой. От диода очень зависит КПД, т.к. это самая горячая часть схемы.
МОСФЕТ греется не сильно, поэтому менять его на более сильноточный с меньшим сопротивлением, но и меньшим напряжением нецелесообразно, т.к. придётся увеличить ёмкость в фиксирующей цепи, а это увеличит рассеиваемую в ней мощность. Заменять на сильноточный МОСФЕТ с напряжением не менее 100В экономически дороже. А задачей было сделать дешовый БП, т.к. их в девайсе будет 4.