Power Electronics

потроха показали
http://www.how2power.com/newsletters/1211/H2PowerToday1211_Semiconductors.pdf
(кстати, интересный журнальчик...)

P.S.
к предыдущему сообщению...
"Из-за использования высокоомной подложки зона дрейфа освобождается от носителей заряда при напряжениях (примерно
100 В), значительно меньших напряжения пробоя. В результате хвостовой ток срезается.
Эти потери будут значительно ниже, чем в стандартном NPT-приборе, в котором хвостовые токи появляются при более высоких напряжениях. "
из книжки Инфинеона, которую раздаёт Симметрон с сайта.

_________________
Картинки и Схемки

Дёшево ценят искусство - цена опустилась до 16уе
http://www.digikey.com/product-detail/e ... ND/3927149

_________________
Картинки и Схемки

Дешево, не дешево, но это другой транзистор.

Старый (хотя какой он старый?) CMF20120D специфицирован до 135°С
новый C2M0080120D до 150°С, но!
если внимательно сравнить, то на высокой температуре новый сдыхает (сопротивление в открытом состоянии) быстрее старого. Это уже больше похоже на поведение J-FET по этому параметру.
Кроме того, новый по всем емкостям и зарядам (кроме паразитного диода) вдвое "легче" старого, предполагаю что это скорее сильно усовершенствованный CMF10120D, чем испорченный CMF20120D, и, вполне возможно, мы скоро увидим вариант 40 миллиом на комнате за "старые" 30 долларов. Хотя это лишь мои фантазии, не более.

Новый транзистор это вторая генерация SiC от Cree.
Они уменьшили площадь структуры на 35%, и это в какой-то мере объясняет увеличение Rds-on на температуре. Но ни разу не объясняет старые 80 миллиом на комнате.
Предпосылки для такого шага со стороны производителя - SiC полевик чаще всего используется в жёсткой коммутации. Несколько проиграв в статических потерях, он выигрывает в динамических по сравнению с предшественником. При этом его температура в большинстве примерений не выше температуры старого.
Зато цена вдвое меньше.
Старый с производства снимать не будут. Оказывается на него уже "подсело" много военных изделий. Цена на старый сильно не упадёт. Стоит ожидать лишь 20-30% и то не скоро.

Более мощный ключ второй генерации пока не планируется. Производитель "думает" об установке двух кристаллов C2M0080120 в один корпус TO-247 параллельно.

На сегодняшний день, несмотря на многообещающие заявления других производителей, реальных конкурирующих изделий на рынке нет.

А почему они этот в корпус облачить не торопятся ?
http://www.cree.com/power/products/1200 ... 1200-0025b

_________________
Картинки и Схемки

Свеженькая статейка по применению MOSFET
http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9005.pdf
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs

_________________
Картинки и Схемки

Новую ногу отростили - плод дружбы с infineon, пришедшей после патентной войны...
http://www.st.com/web/en/press/p3416
http://www.infineon.com/cms/en/product/ ... 868901276b
http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+- ... 966779640b
C o o l M O S ™ C 7 : M a s t e r i n g t h e A r t o f Q u i c k n e s s
A T e c h n o l o g y D e s c r i p t i o n a n d D e s i g n Guide

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+- ... ration.pdf
Excluding the Source Inductance from Driving Circuit

_________________
Картинки и Схемки

сток|drain слева в сторонке а не по центру - по идее правильно , но некоторые будут путатсо.

а дядька Гиратор дык вообще удлиняет вывод общий исток в своих модельках нарочно поставленной индуктивностью, иногда ...

http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/ ... WRAN12.pdf
Minimizing Parasitic Effects in SiC MOSFET Modules

_________________
Картинки и Схемки

Rohm наконец-то разродился SiC-полевиком.
http://www.digikey.com/product-search/e ... SCT2080KEC
Цена пока дороже, чем вторая генерация от Cree
ST тоже запускает на рынок прямого конкурента, даташит уже есть (обратите внимание на допустимую температуру кристалла), правда цены ещё не объявили.
http://www.st.com/st-web-ui/static/acti ... 053079.pdf
Конкуренция всегда хорошо...

Неудачный опыт использования высоковольтных быстрых IGBT в "косом" мосту приводился мной в теме High speed 1200V IGBT. В той ситуации времени разбираться небыло. Поэтому проблему решили заменой IGBT на MOSFET. На том и успокоились.
Некоторое время пытались разобраться. Делал стенд, где тестил IGBT одиночными импульсами тока в присутствии снаббера. В стенде проблему выявить не удалось. Однако, в реальном аппарате, при непрерывной последовательности импульсов, явно наблюдался некоторый ток утечки в паузе, который, скорей всего, связан с неудовлетаорительным рассасыванием заряда в IGBT. По мере удешевления SiC MOSFET-ов проблема теряет актуальность. Однако навести ясность в ней было бы интересно.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

А я думал, что загадка разгадана, а ответ - засекречен...
Мои подопытные тоже fast IGBT4, как и IGW25N120H3.
Тут Infineon сравнивает его с легендарным в своё время NPT IGBT FGL40N120AND -
http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+- ... c7ab1e048e
(FGL40 находится через поиск внутри пдф)
И как раз бахвалится отсутствием длительного незначительного тока, свойственного NPT.
может виноваты не IGBT, а диоды какие-нибудь ?

_________________
Картинки и Схемки

Загадку предоставили самой себе и перешли на SiC MOSFET.

Какие диоды?

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.

диодов хватает в косом...
а какова скорость роста тока после включения IGBT ?
нет ли неучтенных потерь по этой причине - падение напряжения
коллектор-эмиттер будет возросшим из-за динамического насыщения...
в полевиках такой напасти нет.

_________________
Картинки и Схемки

Там нет неучтённых потерь. На осциллограмме хорошо видно ток утечки закрытого транзистора. Падение напряжения на открытом транзисторе в пределах нормы. Соответственно, диоды тут не причём. Утечка прекратилась после замены IGBT -> SiC MOSFET. Все диоды при этом остались на своих местах. Прирост эффективности, после замены, соответствует устранению потерь, вызываемых током утечки.

_________________
"Древние украли все наши лучшие идеи!"
- Марк Твен.