Цитата: Ежели при питании 15В поднять сигнал 1В по постоянке, то он окажется между порогами 5В и 10В. Т.е. единожды сработав, система умолкает навсегда Блин, здесь что - прям в сообщение картинку вставить нельзя?
Неудобно, однако.
Ладно, придется на пальцах:
Трибун, ты попробуй так:
Если у тебя предположим 5 и 10в пороги, то берем достаточно шустрый транзистор, коллектор ему через 1к на +15в, это выход, который будет по этим порогам работать, потом, если сопротивление обмотки датчика, скажем, 50 Ом, подаем на базу фиксированное напряжение 0,7в+0,75в, где 0,7 - падение б-э, 0,75 - напряжение, обеспечивающее 15 мА через эмиттер. Транзистор будет в легком насыщении. В данном случае на базу лучше подавать с пары прямосмещенных диодов (термокомп-я).
Эмиттер, как ты уже догадался - к датчику. Напрямую.
Легкое подмагничивание ему наверняка безразлично, хотя, при желании, этот ток можно снизить до единиц мА, все зависит от требуемого быстродействия, шустрости транзистора, и емкости нагрузки (в его коллекторе). А если добавить еще пару деталей, то и до нуля.
Итого, имеем схему ОБ, которая обеспечивает практически полное шунтирование датчика, приличное усиление и полосу пропускания максимальную для данного экземпляра транзистора (в h21э раз более широкую, чем с ОЭ). С современным СВЧ транзистором - любой СОВРЕМЕННЫЙ БЫСТРЫЙ компаратор - в нокауте. 
Напряжение на коллекторе без сигнала около 1в, максимальное - почти питание. Хорошо бы, если есть возможность, запитать вольт от 20-26, ограничив коллекторное диодом с 15 вольт.
И тогда пороговые 5/10 вольт - не проблема, а преимущество (помехоустойчивость).
С уваженьем, дата, подпись. Отвечайте нам, а то, если вы не отзоветесь, мы напишем в спортлото. 
|
Какой уж там дребезг 