Power Electronics
https://valvol.ru/

Комплектующие - новинки, аналоги, замены.
https://valvol.ru/topic21.html		 Страница 9 из 17
Автор:  Aziat [ 22-05, 11:31 ]
Заголовок сообщения: 
Maikl писал(а):
т.к. есть поясниловка, а на забугорные... чот не видал, мож где и есть. Подскажите.

А даташиты и апликейшен ноуты на что?
Хочешь з`їсти імпортний транзистор? - вивчай імпортну мову :lol:
Автор:  valvol [ 22-05, 11:44 ]
Заголовок сообщения: 
Maikl писал(а):
Может кто подскажет, то бишь, пояснит на русской мове, что же обозначает каждая буковка в маркировке транзюков.

Для IGBT
Обычно параметры сгруппированы по типам.
Сначала идут максимальные значения:
Vces - Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Ic - Непрерывный ток коллектор. Обычно указывается для различной температуры корпуса, например 25 и 100гр.С
Icm - Импульсный ток коллектора, т.е. максимальный повторяющийся ток коллектора. Где-то в ссылках указываются режимы при которых делались замеры (Vge, ширина и частота повторения импульсов).
Vge - Напряжение между затвором и эмиттером.
Earv - Энергия лавинного пробоя
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность. Обычно указывается для различной температуры корпуса, например 25 и 100гр.С
Tj - Предельные рабочие температуры кристалла
Tstg - Предельные температуры хранения

Далее идут параметры охлаждения (тепловые сопротивления):
Rθjc - Тепловое сопротивление кристалл-корпус
Rθcs - Тепловое сопротивление корпус-охладитель
Rθja - Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда

Электрические характеристики:
V(br)ces - Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
V(br)ecs - Напряжение пробоя эмиттер -коллектор (обратный пробой)
ΔV(br)ces/ΔTj - Температурный коэффициент напряжения пробоя
Vce(on) - Напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии
Vge(th) - Пороговое напряжение затвор-эмиттер (начало отпирания). Иногда называют напряжением отсечки.
ΔVge(th)/ΔTj - Температурный коэффициент порогового напряжения
gfe - Прямая проводимость
Ices - Ток утечки коллектор-эмиттер, при нулевом напряжении на затворе
Iges - Ток утечки затвор-эмиттер, при максимальном напряжении на затворе

Переключательные характеристики:
Qg - Общий заряд управления (включения). Если умножить на частоту коммутации, то можно определить ток потребляемый от источника управления (для указанных режимов коммутации).
Qge - Заряд ёмкости затвор-эмиттер
Qgc - Заряд ёмкости затвор-коллектор
td(on) - Задержка отпирания транзистора
tr - Время нарастания тока
td(off) - Задержка запирания транзистора
tf - Время спада тока
Eon - Потери отпирания транзистора (для указанных режимов коммутации).
Eoff - Потери запирания транзистора
Ets - Суммарные потери переключения
Le - Внутренняя индуктивность эмиттера (от которой не избавишся)
Cies - Входная ёмкость
Coes - Выходная ёмкость
Cres - Ёмкость обратной связи (та самая, которая вызывает эффект Миллера)
Автор:  Отнюдь [ 22-05, 13:38 ]
Заголовок сообщения: 
valvol, я так понял, что он возжелал получить расшифровку самогО обозначения транзистора, а не тайные буковки из даташита :)
для продукции от IR вроде того:
IRG4PH40UD, где
IR - сокращение от International Rectifier
G4 - четвертое поколение IGBT
P - ? корпус ТО-247, B- ТО-220.
H - 1200В Uкэ
40 - постоянный ток при +25 градусах на корпусе
U - "ультрафаст" (в данном случае - до 40кГц при жестком переключении)
D - наличие встречно-параллельного диода (язык не поворачивается назвать его антипараллельным, как его кличут в даташите)

Maikl, далеко не все фирмы придерживаются такой же системы. фактически, кроме IR мне другие не известны :)
у всех производителей своя система обозначений, которые не всегда так легко расшифровываются, как приведенный пример. зачастую вместо явно выраженных параметров в обозначении фигурирует номер разработки.
нередко в обозначении бывает указан ток, либо напряжение, либо и то и другое. но, все же по одной только маркировке нельзя судить о приборе - все равно для его изучения надыть почитать даташит.
а сокращения из даташитов для IGBT valvol привел выше
Автор:  Aziat [ 22-05, 14:00 ]
Заголовок сообщения: 
P-корпус ТО-247, B- ТО-220.
Автор:  Maikl [ 22-05, 14:21 ]
Заголовок сообщения: 
Aziat, стар я, что бы забугорный аглицкий познавать, дай Бог русский освоить и по человече на нём гутарить, хотя... учиться, как говориться, никоды не поздно.
valvol, большое спасибо за разъясниловку. Честно говоря, то что Вы расшифровали я где то чувствовал интуитивно, по обозначениям тока, напруги, ед. измерения и т.п. Спросить как то стеснялся, но вот решился. Ещё раз спасибо.
Отнюдь, Вы правы. Вначале, задавая вопрос, я имел ввиду как раз расшифровку самого обозначения транзистора.
Но коль форумчане столь дружно откликнулись - спасибо всем за ликбез.
Автор:  Трибун [ 22-05, 14:59 ]
Заголовок сообщения: 
Осмелевши, дополнил Отнюдь Aziat-ом. Получились два, распложенные рядом поста, на которые и других послать можно и самому сходить... :nono:
Автор:  Maikl [ 24-05, 08:00 ]
Заголовок сообщения: 
valvol, постом выше, Вы дали расшифровку по IGBT-транзистору. Думаю, что для MOSFET обозначения те же, разве что, поменять коллектор-сток, эмиттер-исток. Так ли это?
Автор:  valvol [ 24-05, 10:34 ]
Заголовок сообщения: 
Maikl писал(а):
Вы дали расшифровку по IGBT-транзистору. Думаю, что для MOSFET обозначения те же, разве что, поменять коллектор-сток, эмиттер-исток. Так ли это?

Да, практически тоже самое, если заменить эмиттер (Emitter) на исток ( Source) м коллектор (Collector) на сток (Drain). Но есть и некоторые отличия. Далее предпологаю добавить расшифровку параметров для MOSFET.
Автор:  Maikl [ 24-05, 13:12 ]
Заголовок сообщения: 
valvol, буду признателен.
Автор:  samodel [ 13-06, 14:22 ]
Заголовок сообщения: 
Кто-нибудь пробовал пленочные конденсаторы EPCOS в качестве блокирующих в силовую часть сварочного инвертора? Как они по сравнению с К73-17 греются?
Автор:  Maxim_Z [ 13-06, 20:00 ]
Заголовок сообщения: 
samodel писал(а):
Кто-нибудь пробовал пленочные конденсаторы EPCOS в качестве блокирующих в силовую часть сварочного инвертора? Как они по сравнению с К73-17 греются?


А слабО по датащитам сравнить допустимый Ирмс?
Автор:  samodel [ 13-06, 21:57 ]
Заголовок сообщения: 
Maxim_Z писал(а):
А слабО по датащитам сравнить допустимый Ирмс?

Даташиты дают количественную оценку, а практическое применение- качественную. Хотелось бы не теоретические советы, а мнение того, кто применял. Если бы я мог пойти в магазин и просто купить их, я бы купил и не спрашивал. Но надо заказывать и ждать. А стоят ли они того. Оттого и спрашиваю.
Автор:  Maikl [ 14-06, 05:54 ]
Заголовок сообщения: 
samodel, тут на форуме, не помню где, Трибун говорил о том, что у него в косом в качестве блок. стоит кондёр 0,68мкФ фирмы EPCOS. Так что не боись покупай. Однако ж прислушайся к Maxim_Z и глянь даташит на заказываемый кондёр, а то кондёр кондёру рознь, хоть он и EPCOS. И ещё. Если заказываешь в ЧипДип, то, если глянешь внимательно на каталог, там сплошные замены - могут прислать тот же К73-17. Для справки - оченно хорошие кондёры фирмы WIMA. Номинклатура обширная, для разных целей.
Автор:  samodel [ 14-06, 10:10 ]
Заголовок сообщения: 
Maikl писал(а):
Для справки - оченно хорошие кондёры фирмы WIMA.

Это я знаю. Только пока не нашел где их купить в России. К73-17 ставлю по 3 параллельно, и все равно греются прилично, потому как электролиты не рядом, провода 4 кв.мм. 15 см. При интенсивной сварке уже два раза за пол года заканчивалось наблюдением внутренностей кондеров. Потому хочу их на что-нибудь заменить. Епкосовских в ЧипДипе выбор маленький, в Платане побольше. А WIMA что-то никто не торгует, дорогие они, наверное спросом не пользуются.
Автор:  samodel [ 14-06, 10:37 ]
Заголовок сообщения: 
Maikl писал(а):
глянь даташит на заказываемый кондёр, а то кондёр кондёру рознь, хоть он и EPCOS

Это точно. Посмотрел даташиты, то что предлагают наши интернет-магазины B32654-A4105-J совсем не подходят, потому как они на частоту до 1 кГц, а те, которые бы подошли B32672 до 100 кГц что-то никто не торгует. Так что и заказывать пока нечего. Придется параллелить К73-17 большим количеством :evil:
Страница 9 из 17 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/