Power Electronics
https://valvol.ru/

Тепло. Контроль и утилизация.
https://valvol.ru/topic243.html
Страница 24 из 30

Автор:  Ломакин [ 17-08, 10:38 ]
Заголовок сообщения: 

MasterCat
Я понимаю, по одному на транзисторы и диоды? Если на ток 150А, то на диоды при +35 воздуха и принудительном охлаждении кулером в лоб все будет на пределе. Думаю, даже придется медную вставку делать. С транзисторами, если баян , будет попроще. Все это для ПВ=100% есно. У меня сейчас радиаторы вдвое большие стоят(такой корпус) и то согрев чувствуется. :D

Автор:  Alex [ 17-08, 11:10 ]
Заголовок сообщения: 

Мощный полупроводник на могучем радиаторе с кучей рёбер это прямой подход, а можно подойти наоборот - кучка маломощных полупроводников, каждый на своём ребре-пластине. Т.е. получается эдакий сэндвич из полупроводников промеж рассеивающих пластин. Если кто видел старинные селеновые выпрямительные столбы, то примерно так. Выходит дёшево (дешевле алюминиевой пластины ничего нет), и сердито (эффективный распределённый отвод тепла).

Автор:  samodel [ 17-08, 12:07 ]
Заголовок сообщения: 

Alex писал(а):
Т.е. получается эдакий сэндвич из полупроводников промеж рассеивающих пластин

Тут другая проблема может вылезти: хорошо параллеляться полевики, у них происходит самовыравнивание токов при размещении их на одном теплоотводе, а вы этот эффект на корню подрубаете.

Автор:  Ломакин [ 17-08, 14:23 ]
Заголовок сообщения: 

Alex писал(а):
Т.е. получается эдакий сэндвич из полупроводников

Совершенно неприменимо для ИЖБТ- там тоже потребен тепловой обмен между транзисторами. да и площадь пластин... Приемлемо для диодов, и то , если их много :live-14:

Автор:  samodel [ 17-08, 15:47 ]
Заголовок сообщения: 

Ломакин писал(а):
для ИЖБТ- там тоже потребен тепловой обмен между транзисторами

А для ИЖБТ то зачем, у них же отрицательный ТКС?

Автор:  tig0r [ 17-08, 16:23 ]
Заголовок сообщения: 

samodel писал(а):
у них же отрицательный ТКС?

У новых, у многих положительный.

Автор:  Ломакин [ 17-08, 16:30 ]
Заголовок сообщения: 

B Note aplikaision IRACTIVE две статьи посвящены параллельному соединению IGBT. Рассматриваются статические и динамические характеристики парно работающищих транзисторов. Однозначный вывод- транзисторы должны иметь максимально вожможный теплообмен. Рекомендуется через медь.
У меня книга. Печать весма поганого качества и сшита брошурой. Сканировать препогано, но попробую.
:D

Автор:  MasterCat [ 17-08, 17:19 ]
Заголовок сообщения: 

из изложенного на этой страничке можно прийти к простому выводу:
Nмодульный вариант. самодостаточные модульки по полста ампер. в своем отдельно упакованном конструктиве. за что и ратую, если помните.
вот только не всегда и не очень получается.

Автор:  Ломакин [ 17-08, 17:31 ]
Заголовок сообщения: 

MasterCat писал(а):
по полста ампер

А почему не по сотне? Из соотношения мощность/объем сотенные выгоднее. :D

Автор:  Alex [ 17-08, 19:25 ]
Заголовок сообщения: 

samodel писал(а):
Тут другая проблема может вылезти: хорошо параллеляться полевики, у них происходит самовыравнивание токов при размещении их на одном теплоотводе, а вы этот эффект на корню подрубаете.

А кто сказал, что между пластинами должен быть плохой тепловой контакт?

MasterCat писал(а):
Nмодульный вариант. самодостаточные модульки по полста ампер. в своем отдельно упакованном конструктиве. за что и ратую, если помните.

Я за это тоже вёл речь в теме "Многофазный". И как ни странно тоже остановился на 50А варианте. :)

Автор:  MasterCat [ 17-08, 19:27 ]
Заголовок сообщения: 

Ломакин писал(а):
А почему не по сотне? Из соотношения мощность/объем сотенные выгоднее

да не принципиально. суть подхода не меняется.
завтра мож сфотаю чего тут вырастил.

Автор:  Ломакин [ 17-08, 22:34 ]
Заголовок сообщения: 

samodel
Выкладываю фотки статьи. Пусть модераторы потом переложат
Изображение,,Изображение,,Изображение,,Изображение,,Изображение :D

Автор:  samodel [ 18-08, 07:42 ]
Заголовок сообщения: 

Alex писал(а):
А кто сказал, что между пластинами должен быть плохой тепловой контакт?

Тогда нарисуйте, чтобы было понятна конструкция.
Ломакин писал(а):
Выкладываю фотки статьи

ОК.
Интересно, а какой разброс в одной партии ИЖБТ? Сколько надо штук, чтобы выбрать пару?

Автор:  Ломакин [ 18-08, 11:34 ]
Заголовок сообщения: 

Они там описывают наихудший случай. По моему там что-то до 30% разбаланса. Т.е. просто расчитывать максимальный ток при параллельном соединении с учетом этого возможного перекоса. Думаю, подбирать транзисторы специально далеко не всегда возможно, да и не совсем просто. Я прикидывал . Можно собрать двухтактную схему с синхронизацией по фронту импульса м.с. на заворах. Нагрузка активная. Тогда на осциле будет видна задержка и разница вкл/выкл пары и разница напряжений насыщения. Питание от АК.
Но ничего не реализовал, т.к. выбирать не из чего :D

Автор:  Alex [ 18-08, 21:20 ]
Заголовок сообщения: 

samodel писал(а):
Тогда нарисуйте, чтобы было понятна конструкция.

Информация на уровне идеи, рассчёты и начертания не проводились. ;)
А вот селеновый мостик:
Изображение

Страница 24 из 30 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/