| Power Electronics https://valvol.ru/ |
|
| Снабберы https://valvol.ru/topic26.html |
Страница 2 из 87 |
| Автор: | Multik [ 19-10, 12:09 ] |
| Заголовок сообщения: | |
monos писал(а): Какой размах индукции Вы рекомендуете использовать в расчетах сил. транф., т.к. где-то писалось, что при таком снаббере трансформатор, размагничиваясь захватывает отрицательную область? Трансформатор загоняется в отрицательную область тем больше, чем меньше Кзап. При Кзап > 0,45 с этим снаббером работать нельзя. Трансформатор переходит в положительную область. То есть, сам по себе этот факт не даёт форы на индукцию, если работать в полном диапазоне коэффициента заполнения. Но, вообще говоря, выбор максимальной индукции зависит от потерь в магнитопроводе на рабочей частоте. Я использую магнитопроводы от EPCOS, и пользуюсь ихней программой. Задаю частоту, тип преобразователя, температуру перегрева провода и феррита - из собственных соображений, и после расчёта вижу, при какой индукции это всё должно происходить. Стараюсь выполнять рекомендации программы, насколько это получится. Пока проколов не было. monos писал(а): Если я правильно понял на схеме
http://b.foto.radikal.ru/0608/0c32cef7d4cb.gif L5- тр. тока L8- инд. расс., а L4- дроссель, описанный ниже, в том же посте, что и рисунок? -Нет. Правильно только L4. L5- индуктивность рассеивания. L8- индуктивность намагничивания. Модель трансформатора в любом учебнике представляется идеальным трансформатором (в схеме это L1/L2 с огромными индуктивностями, чтобы не портить картину), параллельно одной из обмоток включена индуктивность намагничивания со стороны этой обмотки (реального трансформатора - программа её считает по моим данным), а последовательно - индуктивность рассеивания, тоже со стороны этой обмотки (измеренная в реальном трансформаторе). |
|
| Автор: | monos [ 19-10, 17:08 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Multik Спасибо за подробные объяснения. Некоторое время назад приобрел по случаю 2 комплекта ETD59 N97 EPCOS с целью использовать их в "двухтактном однотактнике", но после появления нового снаббера начал склоняться к мысли о возможности использовать один из сердечников в обычном "косом", но с рекуп. снаб. и за счет этого увеличить част. и разм. индукции и т. о. увеличить сеч. обмоток. Поясните, если не затруднит, чем необходимо руководствоваться при подборе C1,C17 и L4, какую роль играют R6,C2, а так же какие параметры участвуют в выборе D3,D11,D9. |
|
| Автор: | Multik [ 19-10, 18:01 ] |
| Заголовок сообщения: | |
monos писал(а): Поясните, если не затруднит, чем необходимо руководствоваться при подборе C1,C17 и L4, какую роль играют R6,C2, а так же какие параметры участвуют в выборе D3,D11,D9.
Для транзистора, чем больше C1,C17, тем лучше. Но тем больше гоняется реактивная энергия, и нагрев элементов, через которые она проходит. Оптимальным считаю выбор этих ёмкостей в пределах 0,15 - 0,22 нФ. Лучшим критерием здесь являются результаты моделирования и интуиция разработчика. А объективным критерием может служить максимальный КПД схемы. Максимум КПД приходится на 0,15 нФ. От величины L4 зависит время перезарядки снабберных конденсаторов: чем она меньше, тем быстрее конденсаторы готовы к новому циклу переключения, а ток в импульсе, естесственно, больше. Делать это время меньше, чем время нарастания тока в трансформаторе при включении, определяемое индуктивностью его рассеивания, бессмысленно. А если сделать их равными, то при любой длительности импульса переключение будет практически мягким. Может быть, это можно считать объективным критерием, но я всё- таки оглядывался бы на ток в импульсе перезаряда конденсаторов, и если он великоват, лучше увеличил бы индуктивность. D3,D11,D9 должны выдерживать импульсный ток, который проходит через них в моменты выключения транзисторов (желательно определить в результате моделирования), напряжение питания, и быть чем быстрее, тем лучше для них и для транзисторов. |
|
| Автор: | monos [ 21-10, 00:40 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Multik Поскольку моделирование мне недоступно, то приходится опираться на теоретические расчеты. Как Вы считаете, можно ли при выборе С1,С17 использовать методику расчета RCD цепочек описанную в FAQ: Исходя из сказанного конденсатор С4(С5) должен шунтировать ключевой транзистор в течении времени спада тока. Например, для IRG4PC50U время спада tf =80nS(типовое значение). Если инвертор работает на индуктивную нагрузку (ток во время выключения практически не меняет своего значения) и максимальный ток равен 46.7А, то емкость конденсатора можно найти по формуле C=Iмакс*tf/Uп=46.7*80*10-9/220=0.017мкФ (считаем, что Uп под нагрузкой составляет 220В).? И поясните, так же, какую роль играют R6,C2. Спасибо. |
|
| Автор: | Multik [ 21-10, 12:03 ] |
| Заголовок сообщения: | |
monos писал(а): Поскольку моделирование мне недоступно, то приходится опираться на теоретические расчеты. Что-то непонятно. После появления SWCadIII моделирование стало доступно самым ленивым. Процесс моделирования в нём интуитивно понятен и работать с ним просто приятно. И если Вам лень моделировать, то не надо заставлять меня считать. Мне это тоже лень. monos писал(а): И поясните, так же, какую роль играют R6,C2. Без этих цепочек звон на индуктивности L4 не прекращается. monos писал(а): Как Вы считаете, можно ли при выборе С1,С17 использовать методику расчета RCD цепочек описанную в FAQ: Я FAQов не читал, но считаю, что можно рассчитывать что угодно, по каким угодно формулам, если понимаешь, что делаешь, и можешь объяснить, каие процессы эти формулы описывают. monos писал(а): Исходя из сказанного конденсатор С4(С5)
конденсатора С4 на схеме не нашёл. |
|
| Автор: | monos [ 21-10, 22:04 ] |
| Заголовок сообщения: | |
"Multik" Не сочтите за назойливость. Multik писал(а): После появления SWCadIII моделирование стало доступно Дело в том, что электроникой я уже лет 10 не занимаюсь профессионально и, видимо, несколько отстал от жизни. Пробовал Electronic Workbench Multisim v6.02, но так и не освоил. Multik писал(а): конденсатора С4 на схеме не нашёл.
Это цитата из FAQ, вместо С4(С5) следует читать C1,C17. Исходя из сказанного конденсатор С4(С5) должен шунтировать ключевой транзистор в течении времени спада тока. Например, для IRG4PC50U время спада tf =80nS(типовое значение). Если инвертор работает на индуктивную нагрузку (ток во время выключения практически не меняет своего значения) и максимальный ток равен 46.7А, то емкость конденсатора можно найти по формуле C=Iмакс*tf/Uп=46.7*80*10-9/220=0.017мкФ (считаем, что Uп под нагрузкой составляет 220В). |
|
| Автор: | Multik [ 22-10, 01:31 ] |
| Заголовок сообщения: | |
monos писал(а): Пробовал Electronic Workbench Multisim v6.02, но так и не освоил.
Я тоже всякое пробовал, и не освоил, пока не нарвался на SWCadIII с подачи Балбеса на старом форуме. Фокус в том, что в нём осваивать ничего не надо. С первого раза включил, и всё сразу понятно. А Electronic Workbench - вообще самая неудобная программа. После неё всякое желание молелировать пропадает. Всё-таки настоятельно рекомендую попробовать. Сэкономите кучу времени и денег. Сама программа лежит бесплатно вот здесь: http://ltspice.linear.com/software/swcadiii.exe а из красивой в полезную её превращает библиотека элементов уважаемого Балбеса, которая находится и иногда обновляется на его маленьком сайте: http://www.forest2.homeip.net/Electronics/extra.rar как его установить подробно объяснено вот тут в шестом посте: http://set.ru/srs/board/read.cgi?user=5 ... =6&from=11 Там же рядом найдёте ответы на все вопросы. Ну а тот расчёт, что вы привели, что показывает? Он же ничего не говорит о том, какие потери на транзисторе останутся после установки этого конденсатора. Тут ещё один расчёт нужен, и так до бесконечности. Разве что такие расчёты нужны для очистки совести. Нет, после моделирования даже и не хочется больше тыкаться носом во всякие расчёты, как слепой котёнок. Если Вам нравится, развлекайтесь сами, пожалуйста, или кому другому вопросы задавайте. А я за свою жизнь столько нарассчитывался, что и вспоминать не хочется. |
|
| Автор: | monos [ 22-10, 13:57 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Multik писал(а): Всё-таки настоятельно рекомендую попробовать. Сэкономите кучу времени и денег.
Благодарю Вас, буду пробовать. |
|
| Автор: | Готмог [ 22-10, 18:26 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Если бы так просто можно было снижать мгновенную мощность на порядки. Поставил DRC и кайфуй. Щас. Подумайте какой сдвиг может дать RC. |
|
| Автор: | gyrator [ 22-10, 19:19 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Готмог писал(а): Поставил DRC и кайфуй.
Кай-Фуй это хорошо. И насчёт сдвига тонко подмечено. Только стоит добавить-сдвиг при малых нагрузках, когда демпферная ёмкость заряжается практически только током намагничивания первички. Однако, если контролируется ток намагничивания, то на Фуй можно забить и наслаждаться Каем, даже без внутреннего триггера в ШИМ контрроллере однотактника. Отсюда мораль: без контроля тока намагничивания хорош только тот демпфер, который заряжается и разряжается независимо от тока нагрузки. RCD демпфер конечно поможет получить Кай для уменьшения мгнов. мощности и надёжности ключей, но, в то же время, поможет получить Фуй с КПД. |
|
| Автор: | Трибун [ 22-10, 22:19 ] |
| Заголовок сообщения: | |
gyrator писал(а): Кай-Фуй это... Вы позволите взять на вооружение Вашу терминологию - терпеть не могу плоскостность вульгарной?
|
|
| Автор: | gyrator [ 22-10, 23:31 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Трибун писал(а): Вы позволите взять на вооружение Вашу терминологию
Не вопрос. И вопрос к Вам, а Вы не пробовали на своём сварочнике демпфер с рекуперацией? Тепла поменьше, и при включении ток через ключи нарастает с меньшей скоростью. |
|
| Автор: | valvol [ 23-10, 08:21 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Multik писал(а): Ну а тот расчёт, что вы привели, что показывает? Он же ничего не говорит о том, какие потери...
Не стоит противопоставлять расчёты моделированию, эти процедуры проводятся совместно! Упоминаемый расчёт позволит, по крайней мере, назначить начальные величины элементов. Там же приводится формула, позволяющая рассчитать потери в RCD - Pr=F*0.25*Uс2*С. Там же приводится формула позволяющая минимизировать суммарные потери в RCD и транзисторе C=0.22*Iмакс*tf/Uп. |
|
| Автор: | Трибун [ 23-10, 09:13 ] |
| Заголовок сообщения: | |
gyrator писал(а): а Вы не пробовали... С большим трудом и это осилил. Напробовался. Тогда был новичком в теме. И теперь не дока. Теперь уже если в следующем...
|
|
| Автор: | Multik [ 23-10, 10:52 ] |
| Заголовок сообщения: | |
valvol писал(а): Там же приводится формула, позволяющая рассчитать потери в RCD - Pr=F*0.25*Uс2*С. Там же приводится формула позволяющая минимизировать суммарные потери в RCD и транзисторе C=0.22*Iмакс*tf/Uп. Я и говорю: Цитата: ... и так до бесконечности.
|
|
| Страница 2 из 87 | Часовой пояс: UTC + 4 часа |
| Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group http://www.phpbb.com/ |
|