Power Electronics :: Просмотр темы

и за что не поверите что ту самую энергию с емкости

перехода можно сливать в нагрузку

В момент включения эту мощность не видно, т.к. она рассеивается внутри транзистора, а симулятор считает мощность только для внешних токов и напряжений (см.формулу в графике).

в момент включения ключя симулятор показывает заниженную выделяемую на ключе мощьность без учёта мощьности разряда выходной ёмкости.А значит ключ чуствует себя много хуже чем показывает SWCAD.И наоборот при закрытии ключа выделяемая мощность ниже. Так ли это?

От смотрю симуль, осциллы... Да, в динамике кВт_ы. Вы можете привести ссылку на труды, а мож, сами экспериментировали, в части мощи/тёплости/градусов, выделяемых на ключах? то бишь, в отношении - половины?

Отсюда вывод - при определении мощности, рассеиваемой на ключе, не следует выделять выходную ёмкость из модели ключа, т.к. энергия, накопленная на выходной ёмкости в конечном итоге всё равно будет рассеяна на ключе.

Вы правы в том, что при жоской коммутации энергия выходной емкости транзюка никуда не денется, ей прямая дорога в тепло на кристалле.

что свичкад когда его просишь ... Он должен

Но пляс то ведь ради жибита, а это чудище хвостатое, и вот идею порубать именно этот хвост демпфером и пытался показать Лосев.

Таким образом, Вы очень много сказали ни о чём, но полезность в сем трёпе есть

Странная позиция

. SwCad-это всего лишь инструмент и он ни кому ни чего не должен.

При построении кривой мощности, в верхней строчке плоттера, он ясно пишет формулу по которой считается мгновенная мощность. Там учитываются только внешние напряжения и токи.

Обычно этого вполне достаточно. Однако, при желании, ни кто не мешает контролировать процессы, происходящие внутри модели транзистора.

Попытка достойная уважения.

Таким образом, Вы очень много сказали ни о чём, но полезность в сем трёпе есть

Однако, некоторые симулянты, которым симулятор заменяет почти все включая паяльник повадились вердикт симулятра выдавать за последнюю инстанцию и делать из его кривулек далеко идущие выводы.

И что же видим? Входная емкость давно перезаряжена, на затворе -15, у миллера нет никаких шансов бороться с таким "драйвером", но... у половика растет хвостик в 20нс длительностью

То чем занимаются "любители" это свободный поиск, который дает ищущим Силу и Радость, и не важно что кто-то что-то не понимает и выдает "бредовые" идеи. Из бредовых идей может и что-либо стоящее вырасти. Не надо этот процесс превращать в рутину и суету сует

То что на затворе -15В ещё не значит, что тоже самое на входной ёмкости. Модель, как и реальный транзистор, включает в себя объёмные сопротивления затвора (RG), которое включено между внешним выводом и собственно затвором.

Так что хвостик должен быть. Не веритете? Испытайте реальный транзистор.

Главное чтобы "бредовость" не становилась самоцелью. Думаю, что в интересах всех форумчан рассеивать, а не нагнетать бредни.

Как результат, отсутствие возможности всё это использовать.
Конечно, определенные проблемы всегда существуют. И в данном случае имеет ценность именно конструктивный подход, а не генерация сомнений во все и вся.

Считаете, что симулятор работает не корректно. Допустим. Сравните, что в данном случае показывают другие симуляторы (благо их много)

Сравните данные симулятора с данными, полученными в результате реального и корректного эксперимента.

Допустим что у нас есть почти идеальный драйвер, с фронтами в 1 нс и выходным сопротивлением 1 миллиом.
И вот мы пытаемся драйверить таким драйвером "реальную модель" половика.

Только далеко не у всех есть в наличии драйвер с наносекундными фронтами и 1 миллиомом внутреннего сопротивления (я вааще сомневаюсь что такая глушилка существует в реале хотя бы у ЦРУ), да и далеко не у каждого есть чем псомотреть что при этом на транзюке будет происходить и сколько наносекунд реально он будет выключаться.

Еще в модельке задаем источнику офф=-150 вольт (ну ничего ведь, это ж не реальный транзюк не пробьется ) и те же грабли

И что теперь делать?

В смысле задаете модели некие нереальные режимы и ожидаете от неё нечто осмысленное?

Так нафига?!

что как бы IR-овцы или исчо хто не знали свои половики, какой бы удачной ни была идеология спайс моделей и какой бы корректной не была модель конкретного транзюка, все равно абсолютно точно все не учтешь и те кто ваяют модели подгоняют некоторые параметры под датшит.

это только ради того чтоб понять, что происходит внутри черного ящика, называемого модель "реального" компонента

Достаточно набрать в Google что-то типа mosfet model и оттуда как из рога изобилия:

Автор:	MasterCat [ 10-12, 14:34 ]
Заголовок сообщения:
лосев писал(а): и за что не поверите что ту самую энергию с емкости перехода можно сливать в нагрузку периодически общаюсь с человеком, кторый последние 30 лет (если не больше) борется за корректную коммутацию в транзисторах. причём борется зная как эта хреновна работает. на уровне носителей знает. и его убедить можно только внятным изложением и аргументированными цифрами. потом макетом в железе и мат моделью. пусть это будет матлаб микрокап или спэйс. не принципиально. ещё лучше, в данном случае, просто формулы. шашки на голО - это , конечно увлекательное занятие, но лучше АРГУМЕНТЫ в студию принести. информативнее. ежели слабо, то и говорить не очем. повторюсь. сваришики со сварочниками не летают и с высоты в 8 км не падают. всё, как-то поближе к земле. так что аргументы, плиз.

Автор:	proba [ 13-12, 17:25 ]
Заголовок сообщения:
valvol писал(а): В момент включения эту мощность не видно, т.к. она рассеивается внутри транзистора, а симулятор считает мощность только для внешних токов и напряжений (см.формулу в графике). Ну а если так, то запоздалая мысль,в момент включения ключя симулятор показывает заниженную выделяемую на ключе мощьность без учёта мощьности разряда выходной ёмкости.А значит ключ чуствует себя много хуже чем показывает SWCAD.И наоборот при закрытии ключа выделяемая мощность ниже. Так ли это?

Автор:	valvol [ 13-12, 18:33 ]
Заголовок сообщения:
proba писал(а): в момент включения ключя симулятор показывает заниженную выделяемую на ключе мощьность без учёта мощьности разряда выходной ёмкости.А значит ключ чуствует себя много хуже чем показывает SWCAD.И наоборот при закрытии ключа выделяемая мощность ниже. Так ли это? Так и есть. Но "ключ чуствует себя много хуже" сильно сказано. Транзисторы способны достаточно безболезненно разряжать свои внутренние ёмкости. Однако мягкая коммутация при нулевом напряжении ZVS способна дополнительно облегчить не лёгкую транзисторную долю.

Автор:	pwn [ 14-12, 03:06 ]
Заголовок сообщения:
Maikl писал(а): От смотрю симуль, осциллы... Да, в динамике кВт_ы. Вы можете привести ссылку на труды, а мож, сами экспериментировали, в части мощи/тёплости/градусов, выделяемых на ключах? то бишь, в отношении - половины? Господин Лосев прав... отчасти. Если мух налево а котлеты направо, то говорить нужно не о выигрыше в кпд, а о выгрыше в надежности. Думаю никому америку не открою, что при жоской коммутации кристал подтачивают в первую очередь эти самые киловаты динамических потерь, и незначительные перегрузки по динмике гораздо быстрее приводят в гости баха нежели аналогичные по статике. Именно в этом смысл ограничения тока в зависимости от частоты в датшитах на жибиты -> динамика пропроциональна статике и частоты клацанья и именно ее "лимитируют" таким образом. Для аналогии - лазер. Средняя моща единицы ватт, но им умудряются резать весьма тугоплавкие материалы. Убрав динамику в кпд выиграем не так уж и много, уж не половину однозначно, но зато статику за счет этого можно поднять раза в два и тем самым выиграть в моще дэвайса при прочих равных.

Автор:	pwn [ 14-12, 05:00 ]
Заголовок сообщения:
valvol писал(а): Отсюда вывод - при определении мощности, рассеиваемой на ключе, не следует выделять выходную ёмкость из модели ключа, т.к. энергия, накопленная на выходной ёмкости в конечном итоге всё равно будет рассеяна на ключе. Вывод верный но... Господин Лосев тоже прав. Вы правы в том, что при жоской коммутации энергия выходной емкости транзюка никуда не денется, ей прямая дорога в тепло на кристалле. И Лосев прав в том, что свичкад когда его просишь нарисовать кривую потерь рисует выброс не там где нада. Он должен был отрисоваться при включении, а на графике при выключении. При том шо транзюк ужо давно выключился при фактически нулевом напряжении (ZVS) на нем. И сия ботва портит Лосеву весь кайф, бо трудно показать на таком графике шо демпферный диод свое дело делает и динамика при выключении нулевая. Далее, в модели половик, а ему глубоко пофик включение или выключение (отсюда и споры в стиле "нафик нада, какая разница"), динамика одинакова, на то он и половик. Но пляс то ведь ради жибита, а это чудище хвостатое, и вот идею порубать именно этот хвост демпфером и пытался показать Лосев. Ведь в инверторе с жибитом динамика включения мало кого колебает (да и ток в этот момент минимален) зато динамика выключения очень даже - хвост+ток максимален. Прописные истины, неужели не ясно?

Power Electronics https://valvol.ru/

Снабберы https://valvol.ru/topic26.html	Страница 56 из 87

Автор:	valvol [ 14-12, 10:16 ]
Заголовок сообщения:
pwn писал(а): Вы правы в том, что при жоской коммутации энергия выходной емкости транзюка никуда не денется, ей прямая дорога в тепло на кристалле. В самом деле, рассуждения велись вокруг моделей, которые предоставил Лосев: http://valvol.flyboard.ru/viewtopic.php?p=27243#27243 http://valvol.flyboard.ru/viewtopic.php?p=27262#27262 В этих моделях, при включении, энергия, накопленная в выходной и проходной ёмкостях транзистора, рассеивается в его же кристалле. pwn писал(а): что свичкад когда его просишь ... Он должен Странная позиция . SwCad-это всего лишь инструмент и он ни кому ни чего не должен. При построении кривой мощности, в верхней строчке плоттера, он ясно пишет формулу по которой считается мгновенная мощность. Там учитываются только внешние напряжения и токи. Обычно этого вполне достаточно. Однако, при желании, ни кто не мешает контролировать процессы, происходящие внутри модели транзистора. В LTspice/SwCad для этого, например, можно перевести модель на уровень иерархической схемы. Подобные возможности присутствуют и в других SPICE симуляторах. pwn писал(а): Но пляс то ведь ради жибита, а это чудище хвостатое, и вот идею порубать именно этот хвост демпфером и пытался показать Лосев. Попытка достойная уважения. Сплинта писал(а): Таким образом, Вы очень много сказали ни о чём, но полезность в сем трёпе есть

Автор:	pwn [ 14-12, 16:07 ]
Заголовок сообщения:
valvol писал(а): Странная позиция . SwCad-это всего лишь инструмент и он ни кому ни чего не должен. А я всего лишь человек, и тоже никому ничего не должен (пока) Однако, некоторые симулянты, которым симулятор заменяет почти все включая паяльник повадились вердикт симулятра выдавать за последнюю инстанцию и делать из его кривулек далеко идущие выводы. А господин Лосев пытался (и за мной тоже есть такой грех ) показать что в некоторых ситуациях модели "реальных компонентов" юзать нельзя, так как кроме брехологии ничего на кривульках не отсимится. Пример: Допустим что у нас есть почти идеальный драйвер, с фронтами в 1 нс и выходным сопротивлением 1 миллиом. И вот мы пытаемся драйверить таким драйвером "реальную модель" половика. И что же видим? Входная емкость давно перезаряжена, на затворе -15, у миллера нет никаких шансов бороться с таким "драйвером", но... у половика растет хвостик в 20нс длительностью и только потом начинает перезаряжаться выходная емкость. Откуда он береться? Из неидеальности модели. И в итоге симуль хороший инструмент, помогает экономить время, но не до фанатизма. Бо для переходных процессов в полупроводе на кривые смотришь - один видишь а два в уме Цитата: При построении кривой мощности, в верхней строчке плоттера, он ясно пишет формулу по которой считается мгновенная мощность. Там учитываются только внешние напряжения и токи. Мне это понятно и очевидно, но... фигня на кривых получается Брехология, хотя надо признать в большинстве случаев малозаметная и несущественная. Например тычок импульсной рассеиваемой мощи при закрытии жибита порожденный "хвостом" покрывает дорисованный сечкой заряд выходной емкости как бык овцу. Цитата: Обычно этого вполне достаточно. Однако, при желании, ни кто не мешает контролировать процессы, происходящие внутри модели транзистора. Вот поэтому я после месяца начального освоения свичкада и борьбы за результаты симания на "реальных" компонентах послал их фтопку (бо времени на борьбу с глюками и доводку таких моделей иной раз уходит больше чем на доводку реального макета) и юзаю идеальные ключи. Для того чтоб отсимить статические потери их хватает за глаза, а что реально будет в динамике покажет только реальный макет. Цитата: Попытка достойная уважения. Любая попытка поделиться опытом, знаниями или просто идеей (даже самой бредовой на первый взгляд) достойна уважения. И только самовлюбленный глупец, теша свое чувство собственной значимости, глядя на такие попытки будет навешивать ярлыки: Сплинта писал(а): Таким образом, Вы очень много сказали ни о чём, но полезность в сем трёпе есть То чем занимаются "любители" это свободный поиск, который дает ищущим Силу и Радость, и не важно что кто-то что-то не понимает и выдает "бредовые" идеи. Из бредовых идей может и что-либо стоящее вырасти. Не надо этот процесс превращать в рутину и суету сует

Автор:	valvol [ 14-12, 17:29 ]
Заголовок сообщения:
pwn писал(а): Однако, некоторые симулянты, которым симулятор заменяет почти все включая паяльник повадились вердикт симулятра выдавать за последнюю инстанцию и делать из его кривулек далеко идущие выводы. Симуляторы электронных схем достаточно сложные программы, которые предусматривают определённый уровень знаний пользователя как в электронике, так и в самой программе. В противном случае, не сложно получить очень много сенсационных результатов. pwn писал(а): И что же видим? Входная емкость давно перезаряжена, на затворе -15, у миллера нет никаких шансов бороться с таким "драйвером", но... у половика растет хвостик в 20нс длительностью То что на затворе -15В ещё не значит, что тоже самое на входной ёмкости. Модель, как и реальный транзистор, включает в себя объёмные сопротивления затвора (RG), которое включено между внешним выводом и собственно затвором. Так что хвостик должен быть. Не веритете? Испытайте реальный транзистор. pwn писал(а): То чем занимаются "любители" это свободный поиск, который дает ищущим Силу и Радость, и не важно что кто-то что-то не понимает и выдает "бредовые" идеи. Из бредовых идей может и что-либо стоящее вырасти. Не надо этот процесс превращать в рутину и суету сует Главное чтобы "бредовость" не становилась самоцелью. Думаю, что в интересах всех форумчан рассеивать, а не нагнетать бредни. Иначе полный бардак, не верие данным производителей, моделям, программам симуляторов, надписям на компонентах... Как результат, отсутствие возможности всё это использовать. Конечно, определенные проблемы всегда существуют. И в данном случае имеет ценность именно конструктивный подход, а не генерация сомнений во все и вся. Считаете, что симулятор работает не корректно. Допустим. Сравните, что в данном случае показывают другие симуляторы (благо их много). Сравните данные симулятора с данными, полученными в результате реального и корректного эксперимента.

Автор:	pwn [ 14-12, 20:04 ]
Заголовок сообщения:
valvol писал(а): То что на затворе -15В ещё не значит, что тоже самое на входной ёмкости. Модель, как и реальный транзистор, включает в себя объёмные сопротивления затвора (RG), которое включено между внешним выводом и собственно затвором. Да, они есть не спорю. Есть также еще индуктивность выводов, но... не до такой степени они влияют. Еще в модельке задаем источнику офф=-150 вольт (ну ничего ведь, это ж не реальный транзюк не пробьется ) и те же грабли, а должно бы зело поменяться, ведь напруга возрасла на порядок а RзСвх вроде б как от этого больше не стала. Цитата:* Так что хвостик должен быть. Не веритете? Испытайте реальный транзистор. Разумеется, у реального половика хвостик есть, но зависит в первую очередь от параметров драйвера, резюка последовательно в цепи затвора и миллера. Цитата: Главное чтобы "бредовость" не становилась самоцелью. Думаю, что в интересах всех форумчан рассеивать, а не нагнетать бредни. Есть другая крайность, "борьба с бредовостью". Которая на раз вырождается в охоту на ведьм Цитата: Как результат, отсутствие возможности всё это использовать. Конечно, определенные проблемы всегда существуют. И в данном случае имеет ценность именно конструктивный подход, а не генерация сомнений во все и вся. Это утверждение тоже крайность. Я лично давно нашел для себя компромайс - не юзаю модели "реальных компонентов" и не мучаюсь сомнениями на тему что происходит с полупроводом при переходных процесах Цитата: Считаете, что симулятор работает не корректно. Допустим. Сравните, что в данном случае показывают другие симуляторы (благо их много) Да только в основе их одни и те же спайс модели Что сранивать тогда? Криворукость писателей симулей? . Цитата: Сравните данные симулятора с данными, полученными в результате реального и корректного эксперимента. Только это и остается. Только далеко не у всех есть в наличии драйвер с наносекундными фронтами и 1 миллиомом внутреннего сопротивления (я вааще сомневаюсь что такая глушилка существует в реале хотя бы у ЦРУ), да и далеко не у каждого есть чем псомотреть что при этом на транзюке будет происходить и сколько наносекунд реально он будет выключаться.

Автор:	valvol [ 14-12, 20:47 ]
Заголовок сообщения:
pwn писал(а): Допустим что у нас есть почти идеальный драйвер, с фронтами в 1 нс и выходным сопротивлением 1 миллиом. И вот мы пытаемся драйверить таким драйвером "реальную модель" половика. pwn писал(а): Только далеко не у всех есть в наличии драйвер с наносекундными фронтами и 1 миллиомом внутреннего сопротивления (я вааще сомневаюсь что такая глушилка существует в реале хотя бы у ЦРУ), да и далеко не у каждого есть чем псомотреть что при этом на транзюке будет происходить и сколько наносекунд реально он будет выключаться. И что теперь делать? pwn писал(а): Еще в модельке задаем источнику офф=-150 вольт (ну ничего ведь, это ж не реальный транзюк не пробьется ) и те же грабли В смысле задаете модели некие нереальные режимы и ожидаете от неё нечто осмысленное?

Автор:	Трибун [ 14-12, 21:18 ]
Заголовок сообщения:
Sorry, зубры. Не затопчите... ИМХО спор о той степени заточенности как симулятора, так и испытательной аппаратуры, которая пока недостижима. Т.е. симулятор не отражает то, что и увидеть реально затруднительно. Так нафига?!

Автор:	pwn [ 14-12, 22:45 ]
Заголовок сообщения:
valvol писал(а): И что теперь делать? жить дальше Цитата: В смысле задаете модели некие нереальные режимы и ожидаете от неё нечто осмысленное? А почему бы нет? В ней что, какие-то особенные сопротивления затвора и входная емкость? Да, реальный половик если ему вкрячить 150 вольт на затвор пробъется нафик, но сие не означает что прочность изоляции окисла под затвором как-то влияет на физику работы канала И за те несколько наносекунд до кирдыка, когда окисел будет пробит, он будет обязан выключиться, и весьма шустро, бо на затворе уже будет отрицательный заряд несмотря ни на какие объемные сопротивления и входные емкости

Автор:	pwn [ 14-12, 22:56 ]
Заголовок сообщения:
Трибун писал(а): Так нафига?! Нафига это только ради того чтоб понять, что происходит внутри черного ящика, называемого модель "реального" компонента. А еще ради того чтоб попытаться продемонстрировать, что как бы IR-овцы или исчо хто не знали свои половики, какой бы удачной ни была идеология спайс моделей и какой бы корректной не была модель конкретного транзюка, все равно абсолютно точно все не учтешь и те кто ваяют модели подгоняют некоторые параметры под датшит. Положено транзюку по датшиту запираться за 20 (плюс минус пару бочек) наносекунд - получите распишитесь. А там хоть мегавольты на затвор подавайте, это уже ничего не изменит PS Однако, флуд офф. Спорить и кого-то переубеждать смысла не вижу никакого, а кому это нужно и интересно найдут сами, благо поисковики форумы индексируют весьма шустро, тем паче что форум "раскручен"

Автор:	valvol [ 14-12, 23:17 ]
Заголовок сообщения:
pwn писал(а): что как бы IR-овцы или исчо хто не знали свои половики, какой бы удачной ни была идеология спайс моделей и какой бы корректной не была модель конкретного транзюка, все равно абсолютно точно все не учтешь и те кто ваяют модели подгоняют некоторые параметры под датшит. Короче труд бедных IR-овцев обречен. Им вам не угодить в любом случае. pwn писал(а): это только ради того чтоб понять, что происходит внутри черного ящика, называемого модель "реального" компонента Отнюдь не "чёрный ящик". Достаточно набрать в Google что-то типа mosfet model и оттуда как из рога изобилия: http://web.cs.mun.ca/~paul/transistors/node3.html http://ecee.colorado.edu/~bart/book/models.htm http://web.engr.oregonstate.edu/~moon/e ... ter_16.pdf http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bs ... /slide.pdf и т.д. Только успевай читать.

Страница 56 из 87	Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group http://www.phpbb.com/

Автор:	Maikl [ 14-12, 23:35 ]
Заголовок сообщения:
valvol писал(а): Достаточно набрать в Google что-то типа mosfet model и оттуда как из рога изобилия: интересно! И то, что высыпется можно вкладывать в СВкад или другую прогу?