Power Electronics
https://valvol.ru/

Снабберы
https://valvol.ru/topic26.html
Страница 57 из 87

Автор:  valvol [ 14-12, 23:37 ]
Заголовок сообщения: 

Maikl писал(а):
интересно! И то, что высыпется можно вкладывать в СВкад или другую прогу?

Модель MOSFET уже встроена в LTspice

Автор:  Maikl [ 14-12, 23:40 ]
Заголовок сообщения: 

valvol писал(а):
Модель MOSFET уже встроена в LTspice
так она, как понимаю, для разных МОСФЕТов разная. А на другие компоненты, которых нет в библиотеке симулятора, тоже можно качнуть из сети?

Автор:  valvol [ 14-12, 23:58 ]
Заголовок сообщения: 

Maikl писал(а):
как понимаю, для разных МОСФЕТов разная.

Модель одна, но различные значения параметров настройки. Перечень и значения параметров можно посмотреть в Help/Help Topics/LTspice/Circuit Elements/M.MOSFET . Можно использовать доступную русскоязычную информацию на любые другие SPICE симуляторы.
Многие производители обеспечивают свои транзисторы моделями на основе подсхем (SUBCKT). Эти модели обеспечивают лучшее качество симуляции, но работают медленнее встроенных, т.к. увеличивают общее число узлов схемы.

Автор:  proba [ 15-12, 00:02 ]
Заголовок сообщения: 

Выдержка из книги

В.Д.РАЗЕВИГ
ПАКЕТ СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ PSpice 5
..............
К настоящему времени затраты труда на разработку пакет программ се-
мейства PSpice составили более 150 человеко-лет.
...однако внушает !

Автор:  Maikl [ 15-12, 00:07 ]
Заголовок сообщения: 

valvol
как иногда говаривает Трибун, повторю в отношении себя - дремуч я, аки сибирская тайга :lol: :lol: :lol: Мне бы в СВкаде чот понять, не говоря уж о "лепке" моделей компонентов :) :lol:

Автор:  valvol [ 15-12, 00:11 ]
Заголовок сообщения: 

proba писал(а):
К настоящему времени затраты труда на разработку пакет программ се-
мейства PSpice составили более 150 человеко-лет.

И это только один клон SPICE! А сколько сторонних специалистов работали над созданием базовых моделей электронных компонентов в "досимуляторную" эпоху и работают сейчас, усовершенствуя эти модели!

Автор:  valvol [ 15-12, 00:21 ]
Заголовок сообщения: 

Maikl писал(а):
Мне бы в СВкаде чот понять, не говоря уж о "лепке" моделей компонентов

Модели содержат очень много конструктивной, технологической и другой информации, которая не приводится в доступных информационных источниках. Эта информация известна только производителям. Хотя в состав практически всех коммерческих SPICE симуляторов входит специальная программа, которая позволяет склеить модель, опираясь только на данные из даташита. Я, при необходимости, использую Pspice Model Editor.

Так как разговор основательно ушел в сторону моделей, то данное сообщение продкблировано в теме Библиотеки к SwCAD и MicroCap. В этом направлении лучше общаться там.

Автор:  TSDrive [ 25-03, 11:19 ]
Заголовок сообщения: 

"
Цитата:
Выяснилось в итоге, что виновата усталость кристалла в транзисторе ключа (как при открытии так и при закрытии), но .... т.к. это шло в разрез некоему "мнению" (многие поняли что имею ввиду), то к сведению приняли,но человека выгнали
" -
-"усталость" эта называется "термоциклирование". И ее никакой симулятор не посчитает. А статистику отказов из-за этого самого "термоциклирования" никакой производитель не даст. Но порыться по статьям, можно и найти.

Автор:  VVS_ [ 07-04, 07:48 ]
Заголовок сообщения: 

Здравствуйте.
Я у вас тут впервые. Вопрос у меня простой. После изучения статей про нон-диспассивные снабберы пришла в голову простая мысль в RCD снаббере заменить R на L. Испытал в модели, испытал на обратноходе, режим коммутации при нулевом токе или напряжении соблюдается, эффективность повышается. Вроде все ок.
Можно дальше воплощать в жизнь или есть подводные камни?

Автор:  Maikl [ 07-04, 08:09 ]
Заголовок сообщения: 

VVS_ писал(а):
Испытал в модели, испытал на обратноходе, режим коммутации при нулевом токе или напряжении соблюдается, эффективность повышается. Вроде все ок.
а обои или модельку показать можете?

Автор:  valvol [ 07-04, 08:17 ]
Заголовок сообщения: 

VVS_ писал(а):
пришла в голову простая мысль в RCD снаббере заменить R на L

Любой недиссипативный снаббер возвращает накопленную энергию коммутации в источник или нагрузку. Если эта энергия не возвращается, то скорей всего рассеивается в активном сопротивлении диода и индуктивности. Т.е. эффект не достигается.
Можете выложить модельку, покажем где смотреть

Автор:  samodel [ 07-04, 15:37 ]
Заголовок сообщения: 

VVS_ писал(а):
пришла в голову простая мысль в RCD снаббере заменить R на L

Когда-то этот вариант уже обсуждался зесь или на Мастерсити. Если правильно помню, мощность рассеивается на диоде снаббера.

Автор:  Maikl [ 07-04, 18:40 ]
Заголовок сообщения: 

VVS_ писал(а):
про нон-диспассивные снабберы пришла в голову простая мысль в RCD снаббере заменить R на L. Испытал в модели, испытал на обратноходе, режим коммутации при нулевом токе или напряжении соблюдается, эффективность повышается.

Maikl писал(а):
а обои или модельку показать можете?

valvol писал(а):
Можете выложить модельку, покажем где смотреть
samodel писал(а):
Если правильно помню, мощность рассеивается на диоде снаббера.
вродь как всё сказано. Ждём (с) :)

Автор:  VVS_ [ 08-04, 07:15 ]
Заголовок сообщения: 

Вот картинка
ftp://vvs.tomsk.ru/upload/1/snubber1.gif
или
http://flyfolder.ru/17192107

Сделал в воркбенче, пока ничего другого под рукой нет. На счет мощности в диоде трудно сказать, но картинка нравится.
На реальном макете она такая же.

Автор:  samodel [ 08-04, 07:36 ]
Заголовок сообщения: 

VVS_ писал(а):
На счет мощности в диоде трудно сказать

Что за сиулятор вы используете, если в нём нельзя посмотреть мощность?
Я вот в LTspice легко могу это сделать. Вот вам мощность на диоде
Изображение

Страница 57 из 87 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/