штуша-кутуша писал(а): А по поводу т.н. "деградации кристаллов" - думаю просто кто-то чего-то слишком обчитался, и сделал страшные выводы
ИМХО не стоит замыкаться на физике кристаллов. Оставим эту область специалистам. В нашем распоряжении есть даташиты и опыт использования.
В даташитах приводится графическая зависимость максимального теплового сопротивления кристалл-корпус (Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case) для случая коротких импульсов мощности. К сожалению эти графики не учитывают скорость утилизации тепла для случая очень коротких импульсов мощности, однако показывают общую картину. Для примера, обратимся к данным IRG4PC50U. Для него тепловое сопротивление кристалл-корпус уменьшается примерно в 3.3раза (корень из 10) при сокращении длительности импульса в 10раз, начиная с 0.1сек (похожая картина сохраняется и для других транзисторов). Допустим длительность импульса мощности в момент выключения 100нС, а текущая температура кристалла 100гр.С (при максимальной 150гр.С). Тепловое сопротивление кристалла для длительных процессов 0.64 C/W. Тогда для длительности 100нс тепловое сопротивление уменьшится примерно в 900 раз. Чтобы структура не перегрелась выше 150гр.С импульс мощности не должен превышать (150-100)/(0.64/900)=70кВт.
Однако опыт говорит
Multik писал(а): Я для себя точно выяснил, что риск вылета транзисторов резко возрастает при пиковой мощности потерь на фронтах, превышающей 3 КВт, дальше всё зависит от интеграла этой мощности, то есть, от длительности этого пика, и частоты. Видимо, создаётся какой-то локальный перегрев в кристалле, при котором тепло не успевает рассосаться по кристаллу и уйти на радиатор. При повышении напряжения в сети, эта мощность растёт быстрее, чем напряжение, в конце концов появляется известный пушистый зверёк и накрывает всё медным тазиком.
|
но ПМСМ без конкретного примеру нету смысла гнать волну..
