Power Electronics
https://valvol.ru/

Делаем сварочник
https://valvol.ru/topic3.html		 Страница 166 из 218
Автор:  EvgeniS [ 18-05, 14:37 ]
Заголовок сообщения: 
Plasmalab писал(а):
30 кГц.

производитель модуля пишет 20-25кГц.
Автор:  Plasmalab [ 18-05, 15:06 ]
Заголовок сообщения: 
Dizel1 писал(а):
надо глянуть если чатота позволит.. то почему бы и нет..
но можно и не обизательно мост... на 2 модулях и косой злой выйдет

Как писал выше, модули полумостовые, поэтому возможен либо полумост, либо мост-косой не получится.
По частоте вроде подойдет:td(on)=120 ns, tr=300 ns, td(off)=200 ns
tf=300 ns.
Озадачился расчетом транса: W=(U*Kз)\(2*Bm*f*Sc) или
W=(U*Kз)\(4*Bm*f*Sc)
1)Что должно быть в знаменателе- 4 или 2?
2)Кз=0,8-0,9 или 0,4-0,45
3)U - напряжение питания или напряжение в средней точке конденсаторного делителя?
Автор:  Plasmalab [ 18-05, 15:08 ]
Заголовок сообщения: 
Dizel1 писал(а):
надо глянуть если чатота позволит.. то почему бы и нет..
но можно и не обизательно мост... на 2 модулях и косой злой выйдет

Как писал выше, модули полумостовые, поэтому возможен либо полумост, либо мост-косой не получится.
По частоте вроде подойдет:td(on)=120 ns, tr=300 ns, td(off)=200 ns
tf=300 ns.
Озадачился расчетом транса: W=(U*Kз)\(2*Bm*f*Sc) или
W=(U*Kз)\(4*Bm*f*Sc)
1)Что должно быть в знаменателе- 4 или 2?
2)Кз=0,8-0,9 или 0,4-0,45
3)U - напряжение питания или напряжение в средней точке конденсаторного делителя?
Автор:  EvgeniS [ 18-05, 16:55 ]
Заголовок сообщения: 
Plasmalab
косой получится, если использовать по одному ключу из двух блоков (с) Dizel :)
Автор:  EvgeniS [ 18-05, 17:00 ]
Заголовок сообщения: 
Plasmalab писал(а):
1)Что должно быть в знаменателе- 4 или 2?

уже задавался этим вопросом. Интересно услышать разъяснение магистров. В разных источниках (литературных) по-разному. но и индукция в однотакте и двухтакте тоже в 2 раза отличается.
Plasmalab писал(а):
2)Кз=0,8-0,9 или 0,4-0,45
связано с 1)


Plasmalab писал(а):
3)U - напряжение питания или напряжение в средней точке конденсаторного делителя?
Разумеется то, которое к трансу приложено. Для полумоста 150В
Автор:  Трибун [ 18-05, 17:27 ]
Заголовок сообщения: 
Ломакин писал(а):
При увеличении max тока втрое необходимо втрое увеличить емкость снабберов.

Alex Thorn писал(а):
снаббер формирует траекторию коммутации, его номинал зависит от скорости коммутации ключа и максимального тока силовой части.

Ток тут не при делах ИМХО. Только время коммутации ключа. Задача снаббера - поДставить себя на это время взяв весь ток или его часть. Это определяет его время работы, а емкость в чистую зависит от скорости ключа и приложеного напряжения. Так это понимаю. Для 100% поддержки ключа снаббером даже форУла есть, она без тока.
Автор:  Ломакин [ 18-05, 20:29 ]
Заголовок сообщения: 
Трибун

Из определения C=Q/U, т.е. C=I*t/U, где t -скорострельность ключа, а I-max ток через первичную обмотку транса. C лучше взять с запасом. При таком подходе ток считается неизменным( что почти верно) и емкость оттяпает на себя его часть( что почти неверно в принципе до запирания транзистора. Выйдя в линейную зону транзистор станет пересекать все ветки вольтамперной хар-ки и емкости будет доставаться разница между токами . Тут важнее, при каком напряжении на емкости и транзисторе произойдет полное запирание транзистора- так можно подсчитать вручную max импульсную мощность на транзисторе. Далее весь ток потечет через емкость). Так как конденсатора 2, то С в формуле- их сумма.
Я привел всю эту бодягу чтобы показать зависимость емкости от тока в трансе и с Alexом совершенно согласен.
Автор:  Ломакин [ 18-05, 20:52 ]
Заголовок сообщения: 
Alex
По сердечникам такая ересь. Они хороши тем, что дармовые, и плохи малым окном. Отсюда, хочешь хорошее сечение провода- добавляй сечение феррита. 6 фер. от 100гц телевизионных строчников (62кгц) практически эквивалентны двум Е80 в паралель (и по геометрии тоже). Т.е. на 160А(180 max) для певички-9,5мм^2, 18вит и вторички 26мм^2 ,6вит феррит с большим запасом на 33кгц. Но делать слишком куцый транс я не хотел. У меня все расписано на схеме в ветке 3846.
Автор:  Трибун [ 18-05, 20:54 ]
Заголовок сообщения: 
Да, был не очень прав, цитата:
"Основной задачей RCD-цепочек R5C4VD3 и R6C5VD6 является снижение динамических потерь на транзисторе в момент его выключения (обычно время выключения транзистора на порядок больше времени включения и поэтому потери в момент выключения гораздо больше чем при включении). Исходя из сказанного конденсатор С4(С5) должен шунтировать ключевой транзистор в течении времени спада тока. Например, для IRG4PC50U время спада tf =120nS(типовое значение при температуре кристалла 150гр.С). Если инвертор работает на индуктивную нагрузку (ток во время выключения практически не меняет своего значения) и максимальный ток равен 46.7А, то емкость конденсатора можно найти по формуле C=Iмакс*tf/Uп=46.7*120*10-9/220=0.025мкФ (считаем, что Uп под нагрузкой составляет 220В). В оригинальной конструкции уже стоял конденсатор 0.03мкФ (3*0.01), который и решено было оставить без изменений. Зная ёмкость конденсатора и частоту коммутации F можно определить мощность рассеиваемую на резисторе R5(R6) - Pr=F*0.25*Uс2*С=30000*0.25*2202*0.03*10-6=11вт. Резистор выбирается из соображения TRC=R*C<<0.5/F. При этом резистор должен иметь достаточную величину, чтобы при открытии транзистора ток через него не превысил максимально допустимый.
Разумеется, RCD-цепочка способствует уменьшению перенапряжений, возникающих в схеме при неудачной компоновке и большой индуктивности рассеяния трансформатора, но лучшим способами борьбы с перенапряжениями всё же надо признать продуманную компоновку."
Сказаное проверял в модели, меняя емкости и контролируя пик мощности выключения. Для полтинника, при увеличении емкости, мощность резко падает до емкостей 10н, в районе 15-18н происходит перегиб и после 22н мощность уже уменьшается малозаметно. Вот в районе 22н и дает расчет. Т.о. расчет дает емкость полностью перекрывающую время коммутации ключа. Т.е. в случае насилия над ключами надо ориентироваться на 22н, а в облегченном варианте пройдет и 10н а то и меньше. Такие мои выводы.
Автор:  Ломакин [ 18-05, 23:17 ]
Заголовок сообщения: 
Трибун
Если можно, чуть подробнее по модели. "Полтиник"-это 50А или 50 чего? Емкости- каждая из двух, или суммарная? Какова импульсная мощность на транзисторах при 10, 16 и 22нанах?
Автор:  tig0r [ 18-05, 23:25 ]
Заголовок сообщения: 
Ломакин писал(а):
"Полтиник"-это 50А или 50 чего?

IRG4PC50U IMHO.
Автор:  Alex Thorn [ 18-05, 23:32 ]
Заголовок сообщения: 
Ломакин писал(а):
Какова импульсная мощность на транзисторах при 10, 16 и 22нанах?

Здесь надо сделать уточнение : модели многих ижбт не совсем гладко сходятся с даташитом, поэтому, имхо, оценить импульсную мощность можно только при обязательной проверке времени коммутации в модели, поскольку этот параметр зависит от температуры кристалла.
Автор:  Ломакин [ 19-05, 00:00 ]
Заголовок сообщения: 
Alex Thorn писал(а):
модели многих ижбт не совсем гладко сходятся с даташитом


Так отож. Потому и распрашиваю подробнее. Поскольку речь шла о токах подозреваю 50А. Слэнг штука острая, но возможно различное толкование...
Я при 60А max для 2-х спараллеленых IRG4PC50W ставлю 10н в каждое плечо. Интересно сравнить с Трибуном и его расчетом.
Автор:  Трибун [ 19-05, 00:35 ]
Заголовок сообщения: 
Ломакин
Речь была об IRG4PC50U в косом мосте. Как там можно обьединять емкости не представляю. Это в регенерате они регенерируются совместно, но ключи снаббят раздельно. Вот один из сохранившихся для RCD, токи видимо около 150А на выходе:
Изображение

Аналогичное можно проделать для любой конкретной схемы, но для близких по скорости ключей емкости снабберов получатся тоже близкие. На графике это 15-22н для полного эффекта и 8-15н для слаботочных вариантов, где полный эффект излишен, но приведет к потери КПД за счет избыточного снаббера. Плохо помню, но вроде Мультик интуитивно установил предел для пика мощности 1,5кВт. В совсем слабых приложениях этого ключа возможно эта цифирь и без снаббера получится.
Автор:  Alex Thorn [ 19-05, 01:08 ]
Заголовок сообщения: 
Трибун писал(а):
интуитивно

Вообще, имхо, в даташите достаточно информации, чтобы определить поведение кристалла в зависимости от пиковых мощностей.
Ломакин, в промышленном косом DAX 150 баяны по два 50W без проблем работают при параллельно КЭ конденсаторах 2,2nF. Уже электролиты и сетевые кнопки по второму кругу поменялись, а они всё дуют. Только один из них попал в "больничку" и после проверки тока намагничивания :smoon: и повышения частоты преобразования успешно функционирует дальше на "дубовых" 900-вольтовых из серии Фаст ( Tfall = 250-400 nS ) при тех-же снабберах 2,2nF . Уже пять лет успешно "жарит" мой косарь на баянах по два 50w при RCD с конденсаторами 4,7nF. Единственно правильный вывод, который лично для сэбэ сделал после просмотра промышленных вариантов - снаббить необходимо исключительно на время коммутации, "глубина" снаббирования - вопрос совершенно вторичный, который вылезет боком при недостаточно эффективном отводе тепла от транзистора. Что касается всякой там деградации с дегенерацией :D , то кристалл, который однозначно "плавает" температурой относительно корпуса транзистора при изменении длины дуги и переходе с хх на дугу и обратно, никогда не станет "вечным" вне зависимости от качества снаббирования.
Ломакин, к вопросу о строчниках, у Вас там насчитывется "типовое" 0,22 Тл . Зазор 0,1мм ( суммарный ?). Так понимаю, что форму тока намагничивания Вы выбрали совершенно "линейную" ?
Страница 166 из 218 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/