Power Electronics
https://valvol.ru/

Программы моделирования.
https://valvol.ru/topic36.html
Страница 24 из 37

Автор:  Aml [ 21-01, 16:33 ]
Заголовок сообщения: 

Трибун, спасибо!

Попробовал оценить влияние ограничение шага максимального шага расчета на "мертвое время", получающееся в модели, условно полагая, что оно равно времени заднего фронта пилы плюс время нарастания до уровня 0.1В.
R=22кОм, C=1нФ. Расчет в MC9 при установденных Global Settings "для силовых схем" (снижена точность расчета, поэтому вероятность ошибки в быстрых процессах выше).

Реализованная в настоящее время модель генератора дает следующие результаты:
Изображение
При малом шаге расчета (10нС) результат вполне приемлемый - мертвое время 4%
При обычном ограничении (100нС) - уже 15%, что, ИМХО, за границей приемлемой точности. А при еще большем допустимом шаге (400 нС) пила уходит в отрицательную область и результаты совсем кривые - мертвое время стало 30%.

В новой модели (которую я сейчас отлаживаю) достоверность лучше.
Изображение
При ограничении шага в 10 нС мертвое время получается 4%, при 100нС - 5.2%, а при 400нС - 6%. По-моему, вполне приемлемо получается.

Автор:  valvol [ 21-01, 16:53 ]
Заголовок сообщения: 

Aml писал(а):
Сдается мне, что точность модели уже превышает разброс параметров реальных микросхем

В смысле разбросы информации реальных даташитов? :)
Вообще мне, больше чем у TI, понравился даташит ON Semiconductors, где приводится более подробная (а может быть отличная от первой) функциональная схема контроллера, а так же приводятся кривулины падения на выходных ключах для схем включения с ОЭ и ОК. Правда эта версия ТЛ-ки имеет и большие допустимые токи выходных ключей - до 500мА.

Автор:  uriy [ 21-01, 21:21 ]
Заголовок сообщения: 

Вроде я как опоздал, ну всётаки чегото нарисовал в маштабе. :prankster:
Изображение
точки - переход между ленейным и неленейным спадом (видимые глазом) напряжения измеряного на ёмкости.
Эта общая кортинка с меньшей точьностью.
Изображение
Синусоидальные изгибы в раёне 2 вольт разрывают линейность наростания напряжения(я так понял это влияние срабатывания компаратора при равенстве амплитуды УО и генератора)
Микросхема TL494CN 65J57RK E4
Конденсатор 2200 пикофарад. Резистор 4700 Ом.
Напряжение на резисторе 3,6 Вольта.

Автор:  valvol [ 21-01, 22:44 ]
Заголовок сообщения: 

uriy писал(а):
Вроде я как опоздал, ну всётаки чегото нарисовал в маштабе.

Большое спасибо! Любая информация кстати.
Модель рихтанул и разместил по прежнему адресу. В архиве находятся:
1. Библиотечный файл - TL494.lib
2. Символ контроллера - TL494.asy
3. Тестовая схема для проверки контроллера - Draft4.asc

Файлы TL494.lib и TL494.asy надо разместить в папке ..\sym\EXTRA\VolReg.

Модельку тестировал с максимальным шагом до 0.1сек. В этом случае, когда ШИМ заперт, генератор слегка глючит, но всё приходит в норму как только начинается формирование ШИМ. Сдвоенные импульсы не наблюдались. Параметры пилы достаточно близко соответствуют реально измеренным.

Автор:  uriy [ 21-01, 22:54 ]
Заголовок сообщения: 

У меня вопрос, вроде как по теме раздела.
В МС9 Файл TL494_3.lib разместил в папке библиотек в файле nom.lib добавить строку .lib "TL494_3.lib", а с TL494_2.MAC что делать?
Вроде и без него тестовая схема пошла.
Хотя вопрос можно по другому сформулировать зачем файл TL494_2.MAC?

Автор:  oleg70 [ 21-01, 23:05 ]
Заголовок сообщения: 

uriy писал(а):
В МС9 Файл

не подскажешь где взять мс9 ?
стоит ли возится с поиском мс9, если есть мс8?

Автор:  Aml [ 21-01, 23:09 ]
Заголовок сообщения: 

Цитата:
Вроде и без него тестовая схема пошла.

Я внедрил макромодель непосредственно в тестовый файл. MC9 его автоматически импортировал (и компонент появился в разделе Импорт) при первой загрузке схемы. Соответвтенно пользователю можно ничего дополнительно не подключать. А файл .MAC добавлен для пользователей MC8, который не умеет автоматически импортировать макромодели и их вручную приходится копировать в библиотеку.

Автор:  uriy [ 21-01, 23:15 ]
Заголовок сообщения: 

oleg70 писал(а):
не подскажешь где взять мс9 ?

http://valvol.flyboard.ru/topic36-255.html
Читайте третье сообщение с верху

oleg70 писал(а):
стоит ли возится с поиском мс9, если есть мс8?

Я не в 8 не в 9 небумбум. Но 9 моделирует то что мне надо без проблем.

Автор:  Aml [ 21-01, 23:23 ]
Заголовок сообщения: 

Цитата:
не подскажешь где взять мс9 ?
стоит ли возится с поиском мс9, если есть мс8?

Micro-Cap 9 удобней в использовании и библиотеки там побольше.
Плюс имеет возможность штатно переключаться на русский интерфейс (необходимые библиотеки я сделал пару месяцев назад) - http://microcap.forum24.ru/?1-12-0-0000 ... 1198959156

Что лучше считает - вопрос спорный. В большинстве случаев - MC9. Но мне попадались схемки, которые в MC8 работали, а в Mc9 - нет.

Автор:  oleg70 [ 21-01, 23:25 ]
Заголовок сообщения: 

uriy,Aml- спасибо

Автор:  Aml [ 22-01, 03:07 ]
Заголовок сообщения: 

Скорректированная модель TL494 для Micro-Cap -
http://slil.ru/25384329
Точность повысилась, но плата за это - некоторое снижение скорости расчета (на 20-30%)

Автор:  Aml [ 22-01, 13:46 ]
Заголовок сообщения: 

Цитата:
3. Правильная имитация зависимости падения напряжения на выходных транзисторах от тока

Для того, чтобы это более-менее реалистично сделать, надо все-таки на выход составной транзистор ставить или хотя бы транзистор с диодом, потому что иначе смоделировать разное напряжение насыщения на выходном ключе при включении по схемам с ОЭ и ОК не удастся.
Я пока остановился на упрощенном варианте - идеальный ключ с последовательным диодом.
Изображение
Параметры диода и сопротивление ключа подобраны для получения результирующей характеристики, близкой к параметрам реальной микросхемы.
Изображение

Автор:  valvol [ 22-01, 17:30 ]
Заголовок сообщения: 

Aml писал(а):
...иначе смоделировать разное напряжение насыщения на выходном ключе при включении по схемам с ОЭ и ОК не удастся.

Можно, например, последовательно с выходным ключом включить источник напряжения, управляемый напряжением. В качестве входного сигнала использовать потенциал эмиттера.
Кроме этого желательно имитировать ограничение выходного тока ключей - для TI 250mA, а для ON Semi 500mA.

Автор:  Aml [ 22-01, 17:50 ]
Заголовок сообщения: 

Цитата:
Кроме этого желательно имитировать ограничение выходного тока ключей

А как организовано ограничение тока в реальной микросхеме? Характеристика падающая или просто переход в источник тока?

Пробовал сегодня транзистор с диодом на выход ставить - вполне жизнеспособный вариант.

P/s Сейчас разбираюсь в организации внутренностей TOPSwitch. Это что-то :wacko:

Автор:  valvol [ 22-01, 18:45 ]
Заголовок сообщения: 

На рисунке изображён возможный вариант, так как он мне пока видится.
Изображение
Здесь два ключа включены последовательно. Верхний работает с общим эмиттером, а нижний с общим коллектором. I2 создаёт развёртку тока нагрузки, а R1 имитирует эмиттерную нагрузку.
V1(V2)=0.87B, Rser=0.67om формируют нагрузочную характеристику ключа для схемы с общим эмиттером (зелёный график). Эту характеристику можно сформировать иначе, используя подобранные по параметрам диоды D2 и D4.
Управляемый источник E1 table=(0 0,0.7 0.7) формирует дополнительное напряжение ключа, в случае включения с общим коллектором (эмиттерный повторитель)(синий график).
I1 и I3 в перспективе должны быть управляемыми источниками тока, формирующие либо 0, либо 250mA. Если выходной ток ключа, по какой-то причине превысит этот ток, то напряжение на ключе будет расти, имитируя ограничение выходного тока. В качестве D1 и D3 можно использовать стабилитроны с напряжением стабилизации 41В. Тогда, если напряжение на ключах превысит это напряжение, то будет имитироваться аварийная ситуация пробоя. Параметр Roff D1 и D2 имитирует утечку ключей в закрытом состоянии.
Таким образом удаётся имитировать все основные особенности выходных ключей!

Страница 24 из 37 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
http://www.phpbb.com/