ildus писал(а):
Уже весь замоделировался
RCD снаббер, ради справедливости стоит отметить, остутствует как таковой во многих "косых", посмотрите схемы в архиве. Уже просто устал писать одно и то же по многу раз в разных ветках. Берёте модель косого, из набора моделиста. Быстренько выбрасываете снабберный обвес. Идёте в архив, берёте одну из многих промышленных схем косых мостов. Вставляете RC снаббер из оригинальной схемы и с умилением наблюдаете, как этот промышленный аппарат неспособен жить вообще, потому что там пиковая мощность превышает 1,5кВт.
По Вашему случаю. Ставите обнакновенные RC снабберы без фанатизма в свою схему, типа 10-27 ом и 1-2,2nF. Хотите узнать, как будут чувствовать себя ваши транзисторы? В окне диаграмм вибираете Add plot pane, получается две линейки с кривулинами для просмотра. В оба окна выводите мощность с одного и того же транзистора. Жмёте мышой на длинную формулу в названии мощности, выскакивает окно редактирования выводимого параметра. Берёте всё выражение в скобки и умножаете на 0,008. Это будет окно пиковых температур, где ватты один к одному равны градусам. В этом окне Вас интересуют только пиковые "шпильки" в момент закрытия транзистора. Идёте во второе окно, где та же мощность транзистора выводится. Повторяете редактирование выводимого параметра, только выбираете умножить на коэффициент Zthjc из даташита на транзистор, это значение будет в диапазоне 0,01-0,45 в зависимости от длительности импульса, т.е. от Кзап, при котором Вы наблюдаете мощность. И после умножения на Zthjc дописываете +Тс, т.е. добавляете температуру корпуса транзистора, которую Вы как-бы должны знать
, допустим 60-80 градусов для реального аппарата ( если через суперпрокладку установлен транзистор на мааленький радиатор, то придётся поставить и 100 град, а может и 150 ) Итак, на второй диаграмме у Вас будет выводиться температура кристалла, соответствующая нагреву за время включенного состояния транзистора, т.е. до "пика выключения". Как правило, эта составляющая даёт температуру корпуса плюс десять-двадцать градусов. Итого, складываем наблюдаемые графики, где ватты соответствуют градусам, температуру кристалла до пика с одного графика плюс собственно температуру на пике мощности с другого графика, должно получится что-то типа : 80+15=95 градусов на втором графике перед появлением пика выключения, и на пике допустим 4 кВт - плюс ещё 32 градуса - на первом графике во время соответствующего пика. Итого 95+32= 127 градусов в кристалле. Или в другом режиме допустим 80+25=105 и на пике 6кВт - плюс 48 градусов, итого 105+48=153 - перебор, нельзя превышать 150 градусов в кристалле. Типа так, по моему, и по промышленным аппаратам около того. Результат всех этих процедур будет следующим: транзистор в реальной схеме достаточно неплохо справляется с мощностями на пиках выключения, при условии снижения токовых нагрузок и хорошего охлаждения, т.е. критерий 1,5кВт, который бесспорно играет решающую роль в некоторых аппаратах, питаемых от сверхстабильной трёхфазной сети напряжением 640 вольт и выше при транзисторах, рассчитанных на 600вольт, совсем необязательно выставлять в качестве иконы.
