Всем доброго времени суток. Сотворил вот такой набросок.
http://flyfolder.ru/14740636
Это вариант недопущения сквозных токов. И мне хотелось бы знать мнения старших товарищей. Особенно это касается импульсных трансформаторов. С уваженим…
| Power Electronics https://valvol.ru/ |
|
| Симметричный мост, полумост https://valvol.ru/topic85.html |
Страница 46 из 91 |
| Автор: | dimitriy-bc [ 31-10, 11:20 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Всем доброго времени суток. Сотворил вот такой набросок. http://flyfolder.ru/14740636 Это вариант недопущения сквозных токов. И мне хотелось бы знать мнения старших товарищей. Особенно это касается импульсных трансформаторов. С уваженим…
|
|
| Автор: | dimitriy-bc [ 02-11, 11:01 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Maikl я думаю, что когда будете мотать обмотки на стыковочные керны, то для большей чистоты эксперимента, необходимо под обмотки подложить имитаторы стягивающих шпилек. Удачи! |
|
| Автор: | Maikl [ 02-11, 18:39 ] |
| Заголовок сообщения: | |
dimitriy-bc писал(а): ...для большей чистоты эксперимента, необходимо под обмотки подложить имитаторы стягивающих шпилек. честно говоря, не понял полёт Вашей мысли Зачем это? Если об перекрытии зазора металлом (сталь) шпильки, то об этом недавно этот вопрос обсуждался (Valvol доходчиво объяснил "что, - к чему"). Ежли медь/латунь, то при такой частоте и соотношении масс сердечника и шпилек влияние последних - ничтожно (ИМХО).
|
|
| Автор: | dimitriy-bc [ 02-11, 23:47 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Maikl по индуктивности, у меня знание скажем так, поверхностные. Если не сложно, подскажите, в каком месте Valvol объяснял влияния материалов на катушки. |
|
| Автор: | Maikl [ 03-11, 04:12 ] |
| Заголовок сообщения: | |
dimitriy-bc писал(а): Если не сложно, подскажите, в каком месте Valvol объяснял влияния материалов на катушки. начиная отсюда и далее http://valvol.flyboard.ru/viewtopic.php?p=24851#24851
|
|
| Автор: | dimitriy-bc [ 03-11, 09:40 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Maikl спасибо. Отправляюсь выполнять заветы дедушки ЛЕНИНА. Учится, учится и еще раз учится!!! 
|
|
| Автор: | Трибун [ 11-11, 22:14 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Тяжко, урывками, но транс для разделенного моста почти осилил - http://valvol.flyboard.ru/viewtopic.php?p=25609#25609 |
|
| Автор: | Alex [ 13-11, 16:21 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Трибун писал(а): транс для разделенного моста почти осилил
А контроль насыщения будет? |
|
| Автор: | Трибун [ 13-11, 17:10 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Alex писал(а): А контроль насыщения будет? Аки у Сплинты у меня теперь контроль будет везде. На этом девайсе опробую сначала нашлепку, а при неудачи +2ТТ. У нашлепки может не хватить уровня под мои хотелки.
|
|
| Автор: | dimitriy-bc [ 23-11, 20:27 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Трибун Вы даете предпочтение нашлепке, а не +2ТТ? Это связанно с технологичностью, или что-то еще? |
|
| Автор: | Maikl [ 23-11, 20:34 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Alex писал(а): А контроль насыщения будет? Трибун писал(а): Аки у Сплинты у меня теперь контроль будет везде. как понимать "везде"? Железяки дежурки, ТГРа и выходной дроссель тож подпадают под это? 
|
|
| Автор: | Трибун [ 23-11, 23:17 ] |
| Заголовок сообщения: | |
dimitriy-bc писал(а): или что-то еще? Видите ли - прежде всего симпатии. Хоть идея и не моя, но я это зернышко вырастил и показал. Нашлепка действительно во всех отношениях проще и компактнее, не нужно в тесном месте толстые выводы выгибать, но вот хватит ли ее сигнала под мои хотелки, пока не уверен - в запасе +2ТТ.Maikl писал(а): Железяки дежурки, ТГРа и выходной дроссель тож подпадают под это? Пока только сила, там есть за что биться. В промежуточных каскадах проще создать запас, который карман совсем не трет и массогабарит не губит. Для дросселя контроля пока не знаю 
|
|
| Автор: | dimitriy-bc [ 24-11, 01:32 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Трибун у меня это не праздный вопрос. Дело в том, что я на пути лепки похожего изделия (на П. сердечнике двухтактный, два косых на разнесенных кернах). Так что, контроль за состоянием сердечника представляет интерес. Ветку о насыщении прочитал от начала. Я, честно говоря, так и не понял, почему Вы отказались использовать для нашлепки, усилитель сигнала по напряжению, транзистор с общей базой. В высокочастотной технике, в ответственных местах, включение транзистора с общей базой и общим эмиттером, встречаются очень часто. При необходимости получить усиление по мощности, используют каскодную схему. Это довольно таки термостойкие варианты, да и к возбуду стойкие. Да, и еще вопрос. В той же теме многоуважаемый Multik, тоже имел желание на практике опробовать нашлепку. Вы не в курсе, проба была или нет? |
|
| Автор: | Трибун [ 24-11, 12:45 ] |
| Заголовок сообщения: | |
dimitriy-bc писал(а): не понял, почему Вы отказались использовать для нашлепки, усилитель сигнала по напряжению Не поверил. Дайте вариант, изучу. Нужна малая задержка и стабильность постоянки.dimitriy-bc писал(а): Вы не в курсе, проба была или нет? Насколько знаю он провел макетное опробование идеи еще до меня, а дальше вроде ничего.
|
|
| Автор: | dimitriy-bc [ 25-11, 22:30 ] |
| Заголовок сообщения: | |
Трибун Для начала поправка. В предыдущем тексте я написал с общим эмиттером, а имел в виду с общим коллектором. Теперь по поводу поднятого мною вопроса. При повышении температуры увеличивается проводимость полупроводников и токи их возрастают. Особенно сильно растет с повышением температуры обратный ток p-n – перехода. У транзисторов таким током является начальный ток коллектора. http://flyfolder.ru/15158690 
В схеме с общей базой (усилитель напряжения), допустим транзистор Q1 BC817. Нагрузкой транзистора Q1 является резистор R26 = 200 Om. Возьмем из его характеристик данные на ток КБ при температуре 25 С = 0.1 uA и 150 С = 5uA. Рабочий ток протекающий через транзистор меняется от 3 до 75mA. Просчитаем три точки по напряжению, так как в данном случае основной интерес представляет именно напряжение. При температуре 25 С: 3 mA х 200 Om = 0.6V 35 mA х 200 Om = 7V 70 mA х 200 Om = 14V. При температуре 150 С: (3 mA +5uA) х 200 Om = 0.601V (35 mA +5uA) х 200 Om = 7.001V (70 mA +5uA) х 200 Om = 14.001V. Рассмотрим работу такого же транзистора в схеме с общим эмиттером (усилитель мощности). При расчете схемы, коэффициент усиления транзистора по току брался 400. Эмиттер сидит на корпусе. В этом случае ток коллектора увеличится на ток КБ умноженный на коэффициент усиления транзистора 400. При температуре 150 С: ((3 mA +(400х5uA)) х 200 Om = 1V ((35 mA +(400х5uA)) х 200 Om = 7.4V ((70 mA +(400х5uA)) х 200 Om = 14.4V. Если в цепь эмиттера поставить резистор, то появившаяся ООС частично компенсирует этот эффект. При кратком рассмотрении частотных свойств транзистора, можно выделить, что в схеме ОЭ воздействуют две характеристики, емкость коллекторного перехода и отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. В схеме ОБ влияет только емкость коллекторного перехода. Теперь по трансформаторам тока. По взрослому, я с ними не работал. Но по теории, для поучения линейной характеристики, нагрузка трансформатор тока должна стремится к нулю. У Вас в схеме нашлепки транс нагружен на 50 Ом, а в схеме с +2ТТ на 47 Ом? http://flyfolder.ru/15157912 
Я Ваши схемы немного узурпировал, но поверьте, из самых благих намерений. |
|
| Страница 46 из 91 | Часовой пояс: UTC + 4 часа |
| Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group http://www.phpbb.com/ |
|