Power Electronics

gnus
А можно в графическом формате выложить моделируемую схему? Я работаю с MicroSim.
Зачем было делать две первичные обмотки, только ради индуктивностей?
Какой коэффициент трансформации?

Почему-то моя модель не показывает ограничение тока.

О какой несимметрии идёт речь? У меня схемы ведут себя абсолютно одинаково, за исключением потребляемого тока.

Alex
Вроде так:

До микрокапа руки не доходят.
Две первички ради двух индуктивностей, две индуктивности ради мягкого включения, уменьшения тока КЗ и уменьшения ,,дохлого времени", уменьшение оного для повышения заполнения. В итоге IGBT 40-килогерцовые транзисторы работают на частоте 100кГц, с мертвым временем 0,4мкс. Получается что заполнение периода 92%.
Ктр=3. Первички 2*12 вит. по 6м^2, вторички 4*4вит. по 10мм^2. Кольцо Epcos №87 R63*38*25. Сечение 3см^2. Греется.

gnus
Увидеть бы ещё напряжение на первичной обмотке.

_________________
Это не дым, это души погибших полупроводников ...

В MicroSim, в отличие от SWCad, несколько иначе делается модель нелинейного трансформатора.
Может быть нам определиться с каким-то, стандартным для форума, симулятором? Тогда было бы на много проще друг друга понимать и обмениваться имитационными схемами.

gnus
Ставя индуктивности для борьбы с выбросами тока получаешь эквивалентные выбросы напряжения.

Alex
А демпферные цепи нафига тогда, как ты думаешь ?

Отмотал виток первички, теперь Ктр=2,75. По сети добавил еще один 470мкф. На выходе получил 190 А при 27,5 В. Конечно, при условии наличия присутствия в розетке 220В под нагрузкой. Придется вешать еще один, четвертый 470мкф*400 В для достижения искомых 200А при 28В. А так не хотелось. Вообще, конечно, это издевательство над одной фазой, признаю и не каюсь.
Параллельно загоняю все в корпус. Вот тут-то и вскочит вопросец с ПВ.
Илья
Я к своему стыду до сих пор не удосужился найти и прочитать тот ГОСТ.
Обьясни, как правильно измерять ПВ/ПН ? Что-то слышал о 10-минутном цикле, а что конкретно здесь подразумевается ?

-Привет!
А слона - то ты и не заметил...
Лучший резонансник сделал gnus - смотри второй пост.
Ты его помоделируй, и увидишь, что там и ЧИМ, и ШИМ - всё с мягким переключением,
и параметрическое ограничение тока КЗ, и в качестве резонансных используются индуктивности рассеивания.
Правда, используется разделение обмоток. А к нему ты, кажется, негативно неравнодушен.

:mrgreen:

Тот же полумост вроде, давно обсуждаем.

Жаль, конечно, что ты не проникся, а я думал натравить тебя на эту схему, чтобы ты восполнил
недорисованные пробелы и довёл её до ума. Кроме тебя здесь, вроде, и некому.
Это всё потому, что ты больше в теории специализируешься. А если бы твои устремления были
направлены на реальное железо, ты бы понял, что компактнее сварника с приемлемыми
характеристиками придумать трудно.

Моделировал поверхностно. Добавил регенеративные снабберы, стало возможным применить простую ШИМ, имеем мягкое переключение во всём диапазоне и параметрическую защиту от КЗ. То, что мне и надо не для сварников. Но вплотную заняться пока нет времени.

Попозже может.
Я остановился пока на резонансном мосте с ЧИМ, транзисторов больше, зато всего остального меньше. Моделирование показывает неплохие результаты, но схема управления потребовалась непростая.
И ещё, пока не придумал простую и быструю схему датчика прохождения тока через ноль. Может посоветуете что?