Power Electronics

Если бы на нём падало не 2,5 В, а к примеру - 0,5 В, как на диоде Шотки, то тогда бы он конечно не грел бы.

Там - это не в транзисторе, а в схеме, где он используется. Как может греться диод, через который ток не протекает ?

_________________
.

Мне что, ликбез по инверторам проводить? Так он есть, где-то в самом начале форума.
[quote="Alex Thorn]...Как может греться диод, через который ток не протекает ?[/quote]
А куда, по Вашему девается энергия, накопленная в индуктивности первичной обмотки силового транса за время прямого хода? Вот, как раз при обратном ходе, ток самоиндукции и течёт по RCD снабберу, На схеме инвертора "Prestige 164", это - D21,D35, и R46,C25; R63,C30, благодаря чему защищаются ключи, а энергия обранного хода не пропадает даром, а используется для подзаряда конденсаторов фильтра источника питания (С21,С22).

Вопрос повторяю - откуда появляется прямой "греющий" ток во встроенном диоде ижбт в схеме косого моста, и почему ижбт с диодом , по вашему утверждению, нельзя устанавливать вместо ижбт без диода в косой мост.

_________________
.

А каким же будет ток размагничивания трансформатора, для встроенного диода?
Я не говорю, что нельзя ставить IGBT со встроенным диодом вместо IGBT без диода, я лишь цитирую мнение экспертов в области импульсных устройств, о том, что в устройства, работающие в жёстком режиме переключения (а косой мост именно таким и является), желательно устанавливать защитный диод отдельно.

Не будет. Силовой ток из-за наличия индуктивности рассеяния первичной обмотки в момент выключения транзисторов "перебрасывается" в снабберы. этот процесс сопровождается ростом напряжения на снабберах и транзисторах, более медленным, чем в варианте без снабберов, и позволяющим снизить потери в транзисторах при выключении. В момент, когда напряжение на коллектрое нижнего ижбт достигнет уровня плюса сетевых электролитов, а на эммитере верхнего ижбт - уровня минуса электролитов, откроются возвратные диоды ( не обратные диоды транзисторов ! ) и произойдёт сброс энергии накопленной в индуктивности рассеяния и последующее размагничивание сердечника на электролиты. Обратные диоды силовых транзисторов в этом процессе не участвуют в схеме косого моста, в отличие от схем полного моста и полумоста.

Не буду с Вами спорить, но в своей практике, мне приходилось не раз сталкиваться с выходом из строя ключевых IGBT именно из-за пробоя встроенных диодов. При ремонте таких аппаратов, я менял IGBT на аналоги без диодов, и монтировал подходящий диод отдельно. Ни один из отремонтированных таким образом аппаратов ко мне пока не вернулся.

В чём выражался пробой? Как установили что это пробой именно диода?

_________________
Площадь Ленина это произведение, длины Ленина на ширину Ленина.

Вы не поверите, но отправляя предыдущий пост, я ожидал этого вопроса, и даже хотел в том же посте его предварить. Имею такую непреодолимую тягу - разбирать вышедшие из строя элементы и устройства. В корпусе ижбета область диода расположена отдельно от области переходов транзистора. При пробое диода корпус в месте расположения этой области вздувается, иногда корпус лопается, и даже прогорает. Аккуратно спилив это место, проверяю сам транзистор. Довольно часто, при пробое встроенного диода, он остаётся целым. Обратные случаи мне отмечать не приходилось.

Так понимаю, что это были не косые мосты. Потому как в косые изначально производитель не ставит ижбт с диодом, потому что он там просто не нужен.

Так и есть.

У меня в подобном аппарате стояли транзисторы G30N60- сгорели все + диоды MUR680.
поменял на IRG4PF50W. При испытании на втором электроде - БАХ
радиаторы нагрелись прилично (около 70 С)
всвязи с этим вопрос первый: может ли БАХ из за того, что максимальная частота транзистора (IRG4PF50W) =100кГц? На этой частоте его параметры по току коллектора более чем скромные.
И вопрос второй: Я уже купил (наверное поспешил) IRGP35B60PD - он со встроенным диодом.
Как быть, убирать ли диоды MUR680 или они не помешают? И вообще этот транзистор(IRGP35B60PD) подойдет или нет?

Шульц
Убирать диоды не надо. Транзюки должны подойти. IRGP50b60PD1 подходят точно. Проверь форму управляющего сигнала . Он должен быть без всяких горбылей. Удачи!

Транзисторы IRGP35B60PD вставлять вместо HGTG30N60A4 вообще даже не пытайтесь, потому что IRG4PF50W, как и IRG4PC50W, значительно превосходят первые по всем параметрам, если не нашли родные, ставьте лучше эти.
После восстановления драйвера, не спешите впаивать транзисторы, а проведите проверку по методике, описанной здесь: http://www.mastercity.ru/showthread.php?t=97590
Обязательно обратите внимание на форму управляющего сигнала на выходе драйверов, нагруженных эквивалентами ключей. Это сейчас как раз обсуждается в последних постах той темы.

Уважаемый Соков А.Г., Сравнивать транзисторы IRGP50B6PD1 с транзисторами IRGP35B60PD, по крайней мере - некорректно, это всё равно, что сравнивать Мерседес с Москвичём, хотя оба они начинаются на букву М.

Если посмотреть даташит , то не так уж и плохи данные транзисторы. Для работы электродом 3мм. его вполне хватит.