Power Electronics

В симуляторах типа свечки на уровне элементов - косяков навалом.
Proba дал модельку диодного демпфера- погонял, даже зависимость
времени рассасывания от прямого тока есть.
А IRFP460 рисует так, как будто у него внутри диода паралельного нет.
То есть где он тебя подставит- тайна покрытая мраком.

А я о чем говорил?
Нет в даташитах этого параметра. Чего сравнивать?
Есть пин -диоды типа тепловозных - там этот параметр есть
так он и по кривулькам совпадает.

Чисто логическая задачка- с чего бы вдруг фирмачи начали кричать
мол сделали диоды без форвард рековери!!!!
А до этого чего в тряпочку молчали? Чего там с форвардами было?

А по разному было, как карта ляжет.

В качестве конструктивного предложения -
нельзя ничего зараннее сказать о диоде не померяв его параметры.
Даже если я померяю на свом стендике какой нибудь МУР,
это не значи что МУР на вашем столе так же себя поведет.
Фирма поэтому и не оговаривает этот параметр, как цвет ларька
в котором ты купил этот диод- он может быть и синим и желтым
и серобурмалиновым.
Надо мерять.
Нужен свой стендик, но схемотехника этого стендика-
это уже отдельная большая тема.
И там люди годами работают и наработок горы.

В этой теме надо говорить о том, что есть определенные физические
процессы в переходе, и они часто вредят схеме, но зная их,
можно попытаться пустить их на пользу.
Или обойти их- пример от Гиратора.

То есть существуют разные подходы к одному и тому же вопросу.
Чаще всего встречается третий- не разбираясь от чего вдруг летят
диоды начинают шаманить с бусинками на выводах.
Знакомо?
А что лучше?
Опять же в каждом случае свое- кому то нужно быро прибор сдать,
кому то диссер накропать.
А кто то хочет знать границу - до куда можно дойти.

Свечка это что? LTspice или что-то от гемороя?
Если имеется в виду LTspice, то этот симулятор соответствует стандарту SPICE3 и основан на движке SPICE 3F4/5, который разработан в университете Беркли (Калифорния). Т.е. именно там, где SPICE вообще появился.
В стандартной поставке LTspice отсутствует модель IRFP460. Эта модель присутствует в сторонней сборной библиотеке EXTRA, которую можно скачать с домашней странички Андрея Кадатч (он её и собрал). В свою очередь, туда модель IRFP460 попала напрямую с сайта IR. А как известно, эти ребята понимают свои транзисторы лучше всех.
Возможно Вы только только начали осваивать симуляторы и при этом что-то не ладится. Совсем не обязательно из этого делать какие-то сенсации и вселять элемент неуверенности в такие же не окрепшие умы других начинающих. Лучше выкладывайте смои модельки здесь. Только после этого можно будет детально рассмотреть проблемы, которые в них возникают.

Спасибо.
Давайте попробуем вместе покрутить.

Модель- снаббер на основе диода с накоплением заряда ДНЗ.
Это не специальный какой то диод- в любом диоде этот процесс
происходит, в некоторых просто медленнее, что нам и нужно.
Меняя R2 мы меняем ток накачки. Меняется задержка выключения снаббера.


Что непонятно- пик тока через полевик в момент выключения снаббера.
Понятно, что есть выходная емкость полевика, она должна заряжаться.
Ток зарядки емкости.
Но тогда не должно быть в этом месте пика мощности на полевике.
Это ведь реактивный ток.

Фолдер пока завис.
http://flyfolder.ru/15388598

Проблемма понятна- как бы это не было страшно- из Берклиевской-ировской модели полевика надо выбрасывать выходную емкость
и вешать её снаружи , токи активные и реактивные разделим
тогда мощность в полевике будет показывать правильно.

И таких фишек в симуляторах много. Думаете мне не обидно?
А то некоторые думают что я злорадствую по этому поводу. Дык нет.

Модель всего лишь корректно имитирует поведение реального элемента. А дальше включай мозги и отсеивай то что не нужно - LTspice интегрирует мощность только в пределах отображаемых в окне плоттера.
"Отпаивать" выходную ёмкость не рекомендуется, т.к., при включении, энергия накопленная в ней рассеивается в транзисторе. Правда в данном случае часть этой энергии успевает вернуться в источник U2. А если бы напряжение на выходной ёмкости оставалось стабильным, то от мнимого реактива не осталось бы и следа.
Кроме этого модель похоже имитирует распределение заряда в паразитном диоде MOSFET в момент подачи высокого напряжения. Ведь выходная ёмкость минимизируется, когда напряжение уже поднимется до максимального, а при нулевом напряжении она может превышать 5nF (смотреть fig.5). В предложенной модели получил результирующую ёмкость около 1.8nF.

ИМХО, наука отличается от шаманства повторяемостью результатов не зависимо от места расположения "измерительного стола". Если производители не прописывают время включения диодера, то это значит только то, что оно никак не сказывается на работе оного диодера в тех условиях, для коих он предназначен ибо в противном случае, с них бы сняли штаны и затаскали по судам "огорчённые" потребители их продукции. Если отдельные философы захотят использовать диодер для экстрима, то это их право и они также вправе шаманить над измерением охвостости или иного параметра на суперпупер "стендике". Проще говоря, время включения тех диодов, что используют интузазисты силовой электроники, ессно в соответствие с их назначением, никак не проявляется и Вы это знаете, потому и не озвучиваете времена включения. Таким образом, Вы очень много сказали ни о чём, но полезность в сем трёпе есть, бо не многие философы имели представление о том, что диодеру нужно малость подумать, прежде чем включится.

И что, это весь результат?

Мне он видится по другому- я заглянул на первую страничку темы-
3 года народ крутил эти модельки, сравнивал снабберы,
делал парадоксальные выводы иногда, а все это коту под хвост.
Все в корне неверно.

Это все надо стирать и делать ЗАНОВО.
И кто возместит эти три года?

Так вот вроде логичнее.
Спайс надо учить разделять активные и реактивные токи.
Для этого вся математика есть.
Или временно использовать сборные модели с разделением цепей
активные отдельно- емкостные отдельно- индуктивные в третью сторону.
Дык еще вот есть такие хитрые которые ни туда ни сюда.
Включается как индуктивность а выключается как емкость.
И как тут быть?

Я чего Гиратора и пытаю- у него большой опыт работы с симулянтами,
его бы к полезному делу привлечь- модельки правильные сложить...
А он все выскальзывает, и так мол сойдет в базарный день.

Я не совсем точно выразился, а ты уж сразу уцепился.
Конечно имелось ввиду не столько столы разные, но и МУРы
из разных ларьков.
А там точно все разное будет. Это не от науки зависит , а от производителя, который не может гарантировать этот параметр.
И поэтому просто не пишет. Это уже законы рынка.

Так всё-же будет в реальной схеме выброс или нет? Наверняка нет .
Надо будет ещё попробовать в МИКРОКАПЕ.

Похоже. только это напоминает процесс в обкладках конденсатора.
Конечно какие то активные потери есть при этом, но не 1,8квт, как показывает симулянт.
Ссимулятором я его назову когда он правильно работать будет,
а пока пусть симулянтом побудет.

Выброс тока будет- это заряд емкости, тут все четко.
Не будет активной мощности на кристалле. Она реактивная.

А тут все подбирали снабберы по показаниям мощности от симулянта.
Вот три года и угробили.

Здесь важна энергия, а не мощность, которая зависит от длительности процесса. Короче процесс-больше импульсная мощность.

Когда транзистор откроется, то энергия накопленная в выходной ёмкости рассеится в кристалле транзистора и дополнительно его разогреет.

Напоминал бы, если бы ёмкость конденсатора в такой же степени зависела от приложенного напряжения.

...эффект сохраняется и с IGBT ,без встроенного диода.