swarkawsem писал(а):
Вообщемто так и всегда делал . но вот есть один коварный момент - когда транзистор в чистом виде , без снаббера - всё какбы ясно , и подтверждается практикой ....
Можно попытаться отделить колбасу от мух. Как известно потери коммутации IGBT складываются из коммутационных потерь и потерь на "хвост". Энергия чисто коммутационных потерь легко считается по формуле:
Ets=Uk*Ik*(tr+tf)/2
Например, исследуем этой формулой популярный IRG4PC50U
1. Для температуры 25гр.С и Uk=480B, Ik=27A имеем:
tr=20ns, tf=88ns, Ets=0.66mJ.
Проверяем:
Ets=480*27*(20e-9+88e-9)/2=0.7mJ
Т.е. при температуре 25гр.С потери хвоста Et=0.66-0.7=-0.04mJ (т.е. отсутствуют)
2. Для температуры 150гр.С и Uk=480B, Ik=27A имеем:
tr=23ns, tf=120ns, Ets=1.6mJ.
Проверяем:
Ets=480*27*(23e-9+120e-9)/2=0.93mJ
Т.е. при температуре 150гр.С коммутационные потери хоть и выросли, но не значительно. Зато потери хвоста теперь составляют Et=1.6-0.93=0.67mJ.
Теперь можно принять несколько допущений.
1. Потери коммутации не зависят от температуры (из даташита видно, что естественный разброс параметров tr и tf превышает их температурную зависимость).
2. Так как снабберы имеют очень короткое время работы, то они влияют только на коммутационные потери и прктически не влияют на потери "хвоста".
Согласно этих допущений, температурная зависимость потерь коммутации практически определяется только потерями "хвоста".
Имея графики температурной зависимости потерь от производителя, можно, воспользовавшись приведённой ранее формулой, выделить из этих графиков только потери "хвоста" и впоследствии их просто суммировать к модельным потерям при 25гр.С, когда требуется найти потери для более высокой температуры. При этом стоит делать поправку на реально коммутируемое напряжение.