gyrator писал(а):
О чём я вам и говорил, а вы-"Купаться без штанов, купаться без штанов."(С)
Статью вы по диагонали даже не читали. 99% КПД там при 50% нагрузке, а при 100% нагрузке он снижается до 95,5%. При работе на 200 кГц и 100% нагрузке КПД снижается до 94,4%, но почти в три раза возрастает удельная мощность, а цена ниже. Вы дальше будете продвигать низкочастотные преобразователи, стращая всех высокой частотой и потерей КПД в 1,1%? Вот из за таких как вы, преобразователи весят во много раз больше, чем должны, при аналогичной мощности и дополнительно стоят дороже. Варитесь и дальше в своём горшочке и стращайте народ про высокие частоты. Мир не стоит на месте, а вы всё живёте назиданиями из ЭТвА.
gyrator писал(а):
но таки скажу што думаю: - трепло вы пустопорожнее, уважаемый.
это ваше право, тем более в стране с «демократией». Что самое главное, вы готовы «умереть» за ваши морально устаревшие принципы и подходы. Такой поступок достоин уважения, но применять его в данной ситуации как минимум глупо.
gyrator писал(а):
Вот когда станете ОН, тогда и будет повод для гутора
вы чай не «Боярыня Морозова», чтоб вам на поклон идти. Доводов в вашу пользу я не услышал, а только была одна зацепка про единицы измерения, не по теме естественно.
НЕХ писал(а):
Даже в 6 мм от края корпуса индуктивность цепи истока 13 нГн !
т.е. взаимное расположение остальных проводников мы в расчёт не принимаем, а берём абстрактный вывод с определённой длиной?
НЕХ писал(а):
Представив скорость выключения 1 Ампер/ наносекунда, становится понятным причина роста потерь при выключении, отображаемая в документации на транзисторы - он просто вновь приоткрывается...
отчасти очередная страшилка. Читаем или переводим:
«Other than with IGBTs, the application of a stationary negative gate-source voltage during offstate is not recommended for driving power MOSFETs. Parasitic turn-on with all consequences, as described above, is done within the MOSFET too at the same time. However, it will protect the transistor structure of the MOSFET, which is only limited resistant to dv/dt». (SEMIKRON)
НЕХ писал(а):
ST говорит, что применение -5 Вольт на затворе уменьшает потери выключения вдвое.
применительно к каким транзисторам и стоит ли это делать, прочитав текст на английском выше?