Power Electronics

Потому что я ленивый. Не хочу схему ковырять, или транс, бороться с насыщением. Но видно придёться. :grin:

Вот и я хотел об этом спросить.
У меня HFA30PA60 и HFA25TB60. Какие были.
Меня интересует, как поведёт себя HER.
Вряд ли здесь надо серебряные провода и прочая СВЧ техника. Наверняка всё гораздо проще.
Но если снаббер удалён, то соединение - витой парой, чтобы контура не образовывать.

Про серебро к слову было, для обзора. Обнаружил ошибку 15н/2 и 13мкГн дадут 510кГц, а у Chaynik за 700кГц, это уже СВ - просто тщательЕе надо.
Но при всех проблемах он уже токи гоняет, а я теоретизирую пока

_________________
Время - лучший эксперт. ОНО может блестеть так же, но золото дольше.

Chaynik
У меня стояли HFA15, везде кроме контурного, тот HFA08. Для моих 145а это все на пределе. Потому и разгонять на большие токи не пробовал. Если и надумаю делать новый девайс, помощнее, то скорее всего поставлю что нидь наподобие 30EPH06.
Дроссель сплошным проводом кажись 0.6 или 0.7.
А вот то что у тебя все на разных платках - это плохо. И пленочники по питанию неясно где. Лучше не понеленись и переделай все на одну платку.
А какой зазор у тебя в трансе и почему проблема ковырять его ?
Залил что ли его эпоксидкой ?
У меня стоял E70, 24 на 8, 32.5 кГц ,зазор 0.12 мм, может даже менее. С 15 нанами все прекрасно размагничивалось без всяких ограничений Ton. Ток намагничения был при этом примерно 3.5а

sam_soft

Транс залил лаком, впринцыпе разобрать можно. Да это меня неволнует, как нибудь избавлюсь.
На двух платах действительно плохо. Дык я как думал, как приставку сделаю к готовым аппаратам, ничего непеределывая, и будет счастье.
А ты мерял заряд конденсаторов на 8н2 и 15н? Если не сложно выдай плату свою окончательную.

Я не сразу заметил, вроде при 8н3 заряжается лучше, до 245В. А при 6н2 было 225В. Отпаял провод, который через плату, наростил ешё и крутил его так и сяк, никакого эфекта не получил. Не лучше и не хуже. Может действительно, надо ёмкости 15н.

Chaynik
Платка дома, вечерком скину. Напругу именнно на емкостях не мерил, ни при 8нан ни при 15нан , не подлезти к кондерам, никак . Для дросселя специально сделал штырьки в плате. К ним потом осцил и вешал шоб посмотреть скоро времени заряд идет. Мне это казалось более важным. Особенно для КЗ режимов.
Около 1 мкс при 15 нан. Картинка ну почти как в симке, я был удивлен.
А вообще мне кажется что 10 -15 нан это оптим. значение. Пики 1.5 квт, но при этом не сильно мешает ХХ, для невысоких частот конечно.
И скорости заряда вроде далжно хватить для КЗ режимов.

Хотя Мультик вроде 22нана ставил.
Может потому у него народные полтинники и тянули 70 ампер в импульсе на 50кГц. Я вот с ними много провозился. И пришел к выводу что им 30 -макс 40 кГц самое место и ток не более 50ампер.
А про схемы без снабберов вообще нада забыть.
Если что то более , то заканчивается в конце концов подрывом , вопрос во времени только.
А может Мультик всетаки "не народные" ставил в тот вариатн что на 200а ?

sam_soft

У меня заряд тоже микросекунду занимает. Да и впринципе похоже на симулятор, Только осцил у меня при напруге всегда добавляет что-то своё :smile: . А на амплитуду на индуктивности не обращал внимания? У меня меньше чем в модели, и соответственнно и заряд меньше.

Да у него в сварочниках обоих стоят не народные, а IRGP50B60PD1. А полтинник у него стрельнул на 70 кГц, вот он от него и отказался. Пусть поправит если что нетак.

Multik давно пришёл к выводу, что 15 нФ - оптимально, их и ставил.

- Всё так.

, но позже прозвучало, что оставил бы 15н - я специально интересовался, поскольку у меня ныне стоят 2х15н.
PS. В FAQ по статье "ИИСТ" Валентин дает расчет по стандартной методе. Для полтинника получается 17н. Интересное совпадение, вернее сказать - так и дожно видимо быть.

_________________
Время - лучший эксперт. ОНО может блестеть так же, но золото дольше.

Multik
А на 50кГц не пробовал полтинники при 65 - 70ампер импульс со всей этой снабберной машинкой ?
IRGP50B60PD1 вроде как пошустрее. Но у них Von кажись нехороший. Как ни крути %30-40 времени транзюк проводит именно в этом состоянии.
Спинным мозгом чую , что без баянов тут никак.

Пытался как-то повлиять на процесс зарядки конденсаторов. Тыкал отвёрткой в сердечник дросселя, проделывал разные манипуляции с проводом (который через всю плату) - ничего. Следил за сигналом и на кондёре, и на индуктивности. Никаких изменений, всё работает устойчиво. Так что помоему, тут разводка нипричём. Вернее её недостатки могут вылезти на больших токах.
Здаётся мне, что так и должно всё работать с этими кондюками (8н3). Вот если поставить 22н, или 15, то предполагаю, что всё заработает как надо. Исхожу из зависимости - 6н2 - 225 В, 8н3 - 245 В.
Но проделать это я пока неготов. Вопервых нет таких конденсаторов, во вторых транс не выдержит. Займусь пока трансом, вернее зазорчиком. А может частоту повысить, интересно выдержат ли 50У 35кГц или более.

Дело в том, что я работаю в основном на 50 КГц, иногда поднимаюсь до 83 КГц. Освоил этот диапазон, ниже не хочется. В основном из-за трансов. Габариты растут.
Так вот, всё, что было сделано на 50U, сгорело. Самое противное, что не сразу, а этак месяца через два - три нормальной работы. Все схемы с мягким переключением, но не резонансные - фазосдвигающий мост и косой с регенеративным снаббером.
Правда, токи в транзисторах были максимальные, не снижались с ростом частоты, как в даташите рекомендуют.

Реально радиаторы более, чем на пять градусов, по сравнению с 50U, не грелись.
Но если учесть, что для 50U:
Thermal Resistance Junction-to-Case- 0.64 °C/W
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 °C/W
Итого: 0,64 + 0,24 = 0,88 [°C/W]
Кроме того, имеем:
Collector-to-Emitter Saturation Voltage ---- 2.0V ---- IC = 55A
Мощность на прводимости:
P(U) = 2,0 * 55 = 110 [Вт],
средняя мощность при Кзап = 0,4:
P(U)ср = 110 * 0,4 = 44 [Вт],
перегрев кристалла:
Tjs = 44 * 0,88 = 38,7 [°C]

а для IRGP50B60PD1:
Thermal Resistance Junction-to-Case- 0.32 °C/W
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 °C/W
Итого: 0,32 + 0,24 = 0,66 [°C/W]
и аналогично:
Collector-to-Emitter Saturation Voltage — 2.45V ---- IC = 50A (примем 55)
Мощность на прводимости:
P(PD1) = 2,45 * 55 = 135 [Вт],
средняя мощность при Кзап = 0,4:
P(PD1)ср = 135 * 0,4 = 54 [Вт],
перегрев кристалла:
Tjs = 54 * 0,66 = 36 [°C]

То есть, имеем перегрев кристалла почти такой же и даже немного меньше, чем у 50U.
И если теплоотвод, как у меня, с тепловым сопротивлением 0, 6 °C/W,
то и нагрев его будет на:
(54 - 44) * 0,6 = 6 [°C] больше - примерно та величина, которую я и зафиксировал.
А разница в том, что эти 55 А на частоте 50 КГц транзистору IRGP50B60PD1 брать разрешается (средний ток при К=0,4 будет 22 А),
а транзистору 50U - не разрешается.

Да хоть супермягкое переключение, но хвост у "жабятёнка" не съедает. Поэтому и бздынькает.
Только резонансник может скушать хвостик, когда есть пауза после спада тока до нуля.
Если пожадничать и уменьшить паузу-бздынькнет и
резонансник. Главное не забывать, что "жабятенок",
по сути, составник из полевика и биполяра. И не смотря на
красивые ОБР запросто может попасть во вторичный пробой,
когда коммутирует предельные токи на высокой частоте.
Когда большая часть площади кристалла выключиться
и весь ток проходит через "шнуры" из маленьких не выключенных
областей, то происходит локальный перегрев и термогенерация
доп. неосновных носителей которые и приводят к лавине и необратимому пробою. Навороты в топологии кристалла могут лишь
отодвинуть частотную границу смерти, но принципиального решения не дадут.

Т.о. на 30кГц небольшой разгон 50U вполне возможен или эта информация что-то, по-вашему меняет? Мне больше 180А не нужно...

_________________
Время - лучший эксперт. ОНО может блестеть так же, но золото дольше.