valvol писал(а):
stm32 писал(а):
3. Начал моделировать с микросхемой TNY267 которая в либе. Не совсем понимаю, почему она работает не так как ожидалось. По сути в схеме поменял только её. Выкладываю графики которые получил при моделировании:
Слева моделирование на микросхеме UC3845 и кажется всё почти так, как и должно быть. Только выбросов при закрывании ключа нету. Слева моделирование с микросхемой TNY267 из либы. С микросхемой из либы не понятные графики токов... И напряжение на выходе не такое как должно быть.. Хотя цепь ОС не менял, только микросхемы ШИМ контроллеров.
Напряжение на выходе не такое потому, что эмиттер транзистора оптопары висит в воздухе.
Что касается цепи ОС, то она и не может быть одинаковой на все случаи жизни. Эта цепь должна настраиваться под параметры конкретной силовой схемы и ШИМ-контроллера. Чтобы получить гарантированный результат, можно использовать цепи ОС из дейташита на TNY267.
Всё заработало, и я даже рад был.
Если не считать, что сгорела микросхема то результаты моделирования совпали.
Собрал на макетке схему:
Трансик намотал на RM8 с зазором 1мм материал феррита P4, транс расчётные значения совпали с реальными. Очень сильно удивился)
RCD демпфер сделал из 3 последовательно соединённых ёмкостей 250В по 15нФ, резистор взял 360К, и диод US1M. Резистор демпфера нагревался до 87 градусов. Микросхема TNY277 была вставлена в постельку и нагревалась до 60градусов.
Грузил следующим образом:
1. Rнагр = 120Ом
2. Rнагр = 60Ом
3. Rнагр = 30Ом
Всё было включено через лампочку, при 30 омах нагрузки лампочка засветилась... Прозвонил С-И короткое.
Так как торопился, хотел всё быстро проверить. В итоге -1 микросхема.
Надеюсь, что пробил её выь=брос напряжения который не успел поглотить демпфер или какие то ещё причины могут быть?
Честно говоря думал так сразу не запустится флайбек. Всё что я видел у знакомых(на шим контроллерах UC38XX) постоянно взрывалось при первом пуске, правда там и мощности были от 100Вт)
Попробую осциллографом встать на С-И и посмотреть амлитуду выбросов.
На совсем понял как измерить индуктивность рассеяния?
Измерял следующим образом: закоротил выходную обмотку и измерил индуктивность первичной? Это и должна быть индуктивность рассеяния(Первичной + вторичной)? Получилось значение чуть меньше, чем реальная индуктивность первичной обмотки...

Читал рекомендации по моделированию нелинейного трансформатора, увидел там следующее:

Возникли такие вопросы:
Параметры необходимые для моделирования которые указываются я их смогу найти в документации на сердечник, или какие рассчитываются?
и допустим они у меня все есть, но для величины зазора = 0, допустим я хочу промоделировать с зазором в 1мм, то я только меняю величину зазора и всё остальное программа рассчитывает сама? или тоже необходимо пересчитать вручную?