Трибун писал(а):
С дУру можно
Аварии в электросетях иногда бывают, к сожалению. Эт во-первых. Во-вторых, косому привязать пропорцию в заполение по контролю питания, и контроль намагничивания вообще не очень нужен, если не сказать не нужен. По двухтактам - аналогично, пара ньюансов - и никаких контролей. Здесь вопрос другого плана появился - в каких промышленных инверторах контроль используется? Если не используется, то почему ? Не верю я во всё ето, дырки, накладки... Оно реально надо ? Транзисторы из 80-100 ампер выдернуть проблема? Пиковую мощность в кристалле пересчитать в перегрев - улыбка появляется... Хотя живьём нашлёпку видел в самовозбуде на рассыпухе лет десять назад ( кстати, это был самый худщий из всех инверторов, которые доводилось встречать, начиная с качества сборки, заканчивая качеством сварки). ШИМы быстрые, поцикловка, быстрые драйверы, транзисторы под двести ампер держат в импульсе, некоторые производители дают по 10микросекунд на КЗ стойкость кристаллов и т.д. Имхо, тема интересная, но если серийный производитель, даже из соображений экономии на моточных данных, не использует явления выпирающих потоков, есть о чём призадуматься. Сколько реально ампериев в микросекунду на типовом трансе инвертора за загибом? Пятьдесят, сто, двести, пятьсот ? Кто-нибудь измерял? Страшно? Поставьте тренировочные мосфеты, которых не жалко, и подобрав плавный ход на регуляторе Кзап проверьте. Даже мосфеты поубивать проблемно, потому что эти страшные амперы за время их существования кристаллы не нагреют до баха. Типовое Zthjc для ижбт начинается с 0,008 при 10 микросекундах, это означает, что , допустим, 200 Ампер при Uкэ=3 Вольт за ту страшную микросекунду мега-гига-с тремя_икс-элями нагреют кристалл на 5 градусов максимум ( реально ещё меньше, оно ж не будет 200 Ампер дуть 10 микросекунд, просто характеристики с меньших зачений не начинаются на графиках, но если подумать, то можно вычислить Zthjc=0,0063 для 1мкс) относительно корпуса транзистора. На десятках киловатт в пике выключения в пересчёте комм.потерь в температуру кристалла и 20 градусов превышения над температурой корпуса не наберётся . В каждом рабочем такте при сварке этот же кристалл "долбится" на 20-40 градусов постоянно и непрерывно, и никого это не ужасает.
Вход
Регистрация
FAQ
Имхо, всяко бывает, всё нуждается в тщательной проверке, в т.ч. и на прохождение импульсных помех. Плюс проблема - не знаешь, осциллограф правду показывает, или ему на вход со шнурка тоже досталось.
и гляну что там на больших токах. Это интересно.
Я из-за этих "пужалок", между прочим, мост не хотел строить. И это уже даже не забавно, потому как "гвоздь" из головы, что без контроля Iнам двухтактная схема обречена можно вынуть только испробовав это дело в реале, чуть ли не при включенном питании ковыряя номиналы в цепях ос - ничего не бабахает, и не должно собственно, имхо. Общественное мнение, сформированное на теоретических доводах - очень не полезная вещь. Двухкиловаттный критерий по пиковой мощности так и не удалось перебороть, все решили что плохо - и баста. И никто не задумался, почему производитель ижбетов не даёт в расчёте температуры кристаллов поправку на комм.потери, только очень ненастойчиво рекомендует использовать снабберы в целях профилактики "стрессовых" воздействий, несмотря на область безопасной работы полупроводника. И сформировалось мнение, что это чуть не "взрыв" внутри кристалла при выключении. И якобы без комм.потерь нагруженный "на полную катушку" ижбт чувствует себя лучше, чем при меньшем токе и бОльших комм.потерях. Основание есть для такого подхода в расчёте силовой электронике ? Или регулярно на рабочей частоте подогреваемый на 50 градусов кристалл при нулевых потерях коммутации всё-таки в проигрыше по сравнению с 20-градусным при пике 3кВт ? 4кВт ? 6кВт? 12кВт?