valvol писал(а):
IR1150 конечно поинтереснее, но там ещё и модель делать надо.
С нее сделать правдивую модель очень трудно, так как приведенная в датшите структурная схема малость не соответствует тому что в потрошках этого чипа. Основа ОСС - Ramp генератор с регулируемым наклоном, как я уже писал в другой ветке мне знакомо только три пути его реализации: два аналоговых и один цифровой. В 1150 используется один из аналоговых, а именно с интегратором. Основа интегратора - конденсатор, который имеет вполне реальные параметры, в частности обладает ТКЕ. Если тактировать как показано в датшите, то либо нужны спец меры для компенсации ТКЕ интегрирующего конденсатора либо наклон будет плавать и результирующий КМ вместе с ним. Но IR-овцы выкрутились просче, у них интегратор и есть тактовый генератор. Как итог наклон всегда правильный, а в зависимости от ТКЕ плавает (немного) тактовая частота что собственно особо никого не напрягает. Но за это пришлось заплатить невозможностью вешней синхронизации, что приводит к невозможности разделить один мощный ККМ на части, каждая из которых будет управляться от своей IR1150.
Примечание: вывод по реальной структуре 1150 это мое предположение (а не результат послойной сошлифовки чипа), из области догадок "как бы я сделал сам", но на мой взгляд весьма правдоподобная. Но делать модель по не соответствующей реалу структуре из датшита или на основе гипотезы и пытаться попасть ей в соответствие реальному кристалу...
нее, я бы не стал...
и поэтому слепил свой вариант ОСС, который работает в принципе так же и делает то же, и никакой "пыли в глаза", просто наглядно и понятно что же такое ОСС и как оно работает... И для проверки дросселя на хайфлюксе ничем не хуже реальной модели реального чипа...
Цитата:
HighFlux-у тяжеловато в ККМ.
А что кроме него круче на непрерывные токи дросселя? Ведь основной проблем это НЧ составляюшщая, и если вместо хайфлюкса ставить феррит с зазором то размеры дросселя в разы будут больше. Другие порошки пролетают по Br/Bs, т.е. дроссель на них будет тяжелее и витков поболее... Да и сравнение результатов двух ККМ (100кгц и 2 ватта потерь на кольцо и 30 кгц и почти 8вт) показатель: минимальная индуктивность дросселя в ККМ с непрерывным током определяется минимальной нагрузкой при которой хотелось б синус тока иметь, максимальная - насыщением сердечника, результат на практике есть компромис между мин и макс, а потери определяются тока размахом ВЧ составляющей, а она тем меньше чем частота выше и потери соответственно ниже. Вывод? Дроссель на хайфлюксе расчитывается в первую очередь под входные/выходые параметры ККМ-а, а рабочей частотой догоняются приемлимые потри в нем. 100 кгц конечно не 30, но... половики и карбидкремний вполне справятся, и сних тепло сдуть много просче чем с сердечника дросселя и в целом дэвайс выйдет легче. Да и 100 кгц хорошо для облегчения входного EMI, особенно если учеть что у бак-буста при работе бак-а входной ток уже не является непрерывным и гармоники кратные тактовой частоте нада чем-то душить, и чем она выше тем легче.