Power Electronics

Таки да, если б я жил в "мире" где достаточно 600В ключей (однофазная розетка), вот было бы где развернуться!
Я б наверно попробовал STY139N65M5 в мягкой коммутации (без фазника). Это наверно был бы зверь. Ну а в мостовой фазник я бы поставил всётаки ГиперФеты IXYS.
Про IGBT всё хорошо. Только фазник не спасает от их хвостов. Опять же каждому своё.

как я и предполагал. Насчёт существующей топологии ещё ответа не последовало. Только вот это не мост, а полумост.

_________________
«То, что я понял, — прекрасно, из этого я заключаю, что остальное, что я не понял, — тоже прекрасно».

От то ж. Несколько лет назад, извиняюсь за повтор, в гуторе с Мультиком
как бы определились, что разделённый мостик-для "хвостатых" IGBT, а фазник-для "емкостатых" полевиков.
Опять же, классические питальники и сварочники, это существенно разные источники.

с хвостами IGBT можно бороться нестандартно. Постараюсь в ближайшем времени показать прототип преобразователя с такой технологией. По характеристикам будет почти как с применением SiC транзисторов.

_________________
«То, что я понял, — прекрасно, из этого я заключаю, что остальное, что я не понял, — тоже прекрасно».

С таким разделением трудно не согласиться, однако разделённый мостик тоже не спасает хвостатые IGBT от хвостов. IGBT идеально вписываются либо в предельно низкие частоты, либо в схемы где выключение IGBT происходит при нулевом токе, что само по себе звучит несколько издевательски.

Я весьма заинтригован, и, думаю, не я один...

Sergey_G
я применял данное решение, но в другой топологии. Хотел спросить, моё предположение о существующей топологии верно или нет?

Транзисторы я так понял были IXFB120N50P2 (Polar2 HiPerFET). Достаточно хорошие, даже по сравнению с "MDmesh V". Быстродействие очень высокое и затвор не сильно тяжелый. Вот только по сопротивлению проигрывают.

_________________
«То, что я понял, — прекрасно, из этого я заключаю, что остальное, что я не понял, — тоже прекрасно».

Демпфер-регенерат позволяет уменьшить комм. потери для 600 и 900 вольтовых ключиков до пренебрежимо малой величины и таки заметно снизить оные для 1200 вольтовых. Так что ежели без фанатизьму с рабочей частотой, то разделённый мостик на IGBT таки "уделает" фазник с тем же трансом. К тому же, в отличие от фазника, разделённый мостик обладает свойством самосимметрирования тока намагничивания.

Gyrator, Да, известно что среди 600 и 900 вольтовых IGBT есть собратья, которые можно использовать на разумно высоких частотах.
Здесь под "разумно высокими" лично я понимаю такие, которые приближаются к пределу, диктуемому другими элементами схемы. А именно потери в трансформаторе и в выходных выпрямительных диодах. Это диапазон 50-100кГц. А вот в классе 1200 Вольт таких представителей пока не нашлось.
Ещё мне попадалась как-то толковая статья Semikron, где подробно исследовалось какую именно часть энергии хвоста можно скушать демпфером у разных IGBT, сделанных по разной технологии. Оказалось, что эта величина варьируется от чуть меньше половины у одних до сильно меньше половины у других. Если не забуду, посмотрю в понедельник на работе. Мож следы остались. Так что с терминами "до пренебрежимо малой величины и таки заметно снизить оные для 1200 вольтовых" никак не соглашусь.

По поводу топологий могу сказать следующее:
К опыту такого спеца как Multik нельзя не прислушиваться. Если он от фазника перешёл к мосту с разделёнными обмотками и был очень доволен, значит это был шаг в верном направлении. Но! в рамках его тогдашних задач, ибо:
идеальной топологии на все случаи не существует. Лично для меня стало неожиданностью вот что:
Помимо прочих условий, которые на выбор влияют очевидным образом как то размер, цена и пр, важным фактором оказалась собственно мощность устройства. В смысле габаритный размер транса. Может так получиться что для одной мощности оптимальнее спроектировать (тип сердечника, тип провода и способ намотки) транс под одну топологию, а для другой мощности - под другую.

В заключение могу сказать что я тестировал разные источники спроектированные под одно и тоже (все трёхфазные).
Источник 1 (солидная немецкая фирма с большим опытом) имеет пассивный KKM, силовая часть фазник на 1200В IGBT модуле Semikron, частота 30кГц. Полный КПД едва достигает 89%.
Источник 2 (американская фирма) имеет активный KKM (понижающий до 400В Buck), далее фазник на мосфетах 75кГц. Полный КПД около 92%.
Источник который мы делали как трёхуровневый фазник-полумост вместе с пассивным KKM показывал те же 92%.
Тот что сейчас 93+%
Это не к тому, что та или иная топология завсегда лучше другой, а просто как информация.

Neon ответ на вопрос про топологию в самом первом посте Валентина тут:
http://valvol.ru/topic1467.html

Их нельзя сравнивать. В фазомод можно ставить только с быстрым паразитным диодом, и ничего мощнее Polar HiPerFET мне не попадалось. То что сделали ST это круто по статике, но его нельзя поставить в фазомод. Поэтому я и написал про него "не в фазник"

Sergey_G
имеет ли смысл исключить внутренний диод в "MDmesh V"?

_________________
«То, что я понял, — прекрасно, из этого я заключаю, что остальное, что я не понял, — тоже прекрасно».

Ну что же, за язык вас никто не тянул, поэтому-ждём"с нестандарта, буде оный не каскод с шустрым полевиком.


Вот видите, практически все ваши тесты были на фазниках.
А с питальниками на разделённом мостике+демпфер регенерат, похоже, серьёзно работал только Мультик.
Опять же, как постил ранее, здесь обсуждаются в основном сварочники, которые, грубо говоря, есть источники тока, а не напряжения, как те питальники, о коих вы постили. Да и трёхфазная сеть больше присуща промышленным питальникам и варилкам и в обсуждаемых на тут бытовых приборчиках встречается гораздо реже.
Популярность варилок , в отличие от питальников, пмсм, объясняется тем, что оные питальники самодостаточны и требуют для юзания такую простую вещь, как кусочек провода в обмазке или без, а питальник, сам по себе, никому не нужен, за исключением пожалуй зарядного устройство, которое всё одно ближе к сварочнику. Хотя и ему нужен аккумулятор.
Другими словами, нагрузка варилки-зарядника проще самого источника, а нагрузка питальника, как правило, сложнее и дороже источника многократно.

Как называется эта топология ?


Может, если принять спец меры по исключению накопления заряда в паразитном диоде, всё таки можно ?

Хоть косой, хоть мост с разделёнными обмотками, я не знаю. Надо моделировать и смотреть. У меня такой задачи где из одной фазы надо добывать больше 3х киловатт не предвидется. Надо будет делать 2.5кВт, но несколько позже. И там такие "звери" не за чем.


В теории да.
Железобетонный способ это диод последовательно, и диод антипараллельно всей конструкции. Но тогда насмарку весь выигрышь в статике.
Вам известны другие надёжные способы?

Эх, если бы были такие "кусачки" которыми взял, выкусил, а на его место ну хотябы ультрафаст. А ещё лучше SiC шоттки. Но в моей "мастерской" такого инстумента нет.